【課題】無機膜をマスクとして有機膜をエッチングする場合に、ボーイング等のエッチング形状不良を生じさせずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に、その表面がシリコン含有物からなる上部電極と、被処理基板が載置される下部電極とが配置され、上部電極と下部電極との間にプラズマを形成して被処理基板に対してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置を用い、無機膜をマスクとして被処理基板の有機膜をプラズマエッチングするにあたり、有機膜を途中までプラズマエッチングし、その後、プラズマを形成しつつ上部電極に負の直流電圧を印加して、エッチング部位の側壁に上部電極のシリコン含有物を含む保護膜を形成し、その後、プラズマエッチングを継続する。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング層の除去と凹凸構造の形成とを、ドライプロセスで行う手法を提供することで、半導体基板の汚染を防ぎ、かつ低コストで光発電体用の半導体基板を提供する。
【解決手段】ゲッタリング層を有する半導体基板を用意するステップと、前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップとを含む、光発電体用半導体基板の製造方法を提供する。エッチングガスは、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３，ＢｒＦ_５およびＮＦ_３からなる群から選ばれる一以上のガスを含むことが好ましく、さらに分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の第１面の表面処理を抑制又は防止しながら、第１面とは反対側の第２面を反応ガスにて表面処理する。
【解決手段】搬送手段２にて被処理基板９を搬送路３に沿って搬送し、反応室１０に搬入する。被処理基板９の第１面９ａを搬送路３と直交する方向の第１側に向け、かつ第２面９ｂを第２側に向ける。反応ガスを供給部３０の供給口３９から反応室１０に供給する。反応室１０内の搬送路３より第１側の第１室部１１のうち被処理基板９にて第２室部１２と隔てられた第１隔室部分１１ａに置換手段５０から不活性ガスからなる置換ガスを供給し、第１隔室部分１１ａのガスを置換ガスに置換する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置内の堆積物のリモートプラズマクリーニング法に用いられるクリーニングガスにおいて、地球温暖化係数が低く、かつ、高いエッチング速度が得られるクリーニングガス、及びそれを用いるリモートプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の反応チャンバー１内に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するクリーニングガスにおいて、該ガスはＣＦｘＯｙ［但し、ｘは２又は４であり、ｘ＝２のときｙ＝１〜３の整数、ｘ＝４のときｙ＝１〜４の整数を表す。］とＮ_２が含有されている混合ガスである。 （もっと読む）

【課題】部品の洗浄効率を向上することができる半導体製造装置の洗浄装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の洗浄装置１には、半導体製造装置の部品に付着した付着物の表面の酸化物を除去する酸化物除去部３と、酸化物除去部３により表面の酸化物が除去された付着物を除去する付着物除去部２と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置において、シリコンウエハに比べて厚いサファイア基板を下部電極などのウエハステージ上に、下部電極のウエハ載置面との間隙をサファイア基板の処理中の温度が均一になるようにして保持することを可能とする。
【解決手段】ウエハに対する処理を行うためのチャンバーのステージ上にウエハーを載置してウエハの処理を行うプラズマエッチング装置において、該ウエハーＷａを、該ウエハが該ステージとしての下部電極１２０ａ上に固定されるよう保持するウエハ保持部としてのクランプ部１１０と、該下部電極上に固定されたウエハーＷａの温度が均一に保持されるよう、該ウエハとの間で熱交換を行う熱交換部とを備え、該下部電極は、そのウエハ載置面の形状をサファイアウエハの反り特性に合わせた形状となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）１，３，３，３−テトラフルオロプロペンと、（Ｂ）Ｈ_２、Ｏ_２、ＣＯ、Ｏ_３、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＦ_３ＯＦ、ＣＯＦ_２、ＮＯ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２，Ｃ_２Ｈ_４，Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＮＯ、ＮＨ_３、及びＹＦｎ（式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ、又はＩを表し、ｎは整数を表し、１≦ｎ≦７である。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）不活性ガスを含むドライエッチング剤を提供する。
これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】 有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、エッチングガスとして、ＣＨ_２Ｆ_２を含有するガスまたはＣＨ_３Ｆを含有するガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢ
ＣＮ膜を成膜ことが特徴である。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、
プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有
するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供すること。
【解決手段】 有機アミノボロン系ガスを用いて窒化ホウ素炭素（ＢＣＮ）系絶縁膜を形
成する絶縁膜の製造方法。前記有機アミノボロン系ガスはトリスジメチルアミノボロンで
ある。比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の絶縁
膜。 （もっと読む）

【課題】プロセス開始時における処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができると共に、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理ガスで所定の処理を行う処理装置において、処理容器４２と、処理容器内を排気する真空ポンプ７０、７２と圧力制御弁６８とを有する排気系６４と、処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段９８と、ガス噴射手段へ流量制御しつつ処理ガスを供給するガス供給手段１００と、装置全体を制御する制御手段１１４とを備え、制御手段は、処理を開始する時に処理容器内の雰囲気を排気している状態で所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、規定流量の処理ガスを供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体からなるドリフト層と、半絶縁性ダイヤモンド層を有する構造保持材と、ダイヤモンド半導体からなるコンタクト層とを備えるダイヤモンド電子素子であって、前記構造保持材は、開口部を有し、前記ドリフト層の一方の面に積層されており、前記コンタクト層は、前記開口部内において、前記ドリフト層に直接積層されており、また、アノード電極は、前記開口部内の前記コンタクト層に設け、カソード電極は前記ドリフト層の他方の面に設けて、例えば、ショットキーバリアダイオードを実現する。単結晶ダイヤモンド基板の一方の基板面に欠陥層を形成した後、該基板面上に前記ドリフト層を成膜し、半絶縁性ダイヤモンド層を選択的に成長させて開口部を有する構造保持材を形成した後、前記基板はスマートカット法により素子部より分離する。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性の向上、製造効率の向上を実現する。
【解決手段】反射防止膜１５０などの被覆膜の上面において、パッド電極１１１Ｐの接続面の部分が開口し、その接続面以外の部分を被覆するように、レジストパターンＲＰを形成する。レジストパターンＲＰをマスクとして用いると共に、カーボン系無機膜３００をエッチングストッパー膜として用いて、その被覆膜についてエッチング処理を実施し、カーボン系無機膜３００の上面にて接続面に対応する面を露出させる。レジストパターンＲＰとカーボン系無機膜３００にて接続面に対応する部分とについてアッシング処理を実施し、両者を同時に除去する。 （もっと読む）

【課題】パターンの形状ラフネスを増加させることなく、パターンを転写することを可能にする。
【解決手段】基板上にハードマスクを形成する工程と、ハードマスク上にマスク補助材を形成する工程と、マスク補助材上に海島構造を有するジブロックコポリマー層を形成する工程と、ジブロックコポリマー層に前記海島構造の島部が凸部となる凹凸状構造のパターンを形成する工程と、ジブロックコポリマー層に形成されたパターンをマスクとしてマスク補助材およびハードマスクをエッチングし、ハードマスクにパターンを転写する工程と、を備え、マスク補助材はエッチング速度が、ハードマスクのエッチング速度より大きく、ジブロックコポリマーの海島構造の海の部分のエッチング速度より小さい材料である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを上昇でき、生産性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に交互に積層されたシリコン層とシリコン酸化膜とを備える多層膜に対して、一括してエッチングを行う工程を含み、前記エッチングの際のエッチングガスは、少なくとも２種類以上の第７族元素と、第３族元素，第４族元素，第５族元素，または第６族元素とを含有し、前記エッチング工程の際の前記半導体基板に入射するイオンのエネルギーは、１００ｅＶ以上であり、前記第７族元素に対する、前記第３族乃至前記７族元素の添加比率は、０．５以上３．０以下である。 （もっと読む）

【課題】粒界を避けた素子配置を容易に形成させることにより、実質的に単結晶基板上と同等に高性能の素子を効率的に製造でき、更に粒界に沿って分割することで容易に素子を製造できる、大型の多角形ダイヤモンド結晶粒が配列した高配向ダイヤモンド膜を提供する。
【解決手段】異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル基板と製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル基板は結晶性基板を備える。結晶性基板は微細な凹凸を備えるとともにパターニング不要のエピタキシャル表面を有する。本発明によるエピタキシャル基板は化合物半導体材料から、良好な品質のエピタキシャル層の成長を得るという利点を有する。さらに、本発明によるエピタキシャル基板の製造方法は低コストかつ製造時間短縮といった利点を有する。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる幅のパターンを同一層で形成するにあたり、パターン間の間隔の均一度を改善することができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】セル領域及びセレクトトランジスタ領域を含む下部膜上に補助膜を形成する段階と、前記セレクトトランジスタ領域の前記補助膜上部に第１保護膜を形成する段階と、前記セレクトトランジスタ領域の前記第１保護膜上部には、前記第１保護膜の幅より狭い第１フォトレジストパターンが、前記セル領域の前記補助膜上部には前記第１フォトレジストパターンの幅より狭い第２フォトレジストパターンが形成され、前記第１及び第２フォトレジストパターン間の間隔を前記第２フォトレジストパターン間の間隔と同一に形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理室内にパーティクルが発生するのを防止することができ、プラズマの分布を乱すのを防止することができ、排気コンダクタンスの調整幅を拡大することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容してプラズマエッチング処理を施す処理室１３と、該処理室１３と連通する排気室１４と、処理室１３及び排気室１４を仕切り且つ処理室１３内のプラズマが排気室１４内へ漏洩するのを防止する排気プレート１５と、排気室１４内に配される上部電極板２８とを備え、排気プレート１５は複数の貫通穴を有し、上部電極板２８も複数の貫通穴を有し、上部電極板２８は排気プレート１５と互いに平行に接触可能であるとともに、排気プレート１５から離間可能である。 （もっと読む）