【課題】広い面積の基板を処理できる安価な装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１０の貫通孔２０に、イットリウム酸化物薄膜から成る保護膜が形成された窓２１を配置し、フッ素原子を化学構造中に有する反応ガスを含む処理ガスのプラズマを形成して基板１４表面にテクスチャーを形成する。イットリウム酸化物はフッ素と反応しないので、窓２１はエッチングされない。窓２１の長手方向が異なる方向に向けられているので、真空槽１０内での電波干渉が無く、安定してプラズマを生成できる。 （もっと読む）

【課題】ホールの上面形状を整えて線条痕をなくすと共に、ボトム形状に歪みがなく、しかもボーイング形状の発生を防止して良好な垂直加工形状のホールを処理対象層に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスとしてＣＦ_４ガス、ＣＨＦ_３ガス及びＣ_４Ｆ_８ガスを含有する混合ガスを用い、処理圧力１００ｍＴｏｒｒ（１．３３×１０Ｐａ）〜１５０ｍＴｏｒｒ（２．０×１０Ｐａ）で中間層としてのＢＡＲＣ膜５３をエッチングし、次いで、処理ガスとしてＣＯＳガス含有ガスを用いて下層レジスト層としてのＡＣＬ５２をエッチングし、その後、処理ガスとしてＣ_６Ｆ_６ガス含有ガスを用いて処理対象層としての酸化膜５１をエッチングする。 （もっと読む）

【解決手段】酸素及び／又は窒素を含有し、遷移金属を含有してもよい単層又は多層の第１のケイ素系材料層と、第１のケイ素系材料層に隣接して形成され、遷移金属を含有してもよく、第１のケイ素系材料層より窒素及び酸素の合計の含有率が小さいケイ素系材料層からなる単層又は多層の第２のケイ素系材料層とからなる積層体から、第１のケイ素系材料層のエッチング速度に対する第２のケイ素系材料層のエッチング速度が大きくなるように塩素系ガスと酸素ガスとの比率を設定して、塩素系ドライエッチングにより、第２のケイ素系材料層を選択エッチング除去する。
【効果】エッチングストッパー膜を用いなくとも、同種のケイ素系材料の積層体、例えば、位相シフト膜であるケイ素系材料の遮光膜を、ケイ素系材料の位相シフト膜上に積層したものを用いても、位相シフト膜にダメージを与えることなく、遮光膜に対する高精度なエッチング加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】開口面積の広いガードリング（ＧＲ）や開口面積の小さいビアホール（Ｖｉａ）を同時に且つ均等深さにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置のサセプタ１６に印加される第２の高周波電力を、ウエハＷのＬｏｗ−ｋ膜又はフォトレジスト膜にデポが堆積する第１のパワーと、ウエハＷのＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする第２のパワーとの間でパワー変調させると共に、第２の高周波電力を変調する際のデューティー比（第２のパワー時間／１周期全体の時間）を２５〜８０％、好ましくは２５〜５０％としてウエハＷのＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。
【解決手段】 BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。その後N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_２またはO_２を含む高マスク選択比条件と、N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 （もっと読む）

【課題】微細凹凸パターンのテクスチャ付基板を製造する。
【解決手段】フッ化ガスの反応ガスと、希ガス及び／又はハロゲンガスのアシストガスをプラズマ化させてエッチングを行なうから、アルカリガラス基板３１のように金属成分の含有量が多いものでもエッチングされ、表面に微細な凹凸パターンが形成されたテクスチャ付基板を製造できる。真空槽１１内部にマイクロ波を導入して反応ガスとアシストガスのプラズマ化を行なうから、従来に比べて短時間でエッチングされる。 （もっと読む）

改良された耐プラズマ性を有する充填ポリマー組成物が開示される。組成物はポリマーマトリックス中に分散された粒子フィラーを含む。粒子フィラーは、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＹＦ_３、ＡｌＮ、ＳｉＣ又はＳｉ_３Ｎ_４、及び希土類酸化物であることが可能である。一実施形態では、組成物は、静電チャック用接着剤、シャワーヘッド用接着剤、ライナー用接着剤、シール材、Ｏリング、又はプラスチック部品として利用される。
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【課題】真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。
【解決手段】試料を真空搬送室から処理室に搬送する際（Ｓ８）、事前に（Ｓ５）真空搬送室と処理室に試料搬送用（不活性）ガスのガス流れを形成し、その状態をエッチング処理を開始するまで維持し、その後エッチング処理ガスを導入した（Ｓ１２）後、エッチング処理ガスの導入と同時またはエッチング処理ガスの導入に重ねて試料搬送用ガスの導入を停止し（Ｓ１０´）、試料のエッチングを行う（Ｓ１３〜Ｓ２４）。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上にコイルを設置して、基板の上方の処理領域とこの処理領域を囲む周縁領域とにおける電界が同位相あるいは逆位相となるようにガスシャワーヘッド及びコイルに供給する高周波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】複雑な加工技術を用いることなく、グラファイト薄膜をナノスケール幅に切断することができるグラファイト薄膜の切断方法を提供すること。
【解決手段】複数の段差部１ａを有する基板１の表面に、グラファイト薄膜２を設ける工程と、グラファイト薄膜２が設けられた基板１を、酸素含有雰囲気下で加熱して、グラファイト薄膜２を段差部１ａの位置で切断する工程とを含む、グラファイト薄膜の切断方法。 （もっと読む）

【課題】パターンつきフォトレジストマスクと、その下に配された中間マスク層と、その下に配された機能性有機質マスク層と、その下に配されたエッチング層とによって形成されるスタックにおいてエッチング層内のエッチング構成の限界寸法を制御するための方法を提供する。
【解決手段】中間マスク層４１６は、パターンつきフォトレジストマスク４２０に対して選択的にエッチングすることによって開口される。機能性有機質マスク層４１２の開口は、ＣＯＳを含む開口ガスを流すこと、プラズマを発生させること、および開口ガスを流すことを停止する工程とを含んでいる。その後エッチング層４０８は、所望の寸法にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】電極上の基板の電圧変化を効果的に抑制し，基板へ入射するイオンの入射エネルギの変動を抑えた基板処理装置および基板処理方法を得る。
【解決手段】基板処理装置は，処理対象である基板を主面に保持する第１の電極と，第１の電極に対向する第２の電極と，第１の電極に対して周波数が４０ＭＨｚ以上のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源と，ＲＦ電圧に重畳して，時間に対応して電圧が低下するパルス電圧を第１の電極へ印加するパルス電圧印加部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】 基板上の特徴部の密度を増大させる処理シーケンスを提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態は、単一の高解像度フォトマスクを使用する標準のフォトリソグラフィ処理技法を使用して可能なものに比較して、２次元において減少ピッチを有するパターン形成特徴部を基板上に形成する方法に関する。方形の角部の４つのコアの中心にディンプルを残すように選択された厚さを有するスペーサ層が、コアの２次元方形格子上に形成される。上記スペーサ層は、上記方形の中心において上記基板をさらすように、エッチングバックされる。上記コア材料を除去することにより、コアのフォトリソグラフィ画成格子のパターン密度が２倍とされる。露出された基板の領域には、再びコア材料を充填することができ、上記処理は、上記パターン密度が４倍となるように繰り返される。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ₂プラズマに晒された低誘電率絶縁膜のダメージを回復させて、低誘電率絶縁膜を良好な状態にすることができ、半導体装置における性能の向上と信頼性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をＣＯ₂プラズマに晒すＣＯ₂プラズマ処理工程と、ＣＯ₂プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング中に基板割れを生じることなく加工できるエッチング装置及びそのエッチング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓを固定するためのクランプリング３３と、クランプリングと基板の周縁部との間に設けられたリング部材３４とを有してなり、基板トレイが、第１の表面凹部３２ａと第２の表面凹部３２ｃとの２段の表面凹部、及び裏面凹部３２ｄと裏面凹部を囲んで基板電極３１に接触する周囲接触面部３２ｅとを有し、冷却ガス流路３２ｆが形成されたものであり、リング部材が１．５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料から構成されていること。このエッチング装置を用い、基板の載置された基板トレイを基板電極上に装着し、基板の周縁部をリング部材を介してクランプリングで押圧して固定し、冷却ガスを流しながら、高密度プラズマ雰囲気下で基板をエッチングする。 （もっと読む）