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Fターム[5F031MA24]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理装置 (13,378) | 工程 (11,004) | ウエットエッチング,現像 (411)

Fターム[5F031MA24]に分類される特許

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【課題】基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和して、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する貯留槽10と、貯留槽に貯留された処理液中で基板Wを搬送する手段と、貯留槽内の、処理液の温度を部分的に調節すべき領域に配設された温調用配管12と、貯留槽内に供給されて貯留される処理液の温度と異なる温度を有する温調用媒体を温調用配管内へ供給する手段とを備えて、ディップ処理を行う装置を構成した。 (もっと読む)


【課題】貯留槽内の処理液の温度を槽内で一様にし、また、基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和することでき、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液20を貯留する貯留槽10と、貯留槽の上部開口面を閉塞する覆蓋部28と、貯留槽に貯留された処理液中で基板Wを搬送する搬送ローラ26と、貯留槽の底部に設けられた供給口22と、覆蓋部に設けられた補助供給口30と、供給口および補助供給口に処理液を供給する処理液供給管24、32とを備えて、ディップ処理を行う装置を構成した。 (もっと読む)


【課題】基板の大型化に伴いチャックが大型化しても、突き上げピンの高さを容易に調整する。
【解決手段】突き上げピン12、突き上げピン12を上下に移動するモータ11、及びチャック10に対する取り付け高さを調整する高さ調整機構を有する複数の突き上げピンユニットと、突き上げピンユニットを挿入する少なくとも1つの開口とをチャック10に設け、複数の突き上げピンユニットの内の少なくとも1つを、チャック10の上方から、開口に挿入し、高さ調整機構により取り付け高さを調整して、チャック10に取り付ける。各突き上げピンユニットのモータ11を制御して突き上げピン12を上下に移動し、基板搬送装置からの基板の受け取り又は基板搬送装置への基板の受け渡しを行う。 (もっと読む)


半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 (もっと読む)


【課題】基板を水平状態にして連続的に搬送しながら、基板表面に処理液を均一に塗布あるいは浸漬して、短時間で均一な液処理を行う液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板をベルト搬送して処理液に浸漬すると共に、前記基板を液処理槽内の処理液中に投入する第一搬送ベルト1と、該第一搬送ベルトから移送される前記基板を処理液中を水平に搬送して処理液に浸漬する第二搬送ベルト2と、該第二搬送ベルトから前記基板を受け取り液処理槽から排出する第三搬送ベルト3とを設け、前記、第一、第二、第三搬送ベルトの搬送速度をそれぞれ異ならせた構成の液処理装置および液処理方法とした。 (もっと読む)


【課題】装置の搬送に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板受渡方法を提供すること。
【解決手段】インデクサ搬入ハンド18A,18C,18E,18Gがそれぞれシャトルハンド38A,38C,38E,38Gの下方に進出される。インデクサ搬出ハンド18B,18D,18F,18Hがそれぞれシャトルハンド38B,38D,38F,38Hの上方に進出される。その後、シャトルハンド38A,38C,38E,38Gが一括して下降されて、インデクサ搬入ハンド18A,18C,18E,18Gに基板Wがすくい取られる(図(a)参照)。シャトルハンド38A,38C,38E,38Gの下降と同期して、シャトルハンド38B,38D,38F,38Hが一括して上昇される。インデクサ搬出ハンド18B,18D,18F,18Hから基板Wが受け渡される(図(a)参照)。 (もっと読む)


【課題】省スペース化を図ることができ、かつスループットの高い塗布、現像装置を提供すること。
【課題手段】
キャリアブロック側からインターフェイス部側に直線状に伸びる基板搬送路の両側に夫々、塗布膜を形成するための塗布部と基板を加熱するための加熱装置とを設ける。前記加熱装置は基板搬送路から見て奥側に配置された加熱プレートと、この加熱プレートよりも基板搬送路側に設けられた冷却プレートと、両プレートの間で基板を搬送する専用の専用搬送機構と、を備えている。そしてこのような塗布ブロックが上下に積層して設けられている。 (もっと読む)


【課題】この発明は半導体ウエハの上面全体をエッチング液によって均一にエッチング処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理液によって処理する処理装置であって、
半導体ウエハを保持して回転駆動される回転テーブル16と、先端部に処理液を半導体ウエハに向けて噴射する上部ノズル体51を有し、回転テーブルの上方で上部ノズル体が半導体ウエハを横切る方向に駆動されるアーム体52と、ノズル体が半導体ウエハの周辺部から中心部に向かうときにアーム体の移動速度を次第に増加させ、中心部から周辺部に向かうときには揺動速度を次第に低下させるようアーム体の移動速度を制御する制御装置7を具備する。 (もっと読む)


【課題】簡素な構造で、半導体基板のおもて面側へのエッチング液の巻き込みを抑制する手段を提供する。
【解決手段】 半導体基板を、噴出口から半導体基板の半径方向外側に向けて噴出させた噴出ガスにより非接触で保持する回転基台と、回転基台に設けられ、半導体基板の外周面に接触する複数の位置決めピンとを備えた半導体装置の製造装置において、位置決めピンの外周面に、噴出ガスの流れを半径方向外側に案内する案内溝を設ける。 (もっと読む)


【課題】移送部材の速度調節方法、これを利用した基板移送方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】移送部材の移送アーム速度調節方法は次の通りである。移送アームは出発地点から第1地点まで移送アームを加速移動し、予め設定された基準速度に到逹する。以後、第2地点から目標地点まで移送アームを減速移動する。第1地点から第2地点までは複数の移動区間に区切られ、移送アームは移動区間別に減速運動、加速運動及び等速運動のうちのいずれか一つの運動形態に移動される。移送アームは現在の移動区間での運動形態とすぐ以前移動区間での運動形態が互いに異なるように移動する。これによって、移送アームに積載された基板に以前移動区間とは互いに異なる衝撃が加えられ、衝撃応答重畳によって基板の残留震動が相殺されるので、移送部材の移送効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハをベルヌーイチャックで保持した状態でウェーハの片面をエッチングする際に、エッチング液の巻上げを防止すること。
【解決手段】エッチング液を貯留する円筒状の内槽1と、この内槽1の底面7の中央からエッチング液の液面の中央に向けてエッチング液を供給する吹き出しノズル13と、半導体ウェーハWの一方の面を非接触で保持するベルヌーイチャック41と、半導体ウェーハWの他方のエッチング面が液面と接触する設定高さまで半導体ウェーハWを水平に保ちながら下降可能な昇降手段51を備え、内槽1は、この内槽1の外径が半導体ウェーハWの外径以下に形成されていること。 (もっと読む)


【課題】
保持された基板の平坦度を改善する有用な技術を提供する。
【解決手段】
基板であるガラスプレート(36)を保持する基板保持装置であって、ガラスプレート(36)を引きつけて保持し、ガラスプレート(36)に接する複数の領域を囲んで形成された保持台であるチャック(35)と、前記複数の領域それぞれに対応して配置され、ガラスプレート(36)に力を加えてガラスプレート(36)を変形させるアクチュエータである吸気口(4)、排気口(5)と、を有することを特徴とする基板保持装置。 (もっと読む)


【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット1においては、ノズル21を共用する複数個の現像処理セット10のそれぞれにおいて1枚の基板Wに対する現像処理が行われる。進入領域K(現像処理ユニット1に対する基板Wの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット1内に進入する領域)の上方には、現像処理セット10間にわたって移動経路L21が形成されている。制御部91は、移動経路L21に沿ってノズル21を移動させることによって、ノズル21を現像処理セット10の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット1に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル21を現像処理セット10間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】浮上ステージの温度変化による熱膨張または収縮の影響を受けない安定した基板受け渡しギャップで平流し搬送により浮上ステージ上に基板を搬入できるようにすること。
【解決手段】このプリベークユニット(PRE−BAKE)48は、基板搬送ライン上で浮上ステージ100の浮上面100aよりも外側の始端部100bに基板受け渡し用のコロ搬送部126を搭載している。このコロ搬送部126は、好ましくは、複数個のこま形フリーコロ128を基板搬送ラインと直交するステージ幅方向(Y方向)に一列に配置している。基板Gは、上流側の駆動コロ搬送部82および浮上ステージ始端部100bのフリーコロ128の上をコロ搬送で水平移動しながら浮上ステージ上に搬入される。 (もっと読む)


【課題】パーティクル発生やパーティクルの飛散を抑制するとともに、真空引きに要する排気時間を短時間化する。
【解決手段】基体と、前記基体の一主面上に設けられた突起部と、を有する試料保持具であって、前記突起部は、前記一主面と略平行な突出端面を有し、前記突出端面から前記一主面に連なる側面が、前記突出端面の周縁に連ねる凸曲面部と、前記凸曲面部から前記一主面にかけて連なる凹曲面部と、を備え、前記頂面から、前記凸曲面部と前記凹曲面部との境界を通り前記一主面と平行な平面まで距離に対し、前記平行な平面から前記一主面までの距離が、より大きくされていることを特徴とする試料保持具を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板製造設備に使用される基板搬送装置に関する。
【解決手段】本発明の基板搬送装置は、一群のシャフトと、前記一群のシャフトを回転させるための駆動部と、を含む。前記一群のシャフトは、第1長さを有する少なくとも一つの第1シャフトと、前記第1シャフトと同一平面上に位置し、前記第1長さより短い第2長さを有する第2シャフトと、前記第1シャフトと同一平面に位置し、前記第1長さより短い第3長さを有する第3シャフトと、を含む。前記第2シャフトは、前記第1シャフトの他端よりも一端に近く位置し、前記第3シャフトは、前記第1シャフトの一端よりも他端に近く位置する。 (もっと読む)


【課題】基板を保持治具によって確実に密着保持して基板を良好にウェットエッチングすることができる基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】保持治具10が基板1と当接する当接面の加工領域に対応する領域に凹部12を有すると共に、凹部と外部とを連通し且つ外部から凹部12内に向かう流れを規制する逆止弁14が設けられた連通孔13を有しており、吸着工程では、基板1を保持治具10の凹部12側の面に載置して基板1の外周部を保護治具に当接させた後、連通孔13を介して凹部12内を吸引することによって凹部12内を常圧よりも気圧が低い第1の減圧状態とすることで基板1を保持治具に真空吸着させ、取り外し工程では、第1の減圧状態と同等又は第1の減圧状態よりも低い気圧である第2の減圧状態で基板1を保持治具10から取り外すようにする。 (もっと読む)


【課題】フラットパネルディスプレイ(flat panel display)の製造に使用される基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明によるフラットパネルディスプレイの製造ための基板処理装置は、基板搬送のための複数の搬送シャフトを有するコンベヤー部材と、前記コンベヤー部材によって搬送される基板を非接触方式で冷却する冷却部材と、基板が前記冷却部材と接触しないように前記基板と前記冷却部材との間の間隔を維持する間隔維持部材と、を含む。 (もっと読む)


本発明の一実施形態によれば、電極と表面層とを含む静電チャックが提供され、表面層は、電極の電圧によって活性化されて、基板を静電チャックに静電的にクランプする電荷を形成する。表面層は、複数の突起(突起群)を含み、突起群は、突起群を囲む表面層の複数部分の上の、ある高さまで伸びることにより、基板が静電クランプされている間、基板を突起群の上で支持する。突起群は、隣接する突起のペアの中心から中心までの距離として測定される間隔が、表面層の全体にわたって、ほぼ等しくなるように配置される。
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【解決手段】開示される装置は、静電チャックのエッジビードに装着されるように構成されたエッジ接合シールを含む。エッジ接合シールは、光学的に監視可能な種を放出するように、又は監視可能な電気抵抗値を有するように、又はその両方であるように構成された第1の材料からなる監視層を含む。エッジ接合シールは、更に、少なくとも監視層とプラズマ環境との間に散在されるように構成されたエッジ接合層も含む。エッジ接合層は、プラズマ環境との反応に起因する浸食を受けやすくプラズマ環境に十分に暴露されると監視層をプラズマ環境に暴露させるように構成された第2の材料からなる。 (もっと読む)


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