【課題】転写マスクが高い位置精度でマスクホルダーに収容された転写マスク収容体を提供する。
【解決手段】マスクホルダー３０は、転写マスク２０を収容するための凹状収容部３３と、該凹状収容部３３に形成された内部面３４とを有する。転写マスク２０は、開口パターン３が形成された薄膜２と、前記薄膜２を支持する、シリコンからなる支持枠１とを有し、前記薄膜２の端部５には、開口パターン３の形成と同時にエッチング加工された、マスクホルダー３０内における転写マスクの移動を規制するガイド面が形成されている。転写マスクのガイド面が、マスクホルダーの凹状収容部３３に形成された内部面３４と対向して、マスクホルダー３０に収容されている。 （もっと読む）

【課題】 より確実なピックアップが可能な半導体装置の製造装置、半導体装置のピックアップ方法、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 一方の面に複数のチップ２が貼着され、複数のチップ２を囲むようにウェハリング４が形成されているウェハシート３を他方の面側から複数のチップ２を囲むように支持するウェハ支持部材５と、ウェハリング４を保持しながらウェハ支持部材５との間で相対的に昇降可能に設けられたシート張設機構６と、シート張設機構６により張設されたウェハシート３上のチップ２をピックアップするピックアップ機構７とを含んで備える半導体装置の製造装置１であって、シート張設機構６は、ウェハリング４を保持する保持部材１２と、保持部材１２を支持する保持部材支持具１３とを有し、シート張設機構６とウェハ支持部材５との相対的な昇降動作は、トルク制御可能な駆動材構を制御することにより行われていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェハに関する製造中に、基板サポート板にウェハを貼り付ける工程を含む技術に関するものであり、重ね合わせ量の測定を容易に（簡易的に）行うことができる基板サポート板を提供する。より好ましくは、仮接着剤の回り込みを防止できる基板サポート板を提供する。
【解決手段】
本発明に係る基板サポート板１は、ウェハ１０が固着される主面に形成され、当該主面上におけるウェハ１０の配置位置限界を示す、重ね合わせ限界域マーク２を、備えている。 （もっと読む）

【課題】外寸が同じ基板保持具に観察試料として異なるサイズの基板が搭載される場合であっても、搭載される基板の違いにかかわらず、基板の未搭載や異常搭載を正確にセンサに検出させる。
【解決手段】ホールダ５０上の、ウェーハ２Ｓが正常に置かれる規定領域部分Ｐ以外の規定外領域部分Ｑに、異常搭載されたウェーハ２Ｓが乗り上げる傾き検出用ピン５１を立設配置し、異常搭載されたウェーハ２Ｓの姿勢状態を、ホールダ５０へのウェーハ２の異常搭載を検出するウェーハ傾きセンサ４７が検出可能な姿勢状態にする。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】塗布処理装置の塗布ノズル７０には、金属錯体と溶媒を供給する液供給装置７１が接続されている。液供給装置７１は、内部に金属錯体を貯留する金属供給源１００と、内部に溶媒を貯留する溶媒供給源１１０と、金属供給源１００と塗布ノズル７０とを接続する金属供給管１０４と、溶媒供給源１１０と塗布ノズル７０とを接続する溶媒供給管１１４と、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源１２０と、ガス供給源１２０と金属供給管１０４とを接続する第１のガス供給管１２１と、ガス供給源１２０と溶媒供給管１１４とを接続する第２のガス供給管１２３と、を有している。塗布処理装置の内部を減圧する前に、液供給装置７０から塗布ノズル７０へ不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性能の向上が図られた搬送装置を提供する。
【解決手段】基板４２を搬送する搬送ローラ１８を真空容器３１内に配置し、搬送ローラ１８と伝熱可能に固定された回転軸１６を真空容器３１内から真空容器３１外へ延在するように配置する。更に、真空容器３１の貫通孔３１ｆに配置された磁気シール２１によって、回転軸１６を回転可能に支持する。そして、回転軸１６内に、容器３１外から容器３１内にかけて軸線方向に延在する冷却用通路１７を形成し、当該通路に冷却媒体を流通させる。 （もっと読む）

【課題】吸着状態の誤判断を防ぐことができる吸着装置、当該吸着装置を備えた気相成長装置、および吸着方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、吸着部１６を構成する各吸着パッド（図示せず）には、流量センサ６６が接続されており、個々の流量センサ６６は、各吸着パッドとポンプ８２との間の空気の流量を測定する。また、全体用流量センサ６２は、吸着部１６とポンプ８２との間の空気の流量を測定する。制御部５４では、個々の流量センサ６６および全体用流量センサ６２の測定値に応じて、流量センサ６６の測定値の閾値を変更する。変更した閾値に基づいて、吸着部１６の吸着状態の判定を再度行うことによって、実際には基板トレイ３２を吸着しているにも拘らず、基板トレイ３２を吸着していないと誤判断されてしまうのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】塗布対象物に接着剤の塗布膜を所望する膜厚で形成する。
【解決手段】半導体装置の製造装置１は、塗布対象物Ｗの塗布面に紫外線を照射する照射部５と、照射部５により紫外線が照射された塗布面に接着剤を塗布する塗布部６とを備え、照射部により紫外線が照射された塗布面に接着剤を塗布する。また前記塗布対象物を支持するハンドを有し、前記ハンドにより前記塗布対象物を搬送する搬送部をさらに備え、前記照射部は、前記搬送部により移動する前記塗布対象物の前記塗布面に前記紫外線を照射する。前記照射部は、前記紫外線を発生させるランプと、前記ランプによって発生する前記紫外線の光量を検出する検出器と、前記検出器によって検出された前記紫外線の光量に基づいて前記塗布面に対する照射光量を設定値に維持するように調整する調整手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ウエハからサポートプレートを、より短時間で剥離する。
【解決手段】本発明に係る剥離装置は、ウエハ２と、接着剤層４を介してウエハ２に貼着されたサポートプレート３とを含む積層体１から、サポートプレート３を剥離する剥離装置１０であり、接着剤層４を溶解させる溶剤を積層体１に供給し、積層体１上において滞留させる溶剤供給チャンバ１１と、少なくとも溶剤を振動させる振動部１７と、積層体１に対して振動部１７を相対移動させる回転部１８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハなどの薄い紙状の対象物の正確な位置決めを行う。
【解決手段】半導体装置の製造装置１は、塗布対象物Ｗの中心をハンド３ａの中心に合わせるセンタリング部４ａを具備しており、センタリング部４ａは、塗布対象物Ｗを支持する支持台３１と、支持台３１上の塗布対象物Ｗを押して移動させ、支持台３１に対して位置決めされたハンド３ａの中心に塗布対象物Ｗの中心を合わせる複数の押圧部３２とを具備している。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】載置部４２には、パターンの形成された面を上面として、当該上面が液体により濡れた状態で被処理基板Ｗが横向きに載置され、基板搬送機構４１は、載置台４２からこの被処理基板Ｗを受け取って、液槽３２内の液体中に浸漬するにあたり、前記パターンの形成領域の上端が当該液体に接触した時点において、このパターン形成領域の上端の板面に液体が残るように当該被処理基板Ｗを縦向きの状態に変換してから液体に浸漬する。処理容器３１では、この液槽３２を内部に格納した状態で、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換することにより、被処理基板Ｗを乾燥する処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】基板移載時におけるトレイへの基板移載機構の精度が低い場合においても、トレイに対して基板を常に安定して保持させることができるようにし、基板搬送時のトレイからの基板のずれ、破損、脱落の発生を抑制すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、第一のトレイ106に基板102が搭載された際に与圧機構が基板102に圧力を与えて第一のトレイ106が基板102を保持した状態とし、この第一のトレイ106を第二のトレイ107に装着し、第二のトレイ107を斜めの姿勢にして搬送機構がプロセスチャンバー109に搬送する。プロセスチャンバー109では、減圧下でガスが導入され、基板102上に薄膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの搬送や裏面研削等の加工を施す際に、半導体ウエハを安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、半導体ウエハを破損することなく剥離することができ、厚み精度の高い半導体ウエハの処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウエハの処理方法は、厚みが３００〜１５００μｍであり、Ｎａイオンおよび／またはＫイオンによりイオン交換処理して化学強化された圧縮応力層を有し、３０度以上曲がる可撓性ガラス基板１上に、半導体ウエハ３を再剥離可能に固定する工程、半導体ウエハ３に処理を行う工程、半導体ウエハ３側を支持手段１１により固定する工程、および可撓性ガラス基板１を湾曲させて半導体ウエハ３から剥離する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 ハンドル、ペリクル固定部材、補強材などの機能部品をペリクル収納容器に取り付けた際でも、容器内部を清浄に保つことができるペリクル収納容器を得ることを課題とする。
【解決手段】 ペリクルを載置するペリクル収納容器本体２０と、ペリクルを被覆すると共にペリクル収納容器本体２０と周縁部で嵌め合い係止する蓋体からなるペリクル収納容器において、樹脂製の容器本体２０あるいは蓋体に、取っ手、ペリクルの固定部材、補強材のいずれかからなる機能部品がネジ締結手段により取り付けられているとともに、容器本体２０あるいは蓋体の内側にオスネジ及びメスネジの表面が露出していないペリクル収納容器である。 （もっと読む）

【課題】密着層から基板を容易に取り外すことができ、耐熱性を付与したり、構成の簡素化を図ることのできる基板用保持治具を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハＷと略同じ大きさの積層保持体２に薄い半導体ウェーハＷを保持させる基板用保持治具１で、積層保持体２を、剛性を有する複数の基材層３と、基材層３に着脱自在に積層されて半導体ウェーハＷに密着可能な複数の自己密着層４とから積層構造に形成し、積層保持体２の表面に自己密着層４を位置させ、積層保持体２の裏面には基材層３を位置させる。また、複数の基材層３と自己密着層４とに可撓性と耐熱性とをそれぞれ付与する。積層保持体２が複数の基材層３と自己密着層４の多層化により十分な抗張力を有するので、半導体ウェーハＷのハンドリングや搬送の便宜を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャルウェーハ裏面への傷、接触痕を防止でき、且つ高温処理において変形が起こりにくい気相成長装置用サセプタ及び該サセプタを用いた気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置用サセプタは、SiCを基材とするサセプタの表面全面又は少なくともウェーハ支持部を、ガラス状カーボンで被覆したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の各液処理ユニットに処理液を供給するときに、流量の精度を落とすことなく流量制御機構をまとめることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理液が流れる供給流路６８ａと、供給流路６８ａに処理液を供給する処理液供給部７０と、供給流路６８ａ上に設けられ、供給流路６８ａの流量を制御する流量制御機構１３１と、流量制御機構１３１の下流側に接続される第１の経路６８ｃ又は第１の経路６８ｃと平行に接続される第２の経路６８ｄに切り替える切替機構１３５とを有する。流量制御機構１３１は、供給流路６８ａの流量を計測する流量計測部１３２と、内部に開閉可能な弁を備えた流量制御弁１３３と、流量設定値ＦＳと流量計測値ＦＭとが等しくなるように、流量制御弁１３３を制御する流量制御部１３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送に用いる基板トレイ上に基板を平面度良く載置する。
【解決手段】複数の第１支持ピン６２上に載置された基板Ｐは、複数の第２支持ピン６３によりその下面が押圧されることにより、その撓みが抑制される。そして、撓みの抑制された基板Ｐが、基板トレイ９０上に載置されるので、基板を基板トレイ９０上に基板を平面度良く載置できる。基板Ｐは，基板Ｐの端部を下方から支持する基板搬送ロボットにより複数の第１支持ピン６２上に載置されるために、複数の第１支持ピン６２は、基板Ｐの端部を支持することができず、基板Ｐは、複数の第１支持ピン６２に載置された状態で、その端部が自重により垂れ下がっているが、複数の第２支持ピン６３によりその垂れ下がりが抑制される。 （もっと読む）

【課題】ワークに熱的、加圧的な物理的ダメージを与えることなく、剥離用テープを、ワーク上の剥離対象の貼付け部材に確実に取り付けることができ、貼付け部材のスムーズな剥離を保証する。
【解決手段】ワークホルダーにセットされたワーク４０の一端近くの上方で、短冊状の剥離用テープ３０をテープ把持機構６により吊持した状態で、テープ３０に横からのエア吹付けを行い、テープ３０を、その接着面をワーク４０の上面に位置する貼付け部材４１と対面するようにほぼ横向きにし、この状態で、テープ把持機構６を上下方向移動機構１０によりワークに対して相対的に下向きに移動させて、剥離用テープ３０を貼付け部材４１に接着することが可能な位置に位置付ける。ついで、横からのエア吹付けを停止して、テープ３０に下向きのエア吹付けを行い、この下向きのエア吹付けによりテープ３０を貼付け部材に押し付けて接着する。その後、テープ把持機構６ひいてはテープ３０をワーク上面に沿って移動させて貼付け部材４１を引き剥がす。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体の搬送方法を提供すること。
【解決手段】 複数のロードロック室４１ａ、４１ｂを、被処理体Ｗを複数収容可能に構成し、ロードロック室４１ａ、４１ｂに、処理前の第１の被処理体を搬入し、搬送装置３３を用いて複数の処理室３２ａ、３２ｂから搬送室３１に対し、処理済の第２の被処理体を同時に搬出し、搬送室３１からロードロック室４１ａ、４１ｂに対し、処理済の第２の被処理体を同時に搬入し、搬送装置３３を用いてロードロック室４１ａ、４１ｂから搬送室３１に対し、処理前の第１の被処理体を同時に搬出し、搬送室３１から処理室３２ａ、３２ｂに対し、処理前の第１の被処理体を同時に搬入する。 （もっと読む）