【課題】装置寸法の増加を抑制しつつも、収納器の収容数を増やして装置の高スループットを生かすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理ユニット１１と収納器収容・搬送ユニット７との間に収納器収容ユニット９を備え、搬送ロボット１９によりロードポート５と棚配列３３との間の搬送を行う。搬送ロボット３１により、棚配列３３と棚配列６９と載置部２７との間における搬送とを行う。ロードポート５と棚配列３３との間の搬送と、棚配列６９と、棚配列３３と、載置部２７との間の搬送とをほぼ並行できる。よって、ＦＯＵＰ３の搬送効率を向上させて、スループットを向上できる。その上、収納器収容・搬送ユニット７と基板処理ユニット１１との間に収納器収容ユニット９を配置するだけであり、装置寸法の増加を抑制でき、ＦＯＵＰ３の収容数を増やして装置の高スループットを生かすことができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハへの成膜に悪影響を及ぼすことを抑えることが可能なクランプリングを提供する。
【解決手段】ウエハ１００を下部電極に固定するためのクランプリング６１は、クランプリング６１におけるウエハ１００と接触しない側の表面６３には、複数の凹部６４が設けられており、クランプリング６１の内側における円周方向の凹部６４の間隔Ｘ１は、クランプリング６１の外側における円周方向の間隔Ｘ２と比べて同等である。 （もっと読む）

【課題】塗布膜に形成されるムラの発生を抑えるとともに、タクトタイムを短縮できる塗布装置および塗布方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に吐出装置３aから塗布液を吐出し、塗布後に塗布基板を乾燥装置５に浮上搬送機構６により搬送する塗布装置１であって、前記浮上搬送機構は振動浮上機構４２を有し、搬送工程において基板上に塗布された塗布膜を前記振動浮上搬送機構により基板に生じる振動により引き起こされるレベリング効果より塗布膜に生じる塗布ムラを解消する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示素子用ガラス基板は帯電しやすく、ガラス基板上に形成される薄膜トランジスタが破壊される等の不具合が生じていた。従来から、イオン化された気体をガラス基板に吹き付けて除電する技術は知られていたが、イオンの極性の時間的変化が早いとイオンが再結合で減少し、時間的変化が遅いとイオンのムラが生じるという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる基板処理装置は、ステージ内にあって基板をリフトアップさせるリフトピンと、発生するイオンの極性が時間的に切り替わるイオナイザと、該イオンの極性の切り替わる周波数を変更できる周波数制御部と、該周波数制御部に信号を送り、かつ、上記リフトピンの昇降動作を制御するリフトアップ制御部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に非接触で基板を搬送し、基板を高速かつ安定的に移動させながら、基板の汚染やローラー痕の生成なく、基板の上下両面又は下面のみに処理を行う、非接触浮上搬送機能を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板の上面と下面の両方又は下面のみに、水による洗浄処理、薬液による化学的処理、水によるリンス処理又は空気、窒素ガスといった気体による乾燥処理のいずれかの処理を行う、複数の基板処理ユニット７、８、９を備えてなる基板処理装置が、基板１の下面に向かって水、薬液、空気、窒素ガスといった流体を噴出して、基板１を浮上させ、基板１の下面に非接触でその位置を保持する、複数配置された基板浮上ユニット１０と、基板１の左右両側のエッジ部に水平方向から接触して、基板１を移動させる複数配置された搬送ローラー１２を有する基板搬送ユニットと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】吸着物の表面に対し周辺部が相対的に湾曲しているシート状被吸着物であっても、その全体を吸着パッドの表面に沿って確実に位置決め保持する真空チャックを提供する。
【解決手段】シート状被吸着物の周辺部を位置決め保持する吸着パッドの表面の部位に吸気領域ＶＥを設定し、吸気領域の単位面積あたりのコンダクタンスＣｎ１を、吸気領域を除く吸着パッドの表面の単位面積あたりのコンダクタンスＣｎ２より大きくすることにより、周辺部が吸着パッドの表面から離れていても、吸気領域ＶＥを通過する通気量を増加いさせて表面への吸着力を増加させる。 （もっと読む）

【課題】基板の一面に樹脂層を配し、この樹脂層を硬化させた後に生じる、又は基板の一面に導体層を形成した後に生じる、基板の反りを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一面Ｗａに樹脂層Ｒ１が配された、ウエハ状の半導体からなる基板Ｗを、一面Ｗａの全域が球面状に膨出するように、反らせて保持する第一工程と、前記第一工程の後に、樹脂層Ｒ１を硬化させる第二工程と、を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置のスループットを向上させつつ、基板に処理液の濡れ残りが発生するのを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】裏面処理部において、基板Ｗに処理液を供給して洗浄処理を行った後に乾燥処理を行う。その後、メイン搬送ロボットにより裏面処理部から第２反転ユニットの上方に配置された第１反転ユニット２３へ基板Ｗを搬送する。この第１反転ユニット２３では、基板Ｗを裏面から表面へ反転させている際にフィルターファンユニット５２からのダウンフローが開始されるとともに、反転機構の上下に配置された加熱装置５０が基板Ｗへの加熱処理を行う。基板Ｗの反転動作及び乾燥処理が終了すると、メイン搬送ロボットは第１反転ユニット２３から基板Ｗを搬出する。 （もっと読む）

【課題】基板から飛散した処理液が基板へ再付着することを防止できる基板液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板液処理装置１０は、基板保持台１２に保持されて回転する基板Ｗから飛散した処理液を案内する案内回転カップ２１と、案内回転カップ２１により案内された処理液を下方へ案内する案内カップ３１と、を備えている。案内カップ３１は、案内カップ本体３２の内周端部３２ａから下方に延びる下方延長部３３と、この内周端部３２ａから下方延長部３３より内周側に延び、案内回転カップ２１および下方延長部３３と共に案内回転カップ２１が回転することにより旋回する気体を下方へ案内する気体案内空間３５を形成する内周側延長部３４とを有している。 （もっと読む）

【解決課題】バックリンス操作のときに、バックリンス液で、支持基材の半導体ウェハ仮固定面側の仮固定樹脂組成物又は半導体ウェハの加工面とは反対側の面側の仮固定樹脂組成物が除去されることがない半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持基材を回転させながら、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該支持基材を回転させながら、該支持基材の裏面に、下記式（Ｉ）：０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５（Ｉ）（式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）を満たすバックリンス液を供給して、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に、仮固定剤を用いて優れた密着性をもって薄膜を形成して、これにより、この薄膜を均一な膜厚を有するものとし、その結果、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、仮固定剤を支持基材１の一方の面にスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２を形成する第１の工程と、犠牲層２を介して、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる第２の工程と、半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面を加工する第３の工程と、犠牲層２を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる第４の工程とを有し、支持基材１は、その仮固定剤に対する親和性が、機能面３１の仮固定剤に対する親和性とほぼ等しくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】フェイルセーフ機構等の作動により動作が停止した場合であっても、基板上の現像液を除去することが可能な現像装置およびこれを備える塗布現像処理システムを提供する。
【解決手段】開示される現像装置は、基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送される前記基板に現像液を供給する現像液供給部と、前記現像液供給部に対し、前記搬送機構により搬送される前記基板の搬送方向の下流側に設けられ、前記現像液が供給されて表面が前記現像液で覆われた前記基板が前記搬送機構により搬送される現像領域と、前記現像領域において、前記搬送機構が停止したときに前記現像領域に在る前記基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】気流制御を通して基板を均一に加熱することが可能な加熱処理装置およびこれを備える塗布現像装置を提供する。
【解決手段】基板を収容可能で、前記基板Ｓが通過する第１の搬入口６２Ｉおよび第１の搬出口６２Ｏを有する筐体と、前記第１の搬入口６２Ｉから前記第１の搬出口６２Ｏへ向かう方向に前記基板Ｓを搬送する第１の搬送機構と、前記第１の搬送機構により前記筐体内を搬送される前記基板Ｓを加熱するヒータ７２と、前記筐体に設けられる排気口であって前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏから前記排気口に至る気流を形成可能な当該排気口と、前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏの一方または双方に臨んで設けられ、吸気により前記気流を調整する当該吸気口とを備える加熱処理装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】露光された感光性樹脂材料の発泡現象を抑制できる基板処理システム及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１は、洗浄装置２１、レジスト塗布装置２２、周辺露光装置２３、基板搬送機構３０及びシステムコントローラ１０を備える。システムコントローラ１０は、レジスト塗布装置２２でレジスト膜が形成された時から、周辺露光装置２３による露光工程が開始されるまでの基板Ｗの待ち時間を監視する待ち時間監視部１０Ｂと、待ち時間が制限時間を超えたとき、基板搬送機構３０に基板Ｗを洗浄装置２１に搬送させるプロセス制御部１０Ａとを有する。プロセス制御部１０Ａは、洗浄装置２１によりレジスト膜が除去された基板Ｗをレジスト塗布装置２２に搬送させる。 （もっと読む）

【課題】材料の遅延時間を監視することで、次工程での材料処理のスケジュールを調整可能にする基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置１００と、前記基板処理装置１００の少なくとも一台に接続される管理装置１０を含む基板処理システムであって、基板処理装置１００は、少なくとも基板処理の遅延許容時間を設定する操作画面を有し、材料処理の遅延時間を監視する遅延時間監視処理プログラムを実行して、前記基板処理装置１００における材料処理の遅延時間が遅延許容時間を超えた場合に警告を発すると共に管理装置１０に通知される。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、かつ装置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さくすることができ、かつ処理の自由度が高い、複数の処理ユニットを備えた処理装置を提供すること。
【解決手段】所定の方向Ｘの一方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第１処理系統Ａと、第１処理系統Ａに対して所定の方向Ｘと直交する方向Ｙに空間４０を設けた状態で配置され、所定の方向Ｘの他方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第２処理系統Ｂと、空間４０に配置され、水平支持される被処理基板を受け取り載置する載置部４１と、第１処理系統Ａの他方側の上流側処理ユニット２２、２１、３１と、一方側の下流側処理ユニット３２、２３との間に配置され、上流側処理ユニット２２、２１、３１から載置部４１へ、および載置部４１から下流側処理ユニット３２、２３へ被処理基板を搬送する搬送装置３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】回転する被処理基板の下面側に供給された処理液の上面側への回り込みを効果的に抑制できる液処理装置を提供する。
【解決手段】回転基体２１は、被処理基板Ｗを水平に保持した状態で回転させ、処理液供給部２４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に処理液が供給される。囲み部材３は回転する被処理基板Ｗを囲むように設けられ、振り切られた処理液をその下面にてガイドし、当該囲み部材３の下面側に、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部３２は、被処理被処理基板Ｗの周縁部に到達した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、その上面側への処理液の回り込みを抑える。 （もっと読む）

【課題】マルチモジュールを構成するモジュールが使用不可モジュールとなったときにおいて、スループットの低下を抑えること。
【解決手段】使用不可モジュールが発生した後は、複数の単位ブロックにおいて最も早く載置可能になった搬入モジュールに基板を払い出し、前記複数の単位ブロックの夫々においては、基板が搬入モジュールに払い出された順番に沿って、搬送手段により基板をモジュール群に順次搬送して搬出モジュールに受け渡す。
そして、基板が搬入モジュールに払い出された順番に沿って、基板を搬出モジュールから取り出し、後段モジュール又は基板載置部に搬送する。この後、通常時に基板が搬入モジュールに払い出される一定の順番に沿って、搬出モジュール又は基板載置部から後段モジュールに基板を搬送する。 （もっと読む）

【課題】転写マスクが高い位置精度でマスクホルダーに収容された転写マスク収容体を提供する。
【解決手段】マスクホルダー３０は、転写マスク２０を収容するための凹状収容部３３と、該凹状収容部３３に形成された内部面３４とを有する。転写マスク２０は、開口パターン３が形成された薄膜２と、前記薄膜２を支持する、シリコンからなる支持枠１とを有し、前記薄膜２の端部５には、開口パターン３の形成と同時にエッチング加工された、マスクホルダー３０内における転写マスクの移動を規制するガイド面が形成されている。転写マスクのガイド面が、マスクホルダーの凹状収容部３３に形成された内部面３４と対向して、マスクホルダー３０に収容されている。 （もっと読む）

【課題】処理液消費量の低減を実現できるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ノズル３の対向面２３には吐出口２６が形成されている。対向面２３を、水平姿勢のウエハＷ表面に微小間隔Ｓを隔てて対向配置させる。ウエハＷの回転開始後、ウエハＷ表面の対向領域Ａ１と対向面２３との間の空間にＤＩＷを供給し、当該空間を液密状態とするとともにＤＩＷの供給を停止して、当該空間にＤＩＷの液溜まりＤＬを形成する。液溜まりＤＬの形成後、吐出口２６からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの表面にＤＩＷの液膜が形成された後、吐出口２６からＤＩＷに代えて薬液が吐出される。ウエハＷの表面を覆う液膜が、ＤＩＷから薬液へと置換される。 （もっと読む）