【課題】ガラス基板の真空雰囲気で搬送する基板の搬送において、安定した基板の吸着を実現する。
【解決手段】ガラス基板５を加熱する基板加熱手段を備えた加熱室１と、加熱室１に開閉可能な機構を通して連接され、ガラス基板５を搬送する複数の静電チャックを備えた搬送室８と、搬送室８に開閉可能な機構を通して連接され、前記ガラス基板を処理する処理手段を備えた処理室１０と、加熱室１と搬送室８とを結び、ガラス基板５が所定温度に達した時に移送開始させる制御手段を備えた第１の移送手段４ｂ，４ｃと、搬送室８と処理室１０とを結ぶ第２の移送手段１４ａ，１４ｂを有し、複数の静電チャックは、各々の吸着面を加熱するチャック加熱手段と、吸着面が所定温度に達した時に吸着開始させる制御手段を備えた装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】エージング装置に適用でき，パレットをラックの棚に簡単に的確に入出庫させ，エージングの処理を高速化して適正な時間管理を容易にする自動倉庫を提供する。
【解決手段】棚６を備えたラックにスタッカクレーン２でパレット８を入出庫させるプッシュ・プル装置１０を備えている。プッシュ・プル装置１０は，パレット８を棚６への押し込み作動と棚６から引き出す作動とを行うプッシュ・プル爪１２，プッシュ・プル爪１２の往復移動を直動案内装置を介して往復移動させる駆動装置，及びプッシュ・プル爪１２をパレットへの係脱位置と解除位置とにチルトさせるリンク機構を有する。 （もっと読む）

基板を搬送及び保存する際に使用されるバネラッチを備えたヒンジ連結されたマスク−パッケージ用容器。同容器は、摺動可能なバネラッチにより固定されたベース及び蓋を有し、同バネラッチは、蓋をベースと合わせるべく押し下げた場合にレールに沿った摺動動作により容器の蓋を受承し、摺動動作により元の位置に戻すことにより蓋及びベースを固定する。容器はオーバーモールド工程により形成された一体ヒンジを使用しており、同オーバーモールド工程により、ヒンジが第一の鋳型中にて形成され、次に容器の蓋及びベースが形成されて、第二の鋳型中にてヒンジと結合される。
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【課題】ワックスを半導体ウェーハの裏面の全域に均一な形状でかつ均一な厚さで塗布することができる半導体ウェーハ接着方法およびその装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ接着装置１０のワックス塗布部１５でシリコンウェーハＷの裏面にワックスを塗布（Ｓ１０４）する直前に、プリベーク部１４において、シリコンウェーハＷを所定の温度までプリベーク（Ｓ１０３）し、シリコンウェーハＷの温度、ひいてはシリコンウェーハＷに塗布されるワックスの温度（粘度）を管理する。これにより、ワックスをシリコンウェーハＷの裏面全域に均一な形状で、しかも均一な厚さで塗布することができる。 （もっと読む）

【課題】基板などを支持体に固定化する際の貼り合わせ容易性、貼り合わせ精度および支持体剥離時の剥離容易性などを改善することができる基板の支持方法および該方法に用いられる支持体を提供する。
【解決手段】基板１を支持するために用いられ、表層部に微細なパターン構造３が形成されており、かつ、裏面から基板支持面までの厚みの面内バラツキが５μｍ以下である。また、基板１を支持するための固定化剤４が、表層部に均等に充填されている。さらに、支持体２表面の面積が基板１よりも大きく、かつ、支持体２外周部が基板１の厚みより高い形状であり、支持体２に基板１を填め込むんで固定化させる。 （もっと読む）

処理装置に対して効率的に基板を搬送する基板搬送システム。トンネルの内部側壁には、２本のレールが上下方向に平行に設けられている。
これら２本のレールは、それぞれ複数の基板搬送車を支持可能であり、基板搬送車は、モータの駆動によりレールに沿って自走する。これによりトンネルは、その内部に、基板を搬送する第１搬送路と、第１搬送路の上方で基板を搬送する第２搬送路とを有することになる。
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【課題】 板状ワークを載せない状態では、コンパクトに積み重ねて搬送できる枚葉搬送用トレイ、およびこのトレイを用いた搬送システムを提供する。板状ワークは、例えば液晶ディスプレイに用いられるガラス基板等である。
【解決手段】 板状ワークを載せるトレイ１に、互いに積み重ねる上方のトレイ１を載せる受け部として、高さの異なる２種類の受け部３，４を設ける。この枚葉搬送用トレイ１を使用する搬送システムは、板状ワークが載置されているトレイ１を高い方の受け部３に積み重ね、板状ワークが載置されていないトレイ１を低い方の受け部４に積み重ねて搬送するものとする。 （もっと読む）

本発明の熱処理治具によれば、搭載する円板形状を半導体ウェーハの直径の６０％以上からなり、その厚さは１．０ｍｍ以上、１０ｍｍ以下で、前記ウェーハと接触する面の表面粗さ（Ｒａ値）は０．１μｍ以上、１００μｍ以下とし、その平坦度を同心円方向および直径方向で規定することにより、または、前記の平坦度に替えて、多点の平面度測定により各領域での最大高さを測定し、求めた仮想平均値面との差が５０μｍ以下にすることにより、半導体ウェーハが熱処理治具と密着することによって発生するスリップを低減することができる。これにより、自重応力の大きい半導体ウェーハを熱処理する場合でも、スリップの発生を有効に防止でき、安定した半導体基板用の熱処理治具として広く適用できる。
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【課題】 底板がたわまないような軽量、高硬度の搬送体を提供する。
【解決手段】 搬送体１は、底板３および底板３上に設けられた枠板５からなっており、底板３には底板３を貫通する孔７が複数個設けられている。
底板３は、スチロール板９およびスチロール板９の上下に貼り付けられたＦＲＰ（Fiber Reinforced Plastics）板１１ａ、１１ｂからなる。
また、ＦＲＰ板１１ａ、１１ｂには樹脂シート１３ａ、１３ｂが貼り付けられ、スチロール板９、ＦＲＰ板１１ａ、１１ｂおよび樹脂シート１３ａ、１３ｂの側面には樹脂コート１５が塗布されている。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の前後の工程を簡単、安価に済ませることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング対象基板４、４’をドライエッチング装置１０、１０’を用いてドライエッチング処理するエッチング方法であり、基板４、４’を支持するための支持基板６及び弾性材料からなる放熱シート（放熱シリコーンゴムシート５、５’、導電性シリコーンゴムシート５０等）を準備し、放熱シート（５、５’、５０等）を基板４、４’と支持基板６との間に挟着して基板４、４’と支持基板６に密着させた積層体を形成し、該積層体を、装置１０、１０’における基板支持電極３にセットし、基板４、４’にドライエッチング処理を施す。 （もっと読む）

本発明の態様は、システム処理能力を高めるために１以上のバッチ基板処理チャンバ及び/又は単一基板処理チャンバ内で基板を処理するように適合されたマルチチャンバ処理システム（例えば、クラスタツール）を用いて基板を処理するための方法及び装置を含んでいる。一実施態様においては、システムは、処理能力を最適化するとともに処理欠陥を最少にするために、バッチ処理チャンバのみ、又はバッチ基板処理チャンバと単一基板処理チャンバを含む基板処理シーケンスを行うように構成されている。一実施態様においては、バッチ処理チャンバは、基板処理シーケンスにおいて他のプロセスレシピステップと比べて不釣合いに長いプロセスレシピステップを行うことによりシステム処理能力を高めるために用いられる。本発明の態様は、また、繰り返し可能なＡＬＤ堆積プロセス又はＣＶＤ堆積プロセスを行うことができるように処理チャンバに前駆物質を分配するための装置及び方法を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰ測定作業を自動で行うことができる転写マスク用ＩＰ測定装置を提供する。
【解決手段】転写用マスクとこれを保持するチャックとの２つを一体とした、あるは、前記２つとこれらを載置するためのアダプタとの３つを一体とした、一体部材８０の形態を維持しながら、全ての作業動作を行うもので、静電吸着用として、前記チャックへ所定の電圧を供給する電圧供給用の電源６０を設け、電源からチャックに電圧を供給する回路を、複数６１、６２、６３配し、各回路は、それぞれ、チャックが移動する全経路の一部で、チャックへの静電吸着用の電圧の供給を分担し、あわせて、全経路に渡り、チャックの静電吸着用の電圧を供給し続けるものである。 （もっと読む）

【課題】 検査対象となるワークを検査用ワーク収納部内に完全に収めることによりワー
クの破損およびワーク搬送収納装置の停止を防止すると共に，ワークを完全に収めた状態
を迅速に確認することが可能なワーク搬送収納装置，およびそのワーク搬送収納装置を備
えた切削装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係るワーク搬送収納装置は，複数のワークを収納する第１のワー
ク収納部１１０と，第１のワーク収納部１１０の上部または下部に配設された第２のワー
ク収納部１２０と，第１のワーク収納部１１０および第２のワーク収納部１２０を同時に
昇降する昇降手段１３０と，第１のワーク収納部１１０または第２のワーク収納部１２０
に略水平にワークを搬送するワーク搬送手段１４０，１５０と，第２のワーク収納部１２
０の搬入口から突出したワークを検知するワーク検知手段１７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）システムまたは物理蒸着（ＰＶＤ）システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチに関する。
【解決手段】この磁気ラッチは永久磁石を含み、この永久磁石は、基板ホルダを引きつけるために永久磁石がラッチを磁化するラッチ位置と、永久磁石がバイパス回路内で接続されてラッチの磁化が解除され、そのため、基板ホルダが解放される非ラッチ位置との間で移動可能である。 （もっと読む）

【課題】小ロットサイズのリソグラフィーベイを提供する。
【解決手段】小ロットサイズのリソグラフィーベイ３００は、（１）複数のリソグラフィーツール３１４〜３２８と、（２）小ロットサイズの基板キャリアをリソグラフィーツール３１４〜３２８へ搬送するように適応された小ロットサイズの搬送システム３３０とを備えている。各小ロットサイズの基板キャリアは、１３個より少数の基板を保持するように適応される。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】 ドラム型基板ホルダーの外周面に対して基板の取り付け、取り外しを、簡易な構成で容易に行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 ドラム型基板ホルダー５を水平方向の回転軸を回転中心にして成膜室内に水平状態で回転自在に支持し、基板１２を固定保持した基板固定治具１３をアームでドラム型基板ホルダー５の外周面上に水平に搬送することで、ドラム型基板ホルダー５の外周面の角部５ａに設けた固定装置１４で基板固定治具１３の端部１３ｂを固定することができる。 （もっと読む）

支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる熱処理装置を提供する。熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で複数枚の基板７２を複数段に支持する支持具３０とを有する。この支持具３０は、基板７２と接触する複数の支持板５８と、この複数の支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持板５８と支持片６６が厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される。 （もっと読む）

【解決手段】半導体ウエハは、複数の各ダイがパッケージされる前に、異なる複数の工程を通る。そのような複数の工程の複数の例の不完全なリストは、ウエハの裏面研磨、ウエハ裏面のメタライゼーション、ウエハのレーザおよびソーによるダイシング、検査、正常なダイのマーキング、ダイの取り出しおよびテープ上へのダイの配置である。ウエハは、工程中に機械的に支持される必要がある。また、ウエハは、製造工場（ＦＡＢ）またはパッケージング装置内の複数の工程のツール間での移送が必要とされる。半導体ウエハは、例えば、３００ミリメータの直径を有しており、例えば、７６２マイクロメータの厚さを有している。裏面研磨の後に、ウエハの厚さは、例えば、およそ５０からおよそ１００マイクロメータの範囲の厚さに減少する。そのような厚さを有するウエハは割れやすく、注意深い取り扱いが必要である。 （もっと読む）

ウェーハスケール処理、例えば、ダイヤモンドプレートの上に電子又は他の装置構造体を製造する時のウェーハスケール処理をするのに適したダイヤモンドプレートのタイル張り状配列体である。ダイヤモンドプレートを、支持層、好ましくは多結晶質ダイヤモンド支持層に固定し、それぞれの固定されたダイヤモンドプレートの主要表面の少なくとも一つが、更に処理するために露出された製造表面を定めるように、実質的に平面状の配列として固定する。支持層は裏打層でもよく、その場合、ダイヤモンド基体の主要面のただ一つだけが更に処理するため露出されており、或いは支持層は、両方の主要表面が更に処理するため露出されるように、それぞれのダイヤモンド基体の間に伸びていてもよい。 （もっと読む）