【課題】ＯＲ搬送処理を行った場合にも、全てのウエハの処理後の物性値を測定することなく、各ウエハに対して最適処理を施すことができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、測定器とを備えた基板処理装置を用いてＯＲ搬送処理によって複数のウエハＷに対してシュリンク処理を連続して施す基板処理方法であって、処理前のウエハＷのＣＤ値を測定する処理前測定ステップと、得られたＣＤ値に基づいて作成された処理条件に従ってＦＦ制御によってウエハＷにシュリンク処理を施す処理ステップと、処理後のウエハＷのＣＤ値を測定する処理後測定ステップと、処理後のＣＤ値と目標値との差に基づいてＦＦ制御における処理条件作成用のオフセット値を更新するオフセット値更新ステップとを有し、チャンバにおける経過処理時間が予め決められた所定値に到達するまで処理後測定ステップ及びオフセット値更新ステップを省略する。 （もっと読む）

【課題】膜質の向上や膜質の均一化を可能とし、さらに、基板の大面積化にも対応可能なプラズマ製膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１０Ａは、水素ガス流路３０が形成された中空箱形の正電極３１と、内部空間にプラズマ生成領域を形成するとともに正電極３１を収納設置して基板３と対向配置された中空箱形の負電極３２と、負電極３２の外部に形成されて原料ガスを基板３上に供給するガス出口３３ａを備えている原料ガス流路３３と、正電極３１の面に設けた水素ガスのガス出口３１ａと、負電極３２の面に設けた水素ラジカルの出口開口３２ａとを具備し、正電極３１内に導入した水素ガスに高周波電界を印加して水素ガスがプラズマ状態に励起された水素ラジカルを生成し、原料ガスと出口開口３２ａから供給される水素ラジカルとを負電極３２外のプラズマのない空間で反応させて基板３上に製膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をマスク層又は中間層に形成することができる制御性に優れた基板処理方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜５１、ＳｉＯＮ膜５２，ＢＡＲＣ膜５３及びフォトレジスト膜５４が順に積層されたウエハＷを処理する基板処理方法であって、ＣＨＦ_３ガスと、ＣＦ_３Ｉガスと、Ｈ_２ガス及びＮ_２ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって、フォトレジスト膜５４の開口部５５のＣＤ値を縮小しつつ開口部底部のＳｉＯＮ膜をエッチングするシュリンクエッチングステップと、開口部５５の側壁面へのデポの堆積を促進させて各ＣＤ値のばらつきを吸収するばらつき吸収ステップと、開口部の内面に薄膜を形成して各開口部の開口幅を縮小させる開口幅縮小ステップとを１ステップで行う。 （もっと読む）

【課題】歩留まりと信頼性を高めるフラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板１に素子分離絶縁膜６を形成する工程と、シリコン基板１の表面にトンネル絶縁膜を形成する工程と、素子分離絶縁膜６とトンネル絶縁膜の上に第１導電膜を形成する工程と、第１導電膜をパターニングして導電パターン１３ａにする工程と、導電パターン１３ａの表層部分をスパッタエッチングする工程と、導電パターン１３ａと素子分離絶縁膜６の上に中間絶縁膜１６を形成する工程と、中間絶縁膜１６の上に第２導電膜１７を形成する工程と、導電パターン１３ａ、中間絶縁膜１６、及び第２導電膜１７をパターニングすることによりフラッシュメモリセルFLを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】有機膜および無機膜を備えた積層膜の各膜に対して均一に一貫処理を施す。
【解決手段】処理ガスを供給するガス供給管を備えた真空容器１と、該真空容器内に配置された基板電極３と、前記真空容器内で前記基板電極に対向して配置されたアンテナ電極７と、前記基板電極とアンテナ電極間の距離を処理雰囲気中で変更可能な電極間距離調整手段を備え、前記アンテナ電極に高周波エネルギを供給して供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成し、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して、生成された前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料は有機膜と無機膜を積層した構造を備える絶縁膜構造を具備し、前記有機膜をエッチングするときは、前記無機膜をエッチングするときよりも前記電極間距離を大きく設定する。 （もっと読む）

【解決手段】基板上に形成された被加工層上に、レジストパターンを用いて第１のドライエッチングによりハードマスク層にレジストパターンを転写し、ハードマスク層に転写されたハードマスクパターンを用いて被加工層を第２のドライエッチングによりパターン加工する際、第１のドライエッチング後、第１のドライエッチングを行ったエッチング装置内で、ドライエッチングガスの主要成分を変更することなく、副成分の濃度を変更して第２のドライエッチングを行う。
【効果】エッチングマスク層と、エッチングマスク層をマスクとして加工される被加工層とを有する積層膜のパターン加工を行う際、高精度のエッチング加工を可能とするハードマスク技術を使用しつつ、同一チャンバー内でのドライエッチング処理により積層膜をドライエッチング加工することができ、欠陥発生の可能性を抑制してフォトマスクブランクを加工することができる。 （もっと読む）

【解決手段】高アスペクト比特徴をエッチングするための装置が提供される。プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁と、下部電極と、上部電極と、ガス入口と、ガス出口とを含むプラズマ処理チャンバが提供される。上部電極又は下部電極の少なくとも一方に、高周波数無線周波数（ＲＦ）電源が電気的に接続される。上部電極及び下部電極の両方に、バイアス電力システムが電気的に接続され、該バイアス電力システムは、上部電極及び下部電極に少なくとも５００ボルトの大きさのバイアスを供給することができ、下部電極に対するバイアスは、断続的にパルス化される。ガス源が、ガス入口と流体接続している。ガス源、高周波数ＲＦ電源、及びバイアス電力システムには、コントローラが可制御式に接続される。 （もっと読む）

【課題】安定したプラズマ処理を行うことができるとともに、整合器を構成するバリアブルコンデンサの寿命の長期化を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】高周波電源９０からの高周波電力を、第１のパワーと、当該第１のパワーより高い第２のパワーとにパルス状に一定周期で切り替えるパワー変調を行うパワー変調手段９５と、高周波電源９０からの高周波電力をインピーダンス整合させて印加するための整合器８８を有し、該整合器８８が、パワー変調手段によるパワー変調時に、第１のパワー印加時、及び第２のパワー印加開始から所定期間、整合動作を停止可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】ビア構造とそれを形成するビアエッチングプロセスを提供する。
【解決手段】ビアエッチングプロセスは、丸角とテーパ型側壁プロファイルを有するスルーサブストレートビアを形成する。その方法は、半導体基板を提供するステップと、半導体基板上に、ハードマスク層とパターン化フォトレジスト層を形成するステップと、ハードマスク中に開口を形成して、半導体基板の一部を露出するステップと、パターン化されたフォトレジスト層とハードマスク層をマスキング要素として、半導体基板の少なくとも一部を通過するビアを形成するステップと、トリミングプロセスを実行して、ビアの頂角を丸くするステップと、フォトレジスト層を除去するステップと、からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としての、例えばフォトレジスト膜５３からなる有機膜を無機化する無機化ステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってフォトレジスト膜５３をＳｉ酸化膜に改質する酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】特に、近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているＳｉＣやＧａＮを、加工効率が高く、且つ任意の形状に、比較的容易に加工できるようにする。
【解決手段】 液体１０中に被加工物１４と電極１６とを互いに対向させて配置し、被加工物１４と電極１６との間隙に酸素原子を含有する気体２０を供給しながら、被加工物１４と電極１６の間に高周波電圧を印加して、被加工物１４と電極１６との間隙に供給される気体２０にプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】処理対象膜において形状の乱れが少ない開口部を形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】被処理膜３７と、被処理膜３７の上に形成された複数の小幅のライン３８ａからなるフォトレジスト膜と、各ライン３８ａの間において露出する被処理膜３７及びライン３８ａを覆うＳｉ酸化膜４０とを有するウエハにおいて、Ｓｉ酸化膜４０にエッチングを施してフォトレジスト膜の各ライン３８ａと被処理膜３７を露出させ、露出したフォトレジスト膜を選択的に除去し、さらに、残存するＳｉ酸化膜４０（一対のライン４２ａ，４２ｂ）にエッチングを施す。 （もっと読む）

【課題】レジストをトリミングする工程において基板に付着した異物を確実に除去できることにより、残留した異物による半導体膜のエッチング不良を確実に防止することができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成するステップＳ１と、半導体膜上にレジストを形成するとともに、レジストを所定形状にパターニングするステップＳ２と、パターニングしたレジストを所定の大きさにトリミングするステップＳ３と、純水を用いて基板の洗浄を行うステップＳ４と、半導体膜をエッチングするステップＳ５と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦフォトレジストのダメージ（荒れ）を抑制しつつ、シリコンを含有する反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ）を高いエッチングレート及び十分な選択比でプラズマエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板に形成されたＡｒＦフォトレジスト１０３をマスクとして、ＡｒＦフォトレジスト１０３の下層に位置するＳｉを含有する反射防止膜１０２を、処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスとして、ＣＦ系ガス及び／又はＣＨＦ系ガスと、ＣＦ_３Ｉガスと、酸素ガスとを含む混合ガスを使用し、かつ、上部電極に直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】微細化したホール又はラインのパターンを、従来よりも容易に形成する製造方法を提供する。
【解決手段】被加工膜（２）上に第１のカーボン膜（３）と第１のＡＲＬ（４）を順次堆積し、第１のＡＲＬをパターニングする工程、第２のカーボン膜（６）と第２のＡＲＬ（７）を順次堆積し、第２のＡＲＬをパターニングする工程と、第２のＡＲＬをマスクとして第２のカーボン膜を除去する工程と、露出した第１のＡＲＬとをマスクとして、第１のカーボン膜を除去する工程と、残存している第１及び第２のカーボン膜をマスクとして被加工膜のエッチングを行う工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク層又は中間層に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材５０上にアモルファスカーボン膜５１、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２、フォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト膜５３は、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２の一部を露出させる開口部５４を有するウエハＷにおいて、ＣＨＦ_３ガスとＣＦ_３Ｉガスとの混合ガスから生成されたプラズマによって、フォトレジスト膜５３の開口部５４の開口幅を縮小させる開口幅縮小ステップと、開口部５４の底部のＳｉ−ＡＲＣ膜５２をエッチングするエッチングステップを１ステップとして行う。 （もっと読む）

【課題】基板に所望のプラズマ処理を適切に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１内部をプラズマ生成室１２及びウエハ処理室１３に仕切るイオントラップ１４と、プラズマ生成室１２内に配置される高周波アンテナ１５と、プラズマ生成室１２内に処理ガスを導入する処理ガス導入部１６と、ウエハ処理室１３内に配置されてウエハＷを載置し且つバイアス電圧が印加される載置台１７とを備え、イオントラップ１４は、プラズマ生成室１２からウエハ処理室１３へ向けて二重に配置された板状の上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１を有し、上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１のそれぞれは設置された導電体２０ａ，２１ａと該導電体２０ａ，２１ａの表面を覆う絶縁体からなる絶縁膜２０ｂ，２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】効率良く、局所的なプラズマ加工を行うことができるプラズマ加工装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ加工装置１００は、凸部２２を有し、被加工物６０を載置する載置台２０と、載置台２０の上方に形成された加工電極３０と、を含み、載置台２０は、電気的に導電性であり、凸部２２と加工電極３０との間にプラズマを発生させることにより、凸部２２の上方に位置する被加工物６０の表面６２をプラズマ加工する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上とホール内に形成したカーボンナノチューブを絶縁膜に損傷を与えることなく絶縁膜上から除去すること。
【解決手段】配線１５ａ上方に絶縁膜１７、１８を形成し、絶縁膜１７、１８をパターニングして配線１５ａに達するホール１７ａを形成し、ホール１７ａ内と絶縁膜１７、１８上面にカーボンナノチューブ２２を形成し、カーボンナノチューブ２２の層の上に第２絶縁膜２３を形成し、第２絶縁膜２３をエッチングすることによりカーボンナノチューブ２２を露出するとともに、カーボンナノチューブ２２の層の凹部に第２絶縁膜２３を残し、カーボンナノチューブ２２をエッチングしてカーボンナノチューブ２２の上端の位置を揃え、さらにカーボンナノチューブ２２上の第２絶縁膜２３をエッチングし、カーボンナノチューブ２２をエッチングして絶縁膜１７上面から除去するとともにホール１７ａ内に残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】剥離するのが困難な窒化チタン膜を二酸化ケイ素および窒化ケイ素被覆された表面から除去するのに用いることができる新規なエッチング剤を提供する。
【解決手段】半導体堆積チャンバーおよび半導体用具、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）における装置、およびイオン注入システムのための洗浄もしくはエッチングにおいて、例えばケイ素、モリブデン、タングステン、チタン、ジルコウム、ハフニウム、バナジウム、タンタル、ニオブ、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素およびそれらの混合物を、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ニッケル、アルミニウム、ＴｉＮｉ合金、フォトレジスト、リンケイ酸ガラス等およびそれらの混合物から、選択的に除去する場合に、Ｘｅをフッ素含有化学物質と反応させてＸｅＦ_２を形成しエッチング剤として用いる。 （もっと読む）