【課題】ハロゲンガスを用いずに少なくとも白金を含む層をエッチングすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに形成された白金マンガン層３７を所定のパターン形状を有するタンタル層３８を用いてエッチングする際、一酸化炭素ガス、水素ガス及びアルゴンガスを含む処理ガスを用い、該処理ガスにおける一酸化炭素ガス及び水素ガスの流量合計に対する水素ガスの流量比が５０％乃至７５％である。 （もっと読む）

【課題】長尺な導波管を用いて均一なラインプラズマを生成し、被処理体に対し均一な処理が可能な大気圧方式のプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成装置２０は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置２１と、マイクロ波発生装置２１に接続され、その一部分としてアンテナ部４０が設けられた矩形導波管２２と、矩形導波管２２に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置２３と、アンテナ部４０内のガス及び必要に応じて処理容器１０内を排気するための排気装置２４と、矩形導波管２２内で定在波の位相を変化させる位相シフト装置２５Ａとを備えている。アンテナ部４０は、スロット孔４１を有しており、大気圧状態の矩形導波管２２内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔４１から外部の被処理体へ向けて放出する。 （もっと読む）

【課題】誘電率値に不利に影響せずに基板を効果的に洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成することができ、かつ、オーバーエッチング工程におけるミニマムバーの急激な減少を抑制することのできるプラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法並びにコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】エッチストップ層上に形成された酸化シリコン膜にホールを形成するプラズマエッチング方法であって、酸化シリコン膜をエッチングするメインエッチング工程と、メインエッチング工程の後、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程とを具備し、エッチストップ層が少なくとも一部露出した状態で行うエッチング工程は、処理ガスを、Ｃ_４Ｆ_６ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとした第１エッチング工程と、処理ガスを、Ｃ_４Ｆ_８ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス、又は、Ｃ_３Ｆ_８ガスとＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガスとした第２エッチング工程とを交互に複数回繰り返して行う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ボーイングの発生を抑制し、側壁形状を垂直に維持しつつ高アスペクト比のコンタクトホールを形成することのできるプラズマエッチング方法及びコンピュータ記録媒体を提供する。
【解決手段】炭素とフッ素の比率（Ｃ／Ｆ）が第１の値である第１処理ガスを含む処理ガスを用いたプラズマエッチングにより、マスク層の残量と、ホールのボーイングＣＤとの相関関係を調べ、ボーイングＣＤの変化量が増大する変化点に相当するマスク層の残量を求める準備工程と、第１処理ガスを含む処理ガスを用い、マスク層の残量が変化点となるまでプラズマエッチングを行う第１プラズマエッチング工程と、第１プラズマエッチング工程の後に行う、第２プラズマエッチング工程とを具備し、第２プラズマエッチング工程は、少なくとも、第１の値よりＣ／Ｆが小さい第２処理ガスを含む処理ガスを用いたプラズマエッチングを行う期間を含む。 （もっと読む）

【課題】 従来の滞留時間制御による局所加工方法では、加工に伴うワークの温度変化による加工レートの変動を考慮していなかったため、加工精度が悪かった。
【解決手段】 本発明は、局所加工ツールによる第一の加工量を設定する工程（工程１）と、
第一の加工量と前記ワークの温度・加工レートから前記ワークの第一の加工時間分布を求める工程（工程２）と、第一の加工時間分布に従い加工した際のワーク温度を求める工程（工程３）と、求められた前記ワーク温度と、前記温度・加工レートと、前記第一の加工時間分布から、第二の加工量を求める工程（工程４）と、第一の加工量と前記第二の加工量との差である、加工誤差量に応じて、第二の加工時間分布を設定する工程（工程５）と、
第二の加工時間分布に基づき、前記局所加工ツールが前記ワークを加工する工程と、を有することを特徴とする局所加工方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性の高い酸化イットリウムを含む材料で保護膜を形成した場合でも、酸化イットリウム粒子の脱粒やクラックなどによる劣化を抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置１０はチャンバ１１内に処理対象保持手段と、チャンバ１１内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備える。チャンバ１１の内壁とチャンバ１１内の構成部材のプラズマ処理室６１の表面には、酸化イットリウム被膜からなる保護膜５０が形成される。また、保護膜５０は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚が１０μｍ以上２００μｍ以下であり、膜密度が９０％以上であり、単位面積２０μｍ×２０μｍ中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で０〜８０％であり、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子が面積率２０〜１００％である。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の第１面の表面処理を抑制又は防止しながら、第１面とは反対側の第２面を反応ガスにて表面処理する。
【解決手段】搬送手段２にて被処理基板９を搬送路３に沿って搬送し、反応室１０に搬入する。被処理基板９の第１面９ａを搬送路３と直交する方向の第１側に向け、かつ第２面９ｂを第２側に向ける。反応ガスを供給部３０の供給口３９から反応室１０に供給する。反応室１０内の搬送路３より第１側の第１室部１１のうち被処理基板９にて第２室部１２と隔てられた第１隔室部分１１ａに置換手段５０から不活性ガスからなる置換ガスを供給し、第１隔室部分１１ａのガスを置換ガスに置換する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト除去速度を維持又は増進しながら、バッフルプレートの衝突部分、すなわち、中心部分で、温度を低下させるプラズマアッシング法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマアッシング法は、炭素、水素、あるいは炭素と水素との化合物からなる低ｋ誘電体材料を含む基板から、フォトレジスト材料及びエッチング後の残留物を除去するためのプラズマアッシング法であって、基本的に無酸素及び無窒素のガス混合物からプラズマを形成し、バッフルプレートアッセンブリを介して前記基板上に前記プラズマを流し、フォトレジスト材料、エッチング後の残留物、及び揮発性の副生成物を前記基板から除去し、前記プラズマが形成されない操作の周期中に、前記バッフルプレート上に冷却ガスを流す、ことからなる。 （もっと読む）

【課題】 多層構造体中にあるシリコン膜であっても、レジスト膜や有機膜をマスクに用いてエッチングすることが可能であり、かつ、シリコン膜、及びこのシリコン膜の下に存在するシリコン酸化物膜を一括してエッチングすることも可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン酸化物膜２、及びこのシリコン酸化物膜２上に形成されたシリコン膜３を含む多層構造体をエッチングするエッチング方法であって、多層構造体中のシリコン膜３及びシリコン酸化物膜２をエッチングするとき、レジスト膜６又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてＣＨ_２Ｆ_２ガスを含むエッチングガスを用いて、多層構造体中のシリコン膜３及びシリコン酸化物膜２を一括してエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理後のパターンの出来映え形状を高精度で予測することのできる技術を提供する。
【解決手段】各反応生成物の量をそれぞれプラズマ発光強度によって表し、これらを規格化する。そして、規格化された各反応生成物のプラズマ発光強度をそれぞれ予測値補正データに変換し、これら予測値補正データのなかから開口率に応じた最適な予測値補正データを選択し、この最適な予測値補正データを、モニタリング信号から得られた予測値データに加えることにより、パターンの出来映え形状を予測する。 （もっと読む）

【課題】窓部の損傷を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は処理容器２と、前記処理容器の内部を減圧する減圧部９と、被処理物を載置する載置部４と、内部にガスを供給するガス供給部１８と、電磁波を透過させる窓部３と、前記窓部の外方に配置され、電磁場を発生させる複数の導体部２１と複数の容量部とを有した負荷部２０と、前記負荷部２０に電力を印加する電源６ｂと、を備えている。前記導体部２１と前記容量部とは電気的に交互に接続され、被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記容量部同士の間に設けられた前記導体部２１において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生じるようにされ、前記負荷部２０の第１の端子と、第２の端子と、の間における電位差の虚数成分の値が電位差の実数成分の値以下とされている。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を高める。
【解決手段】平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極１０５であって、所望の誘電体から形成された基材１０５ａと、前記基材１０５ａの表面のうち、少なくとも前記プラズマ処理装置の下部電極２１０側の表面の一部に形成された導電体層１１０と、を含み、前記導電体層１１０は、前記下部電極２１０側の表面の外側が内側より密になるように疎密のパターンを有する上部電極１０５が提供される。 （もっと読む）

【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】均一な表面波プラズマを形成することが可能な表面波プラズマ発生用アンテナおよび表面波プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波出力部から、外側導体と内側導体とからなる同軸状の導波路を介して伝送されたマイクロ波をチャンバ内に放射して、チャンバ内に表面波プラズマを発生させるための、表面波プラズマ発生用アンテナであって、平面状をなすとともに複数のスロットが円周状に形成され、かつ、円周方向に隣接するスロットとスロットとの継ぎ目部分において、これらスロットが径方向に重なっており、その継ぎ目部分がスロットに覆われた状態となっている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を備え、誘電率の増大の問題が防止された信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体基板を被覆するように、Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、窒素系ガスを用いて前記絶縁膜をプラズマエッチングする窒素系エッチング工程と、前記窒素系エッチング工程が施された前記絶縁膜の窒素含有率を低減させる窒素含有率低減工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望の微細化パターンを高精度かつ効率良く形成することができ、生産効率を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トリミングされたフォトレジスト層１０４のラインパターンの上に第１の膜１０５を成膜する工程と、前記ラインパターンの側壁部以外にある第１の膜１０５およびフォトレジスト層１０４を除去する工程と、該除去後に残った部分の第１の膜１０５をマスクとして反射防止膜１０３とコア層１０２をエッチングし、コア層１０２をラインパターンとする工程と、ラインパターン化コア層１０２の上に第２の膜１０６を成膜する工程と、ラインパターン化コア層１０２の側壁部以外にある第２の膜１０６およびラインパターン化コア層１０２を除去する工程と、該除去後に残った部分の第２の膜１０６をマスクとして被エッチング層１０１をエッチングし、ラインパターンとする工程とを備えた製造方法とする。 （もっと読む）