【課題】基板のずれや落下を防止すると共に、露光装置のスループットの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】レチクルのパターンを基板に転写する露光装置であって、前記基板の下面を吸着して保持しながら前記基板を搬送する搬送部と、前記搬送部によって前記基板を鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも小さくなるように、前記搬送部の搬送条件を制御する制御部と、を有することを特徴とする露光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】モジュールとの間で基板を受け渡す速度を高めて、スループットの向上を図ることができる基板搬送装置を提供すること。
【解決手段】平面レイアウトで見て直線状の搬送路に沿って互いに離間する第１のモジュール及び第２のモジュールの間で基板を搬送し、前記第２のモジュールは前記搬送路の延長線上に位置する基板搬送装置において、前記搬送路に沿って移動する移動基体と、この移動基体に少なくとも進退自在に設けられ、基板を保持するための保持体と、前記第２のモジュールとの間で基板の受け渡しを行うために前記移動基体が当該第２のモジュールに向かって搬送路に沿って移動するときに、当該移動と保持体の前進動作とを同時に行うように制御信号を出力する制御部と、を備えるように基板搬送装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】処理ブロックにて処理済みの基板をキャリアへ搬送する搬送手段を備えた基板処理装置において、前記搬送手段の搬送工程数の上昇を抑えてスループットを向上させること。
【解決手段】処理ブロックから基板を搬出するための第２の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアがキャリア載置部に載置されていない場合には、第２の受け渡しモジュールの基板をバッファモジュールに搬送し、第２の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されている場合には、バッファモジュールにてそのキャリアに搬送される基板の有無にかかわらず、第２の受け渡しモジュールにある基板を前記キャリアに搬送することで、キャリアとバッファモジュールと第２の受け渡しモジュールとの間で基板を搬送する搬送手段の搬送工程数を抑え、スループットの低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】キャリアから処理ブロックに基板を搬送する搬送手段を備えた基板処理装置において、前記搬送手段の搬送工程数の上昇を抑えてスループットを向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理ブロックに基板を搬入するための第１の受け渡しモジュールに基板を搬送できるときにはバッファモジュールを介さずにキャリアから第１の受け渡しモジュールへ基板を前記搬送順で搬送し、前記キャリアから基板をその第１の受け渡しモジュールに搬送できないときに、前記搬送順とは逆順でキャリアからバッファモジュールに基板を搬送し、前記バッファモジュールに搬送された基板を、その基板に先行して前記第１の受け渡しモジュールに搬送されるように設定された基板が全て当該第１の受け渡しモジュールに搬送された後に、前記搬送順で第１の受け渡しモジュールに搬送するように搬送手段の動作が制御される。 （もっと読む）

一実施形態において、物品を搬送する搬送ローラは、軸と、軸上のコイルを含む。コイルは可撓性中央部と、可撓性中央部の２つの対向する側部において軸に取り付ける第１端部及び第２端部を含む。 （もっと読む）

複数のシリコンウェーハーを積み重ねるための装置は、複数のシリコンウェーハーを保持するための直立マシンキャリヤを有し、シリコンウェーハーはマシンキャリヤにおいて水平に配置される。装置は、いくつかのシリコンウェーハーを導入するための３台の同一なローディングカセットを有する。マシンキャリヤはまた、ローディングカセット用の保持装置を有し、ローディングカセットは、シリコンウェーハーを積み重ね状態で積載するための下方支持表面と、下方支持表面に実質的に直角に伸びる後部面を有する。ローディングカセットは、後部面に対向する側と上部側が自由にアクセス可能なように設計されている。
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【課題】質量体駆動源の応答遅れ及び推力変動によって起こるステージ駆動反力漏れを抑制するステージ装置を提供する。
【解決手段】本発明のステージ装置は、ステージと、前記ステージを支持する定盤と、前記ステージを駆動する駆動手段と、前記ステージの駆動に伴い前記定盤に作用する力を相殺するように力を前記定盤に作用させる力発生機構とを有するステージ装置であって、前記力発生機構は、第１力発生機構と第２力発生機構とを含み、前記第２力発生機構は、前記ステージの駆動に伴い前記定盤に作用する力と前記第１力発生機構によって前記定盤に作用させる力との差分に基づいて、前記定盤に力を作用させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 各処理ユニットの配置に基づいた搬送順に制限されることなく、所望の処理順で基板を処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理部２０は、複数の処理ユニットＵ１〜Ｕ３を有している。各処理ユニットＵ１〜Ｕ３間の基板搬送としては、平流し方式が採用されており、基板は、各処理ユニットＵ１〜Ｕ３の配置に基づいた搬送順で、各処理ユニットＵ１〜Ｕ３に受け渡される。メインコントローラは、各処理ユニットＵ１〜Ｕ３に対し、少なくとも処理ユニットＵ２による処理を含む一連の第１基板処理を実行させる。続いて、メインコントローラは、各処理ユニットＵ１〜Ｕ３に対し、少なくとも処理ユニットＵ１による処理を含む一連の第２基板処理を実行させる。 （もっと読む）

一時的なウェハーボンディングのための改善された装置が一時的なボンダークラスター及びデボンダークラスターを備える。一時的なボンダークラスターは、接着剤層によるボンディング、接着剤層とリリース層との組み合わせによるボンディング及びＵＶ光硬化性接着剤層とレーザー吸収リリース層との組み合わせによるボンディングを含む電子ウェハーボンディング工程を行う一時的なボンダーモジュールを備える。デボンダークラスターは、熱摺動デボンダー、機械的デボンダー及び照射デボンダーを備える。 （もっと読む）

【課題】基板との接触による摩耗及び基板を介した薬品による腐食によって基板を正常に支持できなくなることを防ぐことができる基板支持装置を提供すること。
【解決手段】基板の裏面を支持する裏面支持部を備えた支持部材と、この支持部材に設けられ、前記裏面支持部に支持された基板の側面を囲み、基板の位置を規制する位置規制部と、を備え、前記裏面支持部及び前記位置規制部のうち少なくとも一方は、基材と、この基材を被覆し、その摩耗及び化学的浸食のうち少なくとも一方を防ぐための保護膜と、からなる基板指示装置を構成する。この基板支持装置は、例えば前記支持部材を支持する基体と、前記基体に対して支持部材を移動させるための駆動機構と、をさらに備え、基板搬送装置として構成される。また前記支持部材は、例えば基板を加熱または冷却するための温度調整板として構成される。 （もっと読む）

【課題】ロットの追い越し配置を可能にして処理効率を向上させることができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】計画開始位置ＰＳＰ１〜ＰＳＰ３から、レシピに基づいて各ブロックを配置する。基板待機部ＣＷＳを使用するブロックＢから次のブロックＣまでの間に待機時間が生じる場合には、第２のロットの計画開始位置ＰＳＰ２を時間的に後にずらした調整計画開始位置ＭＳＰ２を求める。制御部は、調整計画開始位置ＭＳＰ２を含む計画開始位置ＰＳＰ１，３の時間的に早いロットの順に、ブロックの配置を開始する。これにより、計画開始位置ＰＳＰ３のままの短時間の処理を行うレシピを採用した第３のロットを、調整計画開始位置ＭＳＰ２の第２のロットよりも時間的に前に配置してスケジュールする追い越しができ、基板処理装置における処理効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】基板載置部を備えた基板保持部材に基板を載置して吸着保持するにあたって、基板との摺動による基板載置部の劣化を抑えることのできる基板保持部材を提供すること。また、基板載置部上の基板の表面に対して上方側から処理液を供給して液処理を行う場合には、処理液による基板載置部の劣化を抑えること。
【解決手段】テーブル１１を構成する樹脂内にその端部がテーブル１１の表面から外側に突き出るように成形されたカーボンファイバー２４が埋設されるように、少なくともウェハＷを吸着保持する保持面を覆うようにダイヤモンドライクカーボン膜２５を成膜する。また、テーブル１１上に吸着保持したウェハＷの表面に処理液を供給して液処理を行う場合には、ウェハＷの表面と連通するテーブル１１の側周面及び裏面にフッ素を含むダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送や、基板の回転を確実に行うことができる基板保持機構、およびこの基板保持機構を備える基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持して回転させるスピンチャックを備えている。スピンチャックは、開位置と閉位置との間で変位可能であり、開位置と閉位置との間の当接位置で基板の周端面に当接して当該基板を保持するための可動ピンと、可動ピンの変位量に応じた変位量で可動ピンと連動し、開位置および閉位置にそれぞれ対応する開検知位置および閉検知位置の間で変位する磁石６２と、開検知位置と閉検知位置との間における磁石６２の位置に応じて変化する磁界を検知するセンサ６４と、センサ６４の検出値に基づいて、開位置と閉位置との間における可動ピンの位置を検出する制御部６３とを含む。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図ることができる、基板処理装置および基板受渡方法を提供する。
【解決手段】ハンド９の上下面に、それぞれウエハＷを保持するための４つの支持突起２３および４つの挟持部材２４が備えられている。そのため、次の４つの動作ステップ１〜４で、ハンド９によるスピンチャックに対するウエハＷの受け取りおよび受け渡しが達成される。
１．４つの支持突起２３にウエハＷが保持されている状態で、ハンド９がスピンチャックと対向する位置に進出される。
２．スピンチャックに支持されているウエハＷが４つの挟持部材２４により保持されて、スピンチャックから４つの挟持部材２４にウエハＷが受け取られる。
３．４つの挟持部材２４によるウエハＷの受け取りに前後して、４つの支持突起２３からスピンチャックにウエハＷが受け渡される。
４．ハンドがスピンチャックと対向する位置から退避される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被処理物の搬送情報と、処理室の使用状況に関する情報と、に基づいて被処理物が収納された処理容器を選択的にポート部に供給することで、処理室の使用効率を向上させることができる被処理物の処理方法、処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】搬送情報に基づいて、ポート部に載置された収納容器から被処理物を所定の処理室へ搬送し、前記処理室において前記被処理物の処理を行う被処理物の処理方法であって、前記搬送情報は、前記被処理物ごと、または前記処理容器ごとに予め定められており、前記搬送情報と、前記処理室の使用状況に関する情報と、に基づいて、前記被処理物が収納された収納容器を選択的に前記ポート部に供給すること、を特徴とする被処理物の処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シャトルユニットなどの搬送ロボットと対向する部分のメンテナンス作業がしやすい、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１では、フレーム１４内に、ウエハＷを搬送するシャトルユニット１７が設けられている。シャトルユニット１７のシャトル本体１９を支持する土台１８は、固定用ボルト４６により、フレーム１４に対して第１位置で固定される。一方、固定用ボルト４６による土台１８の固定が解除された状態では、スライド機構４１により、シャトル本体１９を土台１８ごと第１位置から第２位置へスライドさせることができる。 （もっと読む）

【課題】大型化を抑制しつつ、安定して基板を処理することができる基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法を提供する。
【解決手段】２つの真空処理ユニットＶＵのうちの一方の真空処理ユニットＶＵに基板Ｗが搬入されると、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６３の第１制御バルブ６１ｖが開く。そして、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が大気圧から減圧される。続いて、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６４の第２制御バルブ６２ｖが開いた後、開状態の第１制御バルブ６１ｖが閉じる。これにより、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨが、高真空ポンプ６２によりさらに減圧される。低真空ポンプ６１および高真空ポンプ６２により減圧されたチャンバＣＨ内で基板Ｗに処理が行われる。１つの真空処理ユニットＶＵに接続された複数の真空処理ユニットＶＵには異なるタイミングで基板が搬入される。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を搬送するための搬送ユニットを処理槽内に容易かつ精度よく設置することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽１は、矩形状の下部フレーム２の四隅部に下端部が連結されて立設された支柱部材４と、支柱部材の上端部に四隅部が連結されて設けられた上部フレーム３と、支柱部材の高さ寸法に対応する間隔で上下方向に離間した下部フレームと上部フレームとがなす４つの側面に設けられ所定方向に位置する一対の側面の一方に上記基板の搬入口が形成され他方に上記基板の搬出口が形成された側壁部材１１と、下部フレームに所定間隔で架設されそれぞれの上面に第１の基準面１８が形成された複数の連結部材９と、第１の基準面を基準にして取付けられ搬入口から内部に搬入された基板を搬出口に向かって搬送する搬送ユニット２９と、下部フレームの開口部分を閉塞する底部材２１ａ，２１ｂと、上部フレームの開口部分を閉塞する天井部材２５によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面の汚染に起因するパターン不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に膜が形成される前に、密着強化ユニットＡＨＬにより基板Ｗの密着強化処理が行われる。密着強化ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗが基板載置プレート９３１上に載置される。この状態で、基板Ｗの裏面は複数の球体ＰＵおよび環状部材９３５により支持される。基板Ｗの裏面の周縁部は環状部材９３５に当接する。基板Ｗの裏面と基板載置プレート９３１の上面との間に隙間空間ＢＳが形成される。基板Ｗの表面に密着強化剤が供給される際には、第１の排気装置９９０により隙間空間ＢＳの内部の雰囲気が排気され、隙間空間ＢＳの外周部が環状部材９３５により閉塞される。密着強化処理後の基板Ｗの表面には膜が形成される。その後、基板Ｗの裏面が洗浄される。裏面が洗浄された基板Ｗは露光装置へ搬送される。 （もっと読む）

【課題】静電チャックからウェハを安全、最適に静電チャック表面から分離するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】リフトピン機構２１０に用いるモータ２０８の電流をコントローラ２０４によりモニタし、その電流値に基づいてデチャック電圧を決定する。決定されたデチャック電圧を、電圧源２１２から静電チャック２１６の電極に印加して、ウェハをデチャックする。 （もっと読む）