【課題】空洞を有する被エッチング部材上にテーパー形状の側面を有するマスクを容易に形成して良好にパターニングを行うことができるドライエッチングによるパターニング方法及びそれに用いるモールド並びにインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。光硬化性樹脂に光を照射して硬化させた後、モールドを引き離すことにより、被エッチング部材上にモールドのパターンが反映されたテーパー形状の側面を有するマスクを形成する。マスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングした後、マスクを除去する。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートの高速化とレジスト選択比を向上させる。
【解決手段】プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

基板からポリマーを除去するため方法及び装置が提供される。一実施形態において、基板からポリマーを除去するのに用いられる装置は、プロセス空間を区画するチャンバの壁及びチャンバの蓋を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに置かれた基板支持アセンブリと、チャンバの壁内に形成された出力ポートを介してプロセスチャンバに結合するリモートプラズマソースとを含み、出力ポートは基板支持アセンブリに置かれた基板の周辺領域に向けた開口を有し、前記リモートプラズマソースは水素種に耐性のある材料から作られている。
（もっと読む）

【課題】ウェハから得られる半導体チップの数を増加させ、半導体チップの信頼性を向上させる。
【解決手段】基板にデバイス部１２を形成する工程（Ａ）と、デバイス部１２が形成された基板の裏面に導電性膜を成膜し、さらに、導電性膜をパターン化して、電極膜１３を形成する工程（Ｂ）と、電極膜１３の形状に沿って、基板にトレンチ溝部１４をエッチングによって形成する工程（Ｃ）と、トレンチ溝部１４に沿って、デバイス部１２を個片化する工程（Ｄ）と、を有する半導体装置の製造方法によって、ウェハから得られる半導体チップ１０の数が増加し、半導体チップ１０の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】炭素系ハードマスクの形成において、垂直形状に優れたパターンを形成することができる炭素系ハードマスクの形成方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが、式（１）：ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘは３〜６のいずれかの整数を表し、ｙは１〜４のいずれかの整数を表し、ｚは正の整数を表し、かつ、（ｙ＋ｚ）は２ｘ以下である。〕で表されるフッ素化炭化水素を含むことを特徴とするハードマスク形成方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにおける寸法制御及び形状制御を従来に比べて高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングしたＳＯＧ膜１０４をマスクとして、下層レジスト１０３をプラズマエッチングし、開口１１２を形成する。このプラズマエッチング工程では、処理ガス（エッチングガス）として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】分子酸素（Ｏ_２）と炭素・硫黄末端リガンドを含むガスとを含むエッチャントガス混合物を用いた炭素質層のエッチングである。
【解決手段】所定の実施形態において高ＲＦ周波ソースを用いることで高いエッチング速度を無機誘電体層に対しての高い選択性で達成する。所定の実施形態において、エッチャントガス混合物はＣＯＳとＯ_２の２つの成分しか含まないが、その他の実施形態では分子窒素（Ｎ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）又は二酸化炭素（ＣＯ_２）の少なくとも１つ等の追加のガスを更に用いて炭素質層をエッチングしてもよい。 （もっと読む）

【課題】腐食性の高い処理ガスの使用を抑制することができるとともに、所望形状のパターンを精度良く形成することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】被処理基板上に形成されたポリシリコン層１０４を、所定形状にパターニングされたフォトレジスト層１０２をマスク層として処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、少なくともＣＦ₃Ｉガスを含む処理ガスを用い、プラズマ中のイオンを被処理基板へ加速するセルフバイアス電圧Ｖｄｃが２００Ｖ以下となるように、被処理基板を載置する下部電極に高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】溶剤を用いて半導体ウエハから容易に剥離し得るが、半導体ウエハの加工を行う過程において基板から剥がれにくいサポートプレートを実現する。
【解決手段】基板２に貼着して基板２を支持するサポートプレート１を提供する。サポートプレート１において、複数の開孔１５・１５’が、基板２に面する接着面と該接着面に対向する非接着面とを貫通しており、該接着面には、第１領域１１および第１領域１１を取り囲む第２領域１２からなる開孔が形成されている領域１３が設けられており、第１領域１１における開孔率が第２領域１２の開孔率より大きい。 （もっと読む）

【課題】横並びに配置されたＨｆＳｉＯＮ膜と酸化シリコン膜との上に夫々形成された窒化チタン膜とポリシリコン膜とに対してエッチングにより凹部を形成するにあたり、ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることにより、酸化シリコン膜の膜減りを抑えると共に、凹部を良好な形状となるように形成すること。
【解決手段】ｐ型の層構造部において窒化チタン膜が露出するまでエッチングを行い、その後窒素ガスのプラズマを基板に供給し、ｎ型のトランジスタを形成するための層構造部におけるポリシリコン膜を窒化することによって、当該ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板周縁部処理装置の状態の検査を正確に行うことができる基板周縁部処理装置の検査方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、ウエハＷの周縁部に付着したポリマーを除去するベベルポリマー除去装置３２を備え、このベベルポリマー除去装置３２の状態を検査する際、レジスト膜ＲのブランケットウエハＷｂを準備して、該レジスト膜Ｒの膜厚を測定し、ベベルポリマー除去装置３２において、レジスト膜Ｒの端から所定の距離だけ内側に位置するレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストを除去し、その後、該レジスト膜測定部Ｒ１の膜厚を測定し、レジスト膜Ｒの膜厚の測定値及びレジスト膜測定部Ｒ１の膜厚の測定値を用いて算出されたレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量に基づいてベベルポリマー除去装置３２の性能を評価する。 （もっと読む）

【課題】処理ガス吐出孔の形成領域を狭めることなく，循環ガス吐出孔の形成領域を確保して，循環ガスのコンダクタンスの調整範囲を従来以上に広くし，ひいては循環ガスの流量を大幅に調整可能とする。
【解決手段】処理室２００内で基板Ｇを載置する載置台３００と，処理ガス供給源２３２からの処理ガスを処理室内に供給する処理ガス供給機構２３０と，その処理ガスを基板Ｇに向けて吐出する処理ガス吐出孔を有するシャワーヘッド２１０と，処理室内のガスを外部に排出するとともに，排出されるガスの一部を循環ガスとして処理室内に戻すガス排気循環機構４００と，戻される循環ガスを基板に向けて吐出する循環ガス吐出孔を有する循環ガス吐出部２４０とを備え，シャワーヘッドは載置台に対向するように配置し，循環ガス吐出部は載置台の周囲を囲むように配置した。 （もっと読む）

【解決手段】基板のべベル端部（面取りされた端部）近傍の不要な被膜を除去して、プロセス歩留まりを改善する装置及び方法をさまざまな実施形態として提供する。実施形態に従う装置及び方法は、中央ガス供給部及び端部ガス供給部を備えることにより、端部除外領域を基板端面方向に狭めるための最適なべベル端部エッチングプロセスを選択することが可能になる。さらに実施形態に従う装置及び方法は、調整ガスを用いてべベル端部におけるエッチングプロファイルを変化させるものであり、中央ガス供給部と端部ガス供給部との組み合わせによりチャンバ内にプロセスガスと調整ガスを導入する。調整ガスの使用とガス供給部の配置は、いずれも、べベル端部におけるエッチング特性に影響を与える。また、ガスの総流量、ガス供給プレートと基板表面との間隔距離、圧力及びプロセスガスの種類も、べベル端部のエッチングプロファイルに影響を与える。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストマスクを形成するための電子ビーム露光量の増大によるレジストマスク側面のラフネスを抑制することが可能な量子細線構造の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。多重量子井戸層１２のエッチング中に、絶縁体マスク１６の幅がエッチングにより細くなるので、所望の幅を有する量子細線１７が形成される。このため、絶縁体マスク１６のためのレジストマスクの幅は、量子細線構造の細線幅より太くできる。従って、電子ビームの露光量を増加することなく、レジストマスクの形成が可能になる。 （もっと読む）

【課題】第１及び第２のエッチングマスクパターンを用いて微細パターンを形成する半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にエッチング対象層を形成する段階と、前記エッチング対象層上に第１のエッチングマスクパターン１０５を形成する段階と、前記第１のエッチングマスクパターン１０５の下部側壁よりも上部側壁でさらに厚い補助膜を前記エッチング対象層を含む前記第１のエッチングマスクパターン１０５の表面に形成する段階と、前記補助膜の凹部に第２のエッチングマスクパターン１０７を形成する段階と、前記第１及び第２のエッチングマスクパターン間の前記補助膜を除去する段階、及び前記第１及び第２のエッチングマスクパターン１０５，１０７をエッチングマスクとして用いて前記エッチング対象層１０１をパターニングする段階を含む構成。 （もっと読む）

【課題】サブトレンチの形成による半導体装置の特性の低下を容易に抑止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体の表面の一部を反応性イオンエッチングにより除去することによって半導体に溝を形成する反応性イオンエッチング工程と、溝の底面に対して０°より大きく４５°以下の角度に傾斜した方向からイオンビームを照射することによって溝の底面の一部を除去する低角度イオンミリング工程とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板のエッチング処理を行いながら、そのエッチング量をモニタリングすることにより、所望のエッチング量で再現性よくエッチングを行うことを目的とする。
【解決手段】本発明に係るエッチング処理方法は、（ａ）表裏両面を鏡面研磨されたＳｉＣ素基板２の表面を反応性プラズマによりエッチング処理するとともに、ＳｉＣ基板２の表面または裏面にレーザ光１４を入射する工程を備える。そして、（ｂ）ＳｉＣ基板２の表裏両面それぞれから反射したレーザ光１４の光強度を検出し、当該検出した光強度が示す干渉波形に基づいてエッチング量を算出し、当該エッチング量が所望のエッチング量となった場合に、工程（ａ）のエッチング処理を停止する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】露光装備の最大解像度より微細なパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に第１のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンに対応する段差を維持し得る厚さで第１のエッチングマスクを含む上記半導体基板上に補助膜を形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンの側壁に形成された上記補助膜の間の空間に第２のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン上に形成された上記補助膜を除去して両端の下部が互いに連結されて上記両端が上部に突出した第１の補助膜パターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン及び上記第２のエッチングマスクパターンを除去する段階及び上記第１の補助膜パターンの上記両端が隔離されるように上記両端間をエッチングして第２の補助膜パターンを形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】露光装備の解像度以下に稠密に配列されたマトリックス状の目標パターンを定義するためのハードマスクパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に目標パターンの第１のピッチより2倍大きい第２のピッチを有する第１のエッチングマスクパターンを列方向に形成する段階と、第１のエッチングマスクパターンの表面を含む半導体基板上に補助膜を形成する段階と、補助膜を含む半導体基板上にエッチングマスク膜を形成する段階と、エッチングマスク膜、補助膜及び第１のエッチングマスクパターンを行方向に隔離させ、エッチングマスク膜を第１のエッチングマスクパターン間に残留させて第２のピッチを有する第２のエッチングマスクパターンが形成されるようにエッチング工程を行う段階、及び第１及び第２のエッチングマスクパターン間の補助膜を除去する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】異種材料基材上において、界面及び膜中の結晶性の高い微結晶半導体膜の形成方法を提案する。また、結晶性の高い微結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法を提案する。また、結晶性の高い微結晶半導体膜を有する光電変換装置の作製方法を提案する。
【解決手段】被膜上に、密度が高く、且つ結晶性の高い結晶核を形成した後、結晶核から半導体の結晶粒を結晶成長させて、被膜との界面における結晶性、隣接する結晶粒の密着性、及び結晶粒の結晶性、それぞれを高めた微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）