【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部を介してハロゲン系ガスに第２ガスの少なくとも一部を添加したガスを処理容器内に供給すると共に第１ノズル部を介してハロゲン系ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの光取り出し効率を向上できる基板を提供する。
【解決手段】半導体発光素子ＬＣは、一方の面に複数の六角錐状の凸部１１０ｂが設けられた基板１１０と、凸部１１０ｂが設けられた面に接触するように設けられた下地層１３０と、下地層１３０に接触して設けられるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０に接触して設けられる発光層１５０と、発光層１５０に接触して設けられるｐ型半導体層１６０とを備えている。凸部１１０ｂは、半導体発光素子ＬＣ内において、横方向および斜め方向に向かう光を散乱し、半導体発光素子ＬＣからの光取り出し効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】異物あるいは金属汚染の発生を抑制し、長期にわたって連続運転することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】所定の圧力に減圧排気される処理室と、該処理室内に配置され、試料を静電吸着して保持する静電チャックを備えた吸着装置と、該吸着装置の温度を調整する温度調整手段と、前記吸着装置と該吸着装置上に載置された試料の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記処理室内にプラズマを生成する手段を備え、生成されたプラズマ用いて前記吸着装置上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記吸着装置２の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分を保護するリング状の保護カバー１１８を備え、該カバーは静電チャックの吸着面の外周に設けたＶ字型の切欠き４００に間隔を空けて嵌合するＶ字型の張り出し４０１をリングの内周側に備えた。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成する溝の寸法を制御しやすい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、デュアルダマシンのビアが形成された下側絶縁膜と、ビアを埋め下側絶縁膜上に延在しレジスト材料でできた樹脂膜と、樹脂膜上に形成された酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜上方に形成されたレジストパターンとを有するエッチング対象物に対し、レジストパターンをマスクとし、Ｃ_４Ｆ_６、ＣＨＦ_３、Ｃ_４Ｆ_８、及びＣＨ_３Ｆから選択されたガスの使用量、及び、Ｏ_２及びＡｒから選択されたガスの使用量を定めるレシピを複数含みエッチングチャンバの制御装置に記憶されたレシピ群から選択されたレシピで、酸化シリコン膜をエッチングして、ハードマスクを形成する工程と、ハードマスクを用い、樹脂膜及び下側絶縁膜をエッチングして、デュアルダマシンのトレンチを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

ＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−Ｖ半導体などの半導体材料を異方的にエッチングする方法が提供される。本方法は、エッチングマスクを通した非反応性ガスによる半導体材料のプラズマスパッタエッチングと、その後に続く、ポリマーフォーマーを使用したプラズマ重合による側壁の不動態化の繰り返しサイクルを含む。この手順を用いて、下方変換発光ダイオードデバイスの微細な画素を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のビアホールにおける残渣物の残留を抑制することができ、かつ、半導体装置のデバイス特性不良、信頼性不良等を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、ＧａＮ系半導体層（１１）が設けられたＳｉＣ基板（１０）の第１主面の反対側の第２主面上にＣｕあるいはＣｕ合金からなり部分的に開口を有するエッチングマスク（５０）を形成する工程と、エッチングマスク（５０）を利用したドライエッチングを実施し、底部の厚さ方向にＧａＮ系半導体層（１１）が残存したビアホールを形成する第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後にエッチングマスク（５０）を除去する除去工程と、除去工程の後に残存したＧａＮ系半導体層（１１）に対してドライエッチングを実施する第２エッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ又は当該トランジスタを具備する半導体装置において、半導体膜の汚染を防止することを課題の一とする。または、電気的特性のばらつきや劣化を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられ、かつゲート電極層と重なる半導体層と、半導体層の表面上に接して設けられた炭化物層と、半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、を有するトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェハにおいて、正確な劈開のためのガイド溝を効率よく形成できる半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】
結晶から形成された基板３０１上の一部に誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程と、
前記誘電体膜形成工程後、基板３０１上における前記誘電体膜形成部位以外の部位に半導体結晶を成長させて機能性半導体結晶層３０３を形成する機能性半導体結晶層形成工程と、
機能性半導体結晶層３０３形成工程後、前記誘電体膜形成部位周辺の機能性半導体結晶層３０３および基板３０１をドライエッチングするドライエッチング工程を含み、
前記ドライエッチング工程により、前記ドライエッチングした部位に、機能性半導体結晶層３０３上面から基板３０１内部まで達する溝が形成されることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。
【解決の手段】エッチングガスにＣｌ_２とＡｒを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜２３を途中までエッチングし、その後、Ａｒのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜２３をエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜を良好な形状性でかつエッチング部分を拡大させずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】アモルファスカーボン膜を有する被処理基板Ｗを処理容器１０内に設置し、無機膜をマスクとしてアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするにあたり、エッチングガスとしてＯ_２ガスを用い、Ｏ_２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下となるようにＯ_２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了後のトレイからの伝熱による基板の温度上昇を低減することを課題とする。
【解決手段】 トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するとトレイ支持面２８と、上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに収容された基板２を支持する基板支持部２１の環状部７４の上面７４ａは、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁１５ｄの傾斜角度αよりも小さい傾斜角度βを有する。環状部７４の上面７４ａにより基板２が線接触的又は点接触的な態様で支持される。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成する、及び低誘電率膜を良好にエッチングする。
【解決手段】CF₃CF=CFCF=CF₂及び／又はCF₂=CFCF=CF₂を必要に応じてHe、Ne、Ar、Xe、Kr、O₂、CO及びCO₂からなる群から選ばれる少なくとも１種のガスと混合してなるドライエッチングガスプラズマ(例えば、ICP放電電力200-3000W,バイアス電力50-2000W,圧力100mTorr(13.3Pa)以下)で、酸化シリコン膜及び／又は窒化シリコン膜をレジスト、シリコンに対して選択的にエッチングする方法；二重結合を二つ有する一般式（1）：CaFbHc（a=4〜7、b=1〜12、c=0〜11、b+c=2a-2を示す。）で表される化合物を少なくともひとつ含むドライエッチングガス及び該ガスプラズマで、酸化シリコン膜及び／又はシリコンを含有する低誘電率膜などのシリコン系材料をエッチングするドライエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】基板の反射防止（ＡＲＣ）層をパターンエッチングする方法を提供する。
【解決手段】この方法は、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）および炭化水素ガスを含有する処理ガスから生成されるプラズマを用いてシリコン含有反射防止層をエッチングして幾何形状パターンを形成する工程を含み、さらに、前記幾何形状パターンにおける密集した構造についての最終限界寸法と、前記幾何形状パターンにおける孤立した構造についての最終限界寸法との限界寸法偏差を低減するため、前記ＳＦ_６の流量に対する前記炭化水素ガスの流量を調整する、各工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。また、酸化物半導体膜中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。
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シルセスキオキサン樹脂をパターン形成フォトレジストの上に塗布し、硬化して、パターン表面上に硬化シルセスキオキサン樹脂を生成する。次に未硬化シルセスキオキサン樹脂を除去し、パターン表面上に硬化シルセスキオキサン樹脂を残す。水平表面上の硬化シルセスキオキサン樹脂を除去し、下にあるフォトレジストを露光する。このフォトレジストを除去し、硬化シルセスキオキサンのパターンを残す。任意で、新規パターンを下層へ転写することができる。
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【課題】単結晶表面に下り方向段差と上り方向段差からなる複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、平坦な第１のテラスと、下り方向の第１の段差と、平坦な第２のテラスと、前記第１の段差よりも高さの小さい上り方向の第２の段差からなる複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法であって、単結晶基板に対してエッチングを行なうことで自己組織的に複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域１１を有する下地と１０、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜１２と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第１の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線である。層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 （もっと読む）