【課題】半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減する。
【解決手段】積層配置されるメモリセルアレイ（例えば、酸化物半導体材料を用いて構成されているトランジスタを含むメモリセルアレイ）と周辺回路（例えば、半導体基板を用いて構成されているトランジスタを含む周辺回路）の間に遮蔽層を配置する。これにより、当該メモリセルアレイと当該周辺回路の間に生じる放射ノイズを遮蔽することが可能となる。よって、半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマーク終端部への応力集中により基板にクラックが発生することを軽減する。
【解決手段】基板の第１の主面に、第１の主面に対向して見た場合に、環状の第１の溝及び終端部を有さない形状の第２の溝を形成する。第１及び第２の溝を埋め込むように絶縁膜を形成した後、基板の第１の主面にフォトレジスト膜を形成する。絶縁膜で埋め込まれた第２の溝の基板上での位置を基準として位置合わせした第１のパターンを、フォトレジスト膜に転写する。絶縁膜で埋め込まれた環状の第１の溝の内側に位置する基板に、基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に含まれる貫通孔を微細化した場合であっても、メッキで貫通孔の内部に貫通電極を形成する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、基板１０の表面１０ａ側にシード層３０を形成するシード層形成工程と、シード層形成工程後、シード層３０上に配線層４０を形成する配線層形成工程と、配線層形成工程後、基板１０の裏面１０ｂからシード層３０に達する貫通孔１０ｃを形成する貫通孔形成工程と、貫通孔形成工程後、貫通孔１０ｃ内にメッキで貫通電極６０を形成する貫通電極形成工程と、貫通電極形成工程後、シード層３０を複数に分断する分断工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＶＩＡホールを高密度に形成したとしても半導体素子が割れやすくなるのを防止し、素子の形成歩留りを向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１０と、基板の第１表面に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極１２４、ソース電極１２０およびドレイン電極１２２と、ソース電極１２０の下部に配置されたＶＩＡホールＳＣと、基板の第１表面とは反対側の第２表面に配置され、ＶＩＡホールを介してソース電極に接続された接地電極とを備え、ＶＩＡホールＳＣは、基板１１０を形成する化合物半導体結晶のへき開方向とは異なる方向に沿って配置される。 （もっと読む）

【課題】隣接するＳＯＩ領域とバルクシリコン領域とが短絡することを防止する。
【解決手段】一つの活性領域内にＳＯＩ領域およびバルクシリコン領域が隣接する半導体装置において、それぞれの領域の境界にダミーゲート電極８を形成することにより、ＢＯＸ膜４上のＳＯＩ膜５の端部のひさし状の部分の下部の窪みにポリシリコン膜などの残渣が残ることを防ぐ。また、前記ダミーゲート電極８を形成することにより、それぞれの領域に形成されたシリサイド層１４同士が接触することを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】基材上にパターンを低温かつ低コストで形成することができると共に、リフトオフを容易にできるパターン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン構造体の製造方法では、基材１０上に、インクジェット法によりリフトオフ材１２を形成する。次に、基材１０及びリフトオフ材１２上に、原子層堆積法により機能膜１４を形成する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ材１２を除去することによって、基材１０上に、機能膜１４からパターン１４ａを形成する。リフトオフ材１２は、樹脂と溶媒とを含むインクを基材１０上に塗布した後、溶媒を除去することによって形成される。溶媒は、樹脂に対する第１溶解性を有する第１溶媒と、第１溶解性よりも低い第２溶解性を有する第２溶媒とを含む。第１溶媒は第２溶媒に相溶する。 （もっと読む）

【課題】容量素子上の配線層の設計自由度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板、層間絶縁層、第１トランジスタ、多層配線層、容量素子、金属配線、及び第１コンタクトを備える。基板１上には、層間絶縁層４、５が設けられている。第１トランジスタ３ａは、半導体基板１に設けられており、層間絶縁層内に埋め込されている。第１トランジスタは、少なくともゲート電極３２及び拡散層を有する。層間絶縁層上には、多層配線層が設けられている。容量素子１９は、多層配線層内に設けられている。金属配線（ゲート裏打ち配線）３０は、ゲート電極３２の上面と接しており、層間絶縁層４内に埋設されている。第１コンタクト１０ａは、第１トランジスタ３ａの拡散層に接続しており、層間絶縁層４内に埋設される。金属配線（ゲート裏打ち配線）３０は、第１コンタクト１０ａと同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフの電気特性を有し、オン電流の高い、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用いた高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、少なくともゲート電極を覆って設けられた、開口部を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、開口部を介して酸化物半導体膜と接する配線と、を有し、少なくとも酸化物半導体膜と配線とが接する領域の、下地絶縁膜および酸化物半導体膜の間に、絶縁膜および絶縁膜上に設けられたバッファ層を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、受光面と遮光膜との距離を小さくすることにより、光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、センサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、画素領域における受光面上に設けられた遮光膜と、遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、画素領域の外側の周辺領域において、保護絶縁膜からセンサ基板にかけて埋め込まれ駆動回路に接続された複数の貫通ビアを備えた固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第２電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第１電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第２電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置においては、配線の伝送特性が不安定となってしまう。
【解決手段】半導体装置１は、配線１０、およびダミー導体パターン２０を備えている。配線１０は、５ＧＨｚ以上の周波数を有する電流が流れる配線である。配線１０の近傍には、ダミー導体パターン２０が配置されている。ダミー導体パターン２０の平面形状は、１８０°を超える内角を有する図形に等しい。 （もっと読む）

【課題】外部からの不純物等に対する耐性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１上に下層配線２が設けられている。ＧａＡｓ基板１及び下層配線２上に樹脂膜４が設けられている。樹脂膜４は、下層配線２上に開口５を有する。下層配線２及び樹脂膜４上にＳｉＮ膜６が設けられている。ＳｉＮ膜６は、開口５内に開口７を有する。下層配線２及び樹脂膜４の一部上に上層配線８が設けられている。上層配線８は、開口５，７を介して下層配線２に接続されたＴｉ膜８ａと、Ｔｉ膜８ａ上に設けられたＡｕ膜８ｂとを有する。上層配線８及び樹脂膜４上にＳｉＮ膜９が設けられている。ＳｉＮ膜９は、樹脂膜４上においてＳｉＮ膜６に付着している。ＳｉＮ膜６，９はＴｉ膜８ａの周囲を保護する。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制できるとともに、ＳＯＧ膜の剥離を抑えることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成された半導体基板３上に、ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜１０が形成されており、この層間絶縁膜１０を介して、配線層１２ａ〜１２ｄが半導体素子と電気的に接続されている。さらに、一方面側がボンディング接続されるパッド部１２ｄ（第４配線層１２ｄ）と、層間絶縁膜１０に配置されると共に配線層１２ａ〜１２ｃを接続するビアホール１５ａ〜１５ｃと、ビアホール１５ａ〜１５ｃ内に埋め込まれる導電層１６ａ、１６ｂとを有している。そして、ビアホール１５ａ〜１５ｃは、パッド部１２ｄよりも下方に設けられており、導電層１６ａ、１６ｂの少なくとも一部は、内部に空洞部１７を有している。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホール１４２と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホール１４２に含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホールの底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減するとともに歩留まりを向上し、かつプロセス設計が容易である液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１において、半導体層ＡＳＩと半導体層ＡＳＩの液晶材側の面に形成された金属層Ｍとの積層部分であり、かつ画素電極ＭＩＴの液晶材側の面に重なる部分である重なり部５０を含むソース電極ＳＤ２を有し、第２の絶縁層ＰＡＳ２は、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部の５０端部、及び画素電極ＭＩＴの一部を開口するように形成されており、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部５０の端部上、及び画素電極ＭＩＴ上に、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部５０の端部、及び画素電極ＭＩＴを導通させる導体膜７０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ裏面のキャパシタを有する半導体デバイスの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、その前面の活性シリコン層とその裏面のバルク・シリコン層との間に挿入された埋込み絶縁層を有する、ＳＯＩ基板を準備するステップと、ＳＯＩ基板の前面から埋込み絶縁層を貫通して延びる埋込みコンタクト・プラグを含む集積回路を、ＳＯＩ基板の前記前面に形成するステップと、裏面エッチング・プロセスを実施してバルク・シリコン層内にトレンチを形成し、埋込みコンタクト・プラグの端部を埋込み絶縁層の裏表面に露出させるステップと、第１キャパシタ・プレートと、第２キャパシタ・プレートと、該第１及び第２キャパシタ・プレートの間に挿入されたキャパシタ誘電体層とを含むキャパシタをトレンチ内に形成するステップとを含み、第１キャパシタ・プレートは、埋込みコンタクト・プラグの露出した端部に接触するように形成される。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が２００ｎｍ以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも１種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも１種よりなる金属材
料とが、混合及び／又は積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）