【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、受光面と遮光膜との距離を小さくすることにより、光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、センサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、画素領域における受光面上に設けられた遮光膜と、遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、画素領域の外側の周辺領域において、保護絶縁膜からセンサ基板にかけて埋め込まれ駆動回路に接続された複数の貫通ビアを備えた固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】 より一層、製品の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本開示の半導体装置の製造方法では、まず、第１半導体部及び第２半導体部を貼り合わせた半導体部材の一方の面上に形成された絶縁膜３０上に、所定の薬液で処理された際に該所定の薬液が絶縁膜に浸透しないような耐性を有するストッパー膜３１を形成する。次いで、半導体部材のストッパー膜３１側に、第１半導体部及び第２半導体部を電気的に接続するためのＣｕ配線接合部３４を形成する。次いで、Ｃｕ配線接合部３４上にＣｕ拡散防止膜３４を形成する。次いで、Ｃｕ配線接合部３４の形成領域以外の領域のＣｕ拡散防止膜３３を除去して該領域に存在する不要なＣｕ部２１０，２１１を露出させる。そして、所定の薬液を用いて、不要なＣｕ部２１０，２１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホール１４２と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホール１４２に含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホールの底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成され、ソース／ドレイン領域及びゲート電極を有するトランジスタと、トランジスタのソース／ドレイン領域及びゲート電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、トランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接されるコンタクトプラグとを有し、コンタクトプラグは、絶縁膜の厚さ方向に延在しトランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接触する柱部と、柱部の上部から絶縁膜の表面と平行な方向に張り出し上面が平坦化された鍔部とを有する。 （もっと読む）

【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】中間層の形成時に、第２コイル４６および第３コイル６１によってターゲット５３と基体１１との間に磁力線Ｍ１が通るように磁場を発生させることによって、溝部１２の内壁面に均一な厚みで中間層を成膜することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が２００ｎｍ以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも１種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも１種よりなる金属材
料とが、混合及び／又は積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ裏面のキャパシタを有する半導体デバイスの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、その前面の活性シリコン層とその裏面のバルク・シリコン層との間に挿入された埋込み絶縁層を有する、ＳＯＩ基板を準備するステップと、ＳＯＩ基板の前面から埋込み絶縁層を貫通して延びる埋込みコンタクト・プラグを含む集積回路を、ＳＯＩ基板の前記前面に形成するステップと、裏面エッチング・プロセスを実施してバルク・シリコン層内にトレンチを形成し、埋込みコンタクト・プラグの端部を埋込み絶縁層の裏表面に露出させるステップと、第１キャパシタ・プレートと、第２キャパシタ・プレートと、該第１及び第２キャパシタ・プレートの間に挿入されたキャパシタ誘電体層とを含むキャパシタをトレンチ内に形成するステップとを含み、第１キャパシタ・プレートは、埋込みコンタクト・プラグの露出した端部に接触するように形成される。 （もっと読む）

【課題】工程および装置構成を煩雑にすることなく、高エッチングレートで銅を異方性エッチングする装置、及びその方法を実施するプログラムを記憶した媒体を提供する。
【解決手段】チャンバ内に表面に銅膜１０４を有する基板１０１を配置し、チャンバ内を真空状態としつつ、チャンバ内に有機化合物１０６を供給し、銅膜に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオン１０７により、銅膜の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅膜を異方的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】異なる深さに位置する導電層を露出させた接続孔を有する半導体装置において、浅い導電層の過剰なエッチングを防止し、半導体装置の歩留まりの向上を図る。
【解決手段】第１導電層および第１導電層よりも深く配置された第２導電層を内部に有する基板上に、第１導電層および第２導電層の上部を露出する開口を有する大径レジストパターンを形成する。この大径レジストパターンをマスクにしたエッチングに基づいて、第１導電層を底部に露出させた大径凹部を、基板に形成する。基板上に、第２導電層の上部を露出する開口を大径凹部の形成範囲内に有する小径レジストパターンを形成する。この小径レジストパターンをマスクにしたエッチングに基づいて、第２導電層を底部に露出させた小径凹部を、基板に形成する。 （もっと読む）

【課題】配線層間に絶縁物が堆積しない配線の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、第１絶縁体層１４と、第１絶縁体層１４上に間隔を空けて配置された複数の配線層１８ａ、１８ｂと、配線層１８ａ、１８ｂの側面上に形成された水素を吸蔵及び放出する水素吸蔵層１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ、１９ｅと、複数の配線層１８ａ、１８ｂ上に、配線層間の溝２０ｂ上を跨ぐように形成された第２絶縁体層２３と、を備えた配線を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】ダイシングの際にクラック発生を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に形成された複数の配線層と、前記複数の配線層の間に配置されたビア層と、前記複数の配線層に形成された導電膜と、前記ビア層の上下の前記配線層の前記導電膜と接続するビアプラグＶ５とを有し、スクライブ領域３１は、チップ領域の外周であって前記半導体基板の縁に接して位置し、前記スクライブ領域３１は前記縁に接するパッド領域３３を有し、前記パッド領域３３は、前記複数の配線層の各々に、平面視において相互に重なって配置され、前記複数の配線層は、第１の配線層と第２の配線層を有し、前記第１の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域３３の全面に形成された第１の導電パターン５５を有し、前記第２の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域の一部に形成された第２の導電パターン５０を有する。 （もっと読む）

【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部１２を除いた基体１１の一面１１ａ、即ち溝部１２の頂面にエッチングカバー層１４を形成する。エッチングカバー層１４は、例えば、Ｔａ，Ｔｉまたはこれらを含む合金から構成される。エッチングカバー層１４の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】貫通電極と配線との接続部位の抵抗のバラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。
【解決手段】貫通電極用の穴部を設け、配線層に対してオーバエッチングを施す。穴部に銅を埋め込むことにより、銅からなる貫通電極を形成させて、アルミニウムからなる配線と接続させた後、熱処理により貫通電極と配線とが接続される接触領域Ｇを合金化させることで、貫通電極と配線との抵抗バラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。本技術は、半導体装置と、その製造に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】電気めっき装置のハードウェアトラブルを低減しながら、銅めっき膜の均一性を保つ。
【解決手段】自動分析器１４は、電極１６，１７間に印加されている電圧を検出し、その電圧値が設定電圧範囲内であるか否かを判断する。検出した電圧値が、設定電圧範囲の下限値よりも低い場合、自動分析器１４は、検出した電圧値に基づいて、基本液の不足量を算出し、バルブ１１を制御して不足分の基本液を補充した後、めっき液タンク６内のめっき液が規定量を保つようにバルブ１３の動作制御を行い、めっき液を廃液する。また、検出した電圧値が設定電圧範囲の上限値よりも高い場合、検出した電圧値に基づいて基本液の超過量を算出し、バルブ１２を制御して基本液の濃度が規定範囲内となるように純水をめっき液タンク６に補充してめっき液を薄めた後、バルブ１３を制御して規定量を保つようめっき液を廃液する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の能動素子を含む回路と低電圧で動作するロジック回路とが同一基板上に混載された半導体装置を低コストで実現する。
【解決手段】半導体装置が、ロジック回路５０と、能動素子回路とを具備している。ロジック回路５０は、半導体基板１に形成された半導体素子２を備えている。該能動素子回路は、半導体基板１の上方に形成された拡散絶縁膜７−１の上に形成された半導体層８−１、８−２を用いて形成されたトランジスタ２１−１、２１−２を備えている。この能動素子回路がロジック回路５０により制御される。 （もっと読む）

【課題】シールリングの内側領域生じたクラックを低コストで検出することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】図２に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、多層配線層と、内部回路領域３と、多層配線層に形成され、内部回路領域３を囲うシールリング２２０と、平面視で内部回路領域３とシールリング２２０とに挟まれた領域に設けられているＴＥＧ２００と、を含んでいる。ＴＥＧ２００は、多層配線層の少なくとも２層それぞれに設けられ、互いに接続する導体パターン７と、Ｐ型ウェル１３と、Ｎ型ウェル１４とによって構成されている。Ｐ型ウェル１３とＮ型ウェル１４は、平面視で交互に互いに接続された状態で配置されており、Ｐ型ウェル１３とＮ型ウェル１４のいずれか一つに導体パターン７が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、層間配線抵抗が低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に第１の触媒金属膜と、前記第１の触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと、前記コンタクトホール底部に前記グラフェンと電気的に導通する導電膜と、導電膜上に水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した第２の触媒金属膜と、前記第２の触媒金属膜上にカーボンナノチューブとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）