【課題】パターンの形状ラフネスを増加させることなく、パターンを転写することを可能にする。
【解決手段】基板上にハードマスクを形成する工程と、ハードマスク上にマスク補助材を形成する工程と、マスク補助材上に海島構造を有するジブロックコポリマー層を形成する工程と、ジブロックコポリマー層に前記海島構造の島部が凸部となる凹凸状構造のパターンを形成する工程と、ジブロックコポリマー層に形成されたパターンをマスクとしてマスク補助材およびハードマスクをエッチングし、ハードマスクにパターンを転写する工程と、を備え、マスク補助材はエッチング速度が、ハードマスクのエッチング速度より大きく、ジブロックコポリマーの海島構造の海の部分のエッチング速度より小さい材料である。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の発熱チャンバクリーニング処理を制御する方法及びシステムである。
【解決手段】この方法は、システム部品から材料堆積物を除去するためにチャンバクリーニング処理においてクリーニングガスにシステム部品を晒すこと、チャンバクリーニング処理において少なくとも１つの温度関連システム部品パラメータをモニタリングすること、モニタリングによりシステム部品のクリーニング状態を決定すること、を含み、そして、決定された状態に基づいて、（ａ）晒すこと及びモニタリングの継続、（ｂ）処理の停止、のうち一つを行う。 （もっと読む）

【課題】マスクの新規な作製技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、第１の膜を形成する工程と、第１の膜上方に、第１マスク膜を形成する工程と、第１マスク膜をパターニングする工程と、パターニングされた第１マスク膜の側部にプラズマ処理を行って、側部を変質層に変換する工程と、プラズマ処理の後、第１マスク膜の上部及び側部を覆う第２マスク膜を形成する工程と、第２マスク膜をエッチングして、側部に形成された第２マスク膜を残存させつつ、第１マスク膜上部に形成された第２マスク膜を除去する工程と、第２マスク膜のエッチングの後、変質層を除去する工程と、変質層を除去した後、残った部分の第１マスク膜、及び第２マスク膜をマスクとして、第１の膜をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を微細加工するとともに制御性良く加工を停止させることを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、及び圧電体薄膜ウェハの加工方法、並びに圧電体薄膜素子、圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．７＜ｘ≦１．０）で表される下地層４を形成する工程と、下地層４上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜５を形成する工程と、基板２上に形成された下地層４及び圧電体薄膜５に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行う工程と、ドライエッチングにおいて放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。石英管４、真鍮ブロック５、蓋６には冷媒流路が設けられ、冷媒としての水が流れることによって各部材が冷却される。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表層が窒化ガリウムから成る被処理基板をドライエッチングする方法であって、平滑なエッチング面が得られ、且つ、良好な再現性をもってエッチングできるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成でチャージアップ現象の発生を防止するプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】高周波信号が供給される第１電極（１１）と、プラズマを発生させるための第２電極（１２）と、第２電極の周囲にプラズマガスを供給するガス供給装置（１３、１０）と、を備え、第２電極（１２）は、所定の周波数成分を通過させ直流成分を遮断するフィルタ回路（１５）を介して接地されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲートリセスの深さの制御を安定的に行なえるようにして、ノーマリオフ動作のデバイスを安定的に作製できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、基板１の上方に設けられたＧａＮ電子走行層２と、ＧａＮ電子走行層２上に設けられた第１ＡｌＧａＮ電子供給層３と、第１ＡｌＧａＮ電子供給層３上に設けられたＡｌＮ電子供給層４と、ＡｌＮ電子供給層４上に設けられた第２ＡｌＧａＮ電子供給層５と、第２ＡｌＧａＮ電子供給層５及びＡｌＮ電子供給層４に設けられたゲートリセス９と、ゲートリセス９に設けられたゲート電極１２とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマ処理では、プラズマ条件の変化に応じて処理室内部のガス流れ分布、反応生成物分布を制御することができない、制御できるガス流れ分布、反応生成物流れ分布の範囲が狭い、ステップエッチングにおいて、各ステップ間で高精度にガス流れ分布、反応生成物流れ分布を変化できないという課題がある。
【解決手段】第一のエッチングガス供給手段と第二のエッチングガス供給手段を設け、それぞれのエッチングガス供給手段を調整し、前記第二のエッチングガス供給手段をウエハ周辺に設置し、処理室内のエッチングガス流れ、反応生成物流れを制御する。 （もっと読む）

【課題】平板スロットアンテナの電磁波放射特性の均一性に影響を与えずに波長領域の広いモニタ光を用いて処理容器内の被処理基板の表面に対する光学的なモニタリングを高精度に行う。
【解決手段】このマイクロ波プラズマエッチング装置における光学モニタ装置１００は、サセプタ１２上に載置される半導体ウエハＷのエッジよりも半径方向内側にあって、かつ同軸管６６よりも半径方向外側の位置で、冷却ジャケット板７２の上に配置されるモニタヘッド１０２と、このモニタヘッド１０２から鉛直下方にカバープレート７２、誘電体板５６、スロット板５４および誘電体窓５２を縦断して設けられるモニタリング用の光導波路１０４と、光ファイバ１０６を介してモニタヘッド１０２と光学的に結合されるモニタ本体１０８とを有している。 （もっと読む）

【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源を実現すること。
【解決手段】ラジカル源は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。プラズマ生成管１１の外側には、円筒形のＣＣＰ電極１３が配置されていて、ＣＣＰ電極１３よりも下流側には、プラズマ生成管１１の外周に沿って巻かれたコイル１２を有している。供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部における供給管１０の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管１５が挿入されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜にコンタクト部に到達する高アスペクト比のホールを形成する際に、ホール内のコンタクト材料とコンタクト部との間で十分なコンタクトがとれるようなホールを形成すること。
【解決手段】基板上にＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第１の酸化膜と、その上に形成された、ＢおよびＰを含まないシリコン酸化物からなる第２の酸化膜とを有し、さらに第１の酸化膜および第２の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備し（ステップ１）、第２の酸化膜と前記第１の酸化膜をエッチングしてコンタクト部に到達するホールを形成し（ステップ２）、ＨＦガスおよび不活性ガスを用いたドライプロセスにより第１の酸化膜をエッチングし、第１の酸化膜のコンタクト部上方領域のホール部分を広げる（ステップ３）。 （もっと読む）

【課題】加工膜と非加工膜をＲＩＥ法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層１，７，８の上に非加工膜１４を形成する工程と、非加工膜１４および下地層１，７，８に溝４を形成する工程と、溝内を埋め込むように加工膜５を形成する工程と、非加工膜１４を露出させるように加工膜５を平坦化する工程とを備える。更に、加工膜５および非加工膜１４の上に保護膜１６を形成する工程と、ＲＩＥ法を用いて、保護膜１６をエッチングすると共に、加工膜５を選択的にエッチングして溝内の加工膜５を落とし込む工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】監視したり人手を要したりすることなく、容易にかつ確実にプラズマを点火した
り再点火したりすることが可能なプラズマ点火技術を提供する。
【解決手段】所定の高周波信号ＨＳを発生しプラズマ発生させるための負荷電極１１４に
供給する高周波電源装置１０１、高周波電源装置側と負荷電極側とのインピーダンスを整
合させる整合装置１０５、高周波信号ＨＳの進行波および反射波を検出する進行波・反射
波検出装置１０２、所定の高電圧ＨＶを発生する高電圧発生装置１０３、反射波の進行波
に対する比率が第１のしきい値より大きい場合に高電圧ＨＶを高周波信号ＨＳに重畳する
制御装置１００を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜処理する基板の歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジストに対する高い選択性、表面粗度上昇の抑制と、シリコン酸化膜の高いエッチングレートを達成させることのできるエッチングガスおよびそれを用いたエッチング方法を、環境負荷の低い材料により提供する。
【解決手段】 少なくとも、一般式（１）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスと一般式（２）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスとを含んでなる、シリコン酸化膜をプラズマによりエッチングするためのエッチングガス。
一般式（１）：Ｃｘ_１Ｈｙ_１Ｆｚ_１ （ｘ_１＝４〜６、ｚ_１−ｙ_１≦２ｘ_１−２、ｘ_１、ｙ_１およびｚ_１はいずれも整数）
一般式（２）：Ｃｘ_２Ｈｙ_２ＯｗＦｚ_２ （ｘ_２＝５〜７、２（ｘ_２−ｗ）−２＜ｚ_２−ｙ_２≦２ｘ_２、ｗ≧０、ｘ_２、ｙ_２、ｚ_２およびｗはいずれも整数） （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層のテーパー形状を有する端部の特性を良好にすることを課題とする。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁膜を介して第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部の形状がテーパー形状である第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が不変の固定層４、コバルトまたは鉄を含み、磁化の方向が可変の自由層６、および前記固定層と前記自由層との間に挟まれる非磁性層５で構成される積層体を形成し、前記積層体上に、ハードマスク１１を形成し、前記ハードマスクをマスクとして塩素を含むガスで前記積層体をエッチングし、エッチングされた前記固定層および前記自由層の側面に、ボロンと窒素とを含む絶縁膜１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法を用いて、ガスの切り替え時に発生するガス流量のハンチングを抑制し、ガス流量の安定した制御を行う。
【解決手段】エッチングガスの供給方法は、エッチングプロセスに使用される第１のエッチングガスを処理容器内に供給するステップと、前記エッチングプロセスに使用される第２のエッチングガスを前記処理容器内に供給するステップと、を含み、前記第１のエッチングガス及び前記第２のエッチングガスの一方から他方にガスを切り替える際、切り替え前のエッチングガスとして必要であって切り替え後のエッチングガスとして必要でないガスを微少量だけ供給し続ける。 （もっと読む）