【課題】再配線のパターン形成後のレジストパターンの剥離性を確保しつつ、再配線のパターン形成前のレジストパターンとその下地との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体チップ上に形成されたメタル膜５の表層には、レジスト膜６との密着性を上げる表面改質層１６が形成され、表面改質層１６を介してメタル膜５上に再配線７ａ〜７ｃが形成される。 （もっと読む）

【課題】下層配線層と配線シード層との密着性を低下させないで高く維持することが可能な配線形成方法を提供する。
【解決手段】下層配線層４と絶縁性バリヤ層６と層間絶縁膜８と上層配線層が順次積層された被処理体に対して上層配線層と、連通配線層１６とを形成する配線形成方法において、絶縁性バリヤ層を残した状態で連通ホール９Ｂを形成し、連通ホール内に犠牲膜を埋め込み、トレンチ９Ａを形成するパターンマスク６２を形成する前処理工程と、トレンチを形成するトレンチ形成工程と、犠牲膜６０とパターンマスクとをアッシングするアッシング工程と、トレンチ内と連通ホール内に熱処理によりバリヤ層１０を形成するバリヤ層形成工程と、異方性エッチングにより連通ホールの底部のバリヤ層と絶縁性バリヤ層とを除去する異方性エッチング工程と、配線シード層１２を形成する配線シード層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器２２内でプラズマにより金属のターゲット７６から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部４が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜９０を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜９２を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜上に設けた電極パッドに導体バンプなしにＡlワイヤを確実に接合でき、ポリイミド膜からの電極パッドの剥離や電極パッドとＡlワイヤとの接合不良を防止できるパワーデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に設けられた半導体素子(２,３,６)と、絶縁基板１上に形成され、半導体素子(２,３,６)を覆う軟質ポリイミド膜１１と、軟質ポリイミド膜１１上に形成された電極パッド９と、電極パッド９にワイヤボンディングにより一端が接合されたＡlワイヤ１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】めっき工程の埋設不良を抑制する。
【解決手段】半導体基板１００上に設けられた層間絶縁膜３２０に開口部を形成する工程と、開口部上面にバリア層３４０を形成するバリア層形成工程と、バリア層３４０上に配線シード層を形成する配線シード層形成工程を有する。また、バリア層形成工程は、選択成膜工程と、スパッタエッチング工程を有する。バリア層３４０の選択成膜工程は、バリア層３４０を、開口部の平面部３４２のみに選択的に成膜する。次いで、バリア層３４０のスパッタエッチング工程は、平面部３４２のバリア層３４０をスパッタエッチングしながらバリア層３４０のスパッタ粒子を開口部の側壁部３４４に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置において、フルオロカーボン膜へのエッチングダメージによるＣｕ配線構造でのリーク電流の増加や誘電率の低下を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理の施されたフルオロカーボン膜の表面に対し、窒化プラズマ処理またはＣＦプラズマ処理を行う、半導体装置の製造方法が提供される。これによれば、配線溝形成時のフルオロカーボン膜へのエッチングダメージが修復され、Ｃｕ配線構造におけるリーク電流の増加や誘電率の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置において、ＣＭＰ法によるＣｕ配線への処理により発生するＣｕ配線の腐食（コロージョン）の発生を防止し、配線抵抗の上昇を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法および半導体装置の製造システムを提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法であって、基板上の層間絶縁膜に形成される配線パターン溝にバリアメタル膜およびＣｕ膜が形成された状態で、ケミカルメカニカルポリッシングによって配線パターン溝以外に堆積したＣｕを除去する工程と、配線パターン溝以外に堆積したバリアメタルをケミカルメカニカルポリッシングによって除去する工程と、前記バリアメタルを除去する工程後、除電する工程と、基板上に残るスラリーおよび残渣物を洗浄する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高温にさらされても、Ａｕ配線表面に析出物が発生することを抑制できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１上の、Ａｕからなる下部配線層３ａと上部配線層３ｂの上部を覆って、Ａｕより薄膜応力が小さく高融点を有する金属であるタンタルあるいはチタンからなる配線被覆層５と５’をスパッタにより形成する。 （もっと読む）

【課題】低伝導度領域ができるだけ少なくなるグラフェン配線構造が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、触媒金属膜２２０と、グラフェン膜２３０と、コンタクトプラグ２４０と、調整膜２５０と、を備える。触媒金属膜は、基板上に形成される。グラフェン膜は、触媒金属膜上に形成される。コンタクトプラグは、グラフェン膜と接続する。調整膜は、前記グラフェン膜表面のうち、前記コンタクトプラグと接続する領域以外の領域上に形成され、ディラック点位置をフェルミ準位に対してコンタクトプラグと接続する領域と同方向に調整する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法を用いてＣｕ配線上に良好な拡散バリア膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】ダマシン法を用いて形成したＣｕ配線１９上にＣｕの拡散を防止する窒化シリコン膜２１を形成する工程は、Ｃｕ配線１９が形成された基板１をプラズマＣＶＤ装置のチャンバ内に搬入し、基板１を所定の温度に加熱する工程と、チャンバ内にアンモニアを供給し、第１のＲＦパワーでアンモニアをプラズマ分解することによって、Ｃｕ配線１９の表面を還元処理する工程と、ＲＦパワーが印加された状態で、チャンバ内にアンモニアとモノシランとを含む原料ガスを供給し、第２のＲＦパワーでアンモニアとシラン系ガスとをプラズマ分解することによって、Ｃｕ配線１９上に窒化シリコン膜２１を形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】サイドウォール間に層間絶縁膜を埋め込むときに埋め込み不良の発生を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面上に、ゲート酸化膜６、ポリシリコン層（第１ゲート層）９、タングステンシリサイド層（第２ゲート層）１０および絶縁層８が形成される。絶縁層８が所定のゲートパターンにエッチングされる。タングステンシリサイド層１０が前記所定のゲートパターンにエッチングされる。タングステンシリサイド層１０の側壁が後退される。この後、ポリシリコン層９が前記所定のゲートパターンにエッチングされる。ゲート酸化膜６が前記所定のゲートパターンにエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】切削刃の磨耗を抑制して切削刃の寿命を延ばすことが可能なウエハレベルパッケージ製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハレベルパッケージ製造方法は、例えば、基板４５０の表面に、配線が形成される溝４６２を含む絶縁性の第１の樹脂４６０を形成する樹脂形成工程４００と、第１の樹脂４６０の表面に、配線の一部となる第１の金属４７０を、物理気相成長によって成膜する第１の成膜工程４１０と、第１の金属４７０の表面に、配線の一部となる、第１の金属４７０より硬度が低い第２の金属４８０を、更に成膜する第２の成膜工程４２０と、溝４６２の側面において第１の金属４７０が成膜されていない場所または薄くなっている場所に該当する高さＨ０、Ｈ１に切削刃４９０を設置する設置工程４３０と、切削刃４９０を走査することにより、少なくとも第１の樹脂４６０を切削する切削工程４４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロバンプの半導体素子側への接着力を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２と半導体素子の電極パッドと、電極パッド２０を露出する開口４１を有するバッファーコート膜４０と、開口を介して電極パッドに電気的に接続されたマイクロバンプ５０とを備え、マイクロバンプと開口の側面４１ｂとの接触面積は、マイクロバンプと開口の底面６０ａとの接触面積より大きいことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】容量増加による高周波特性の劣化及び裏面電極に起因する絶縁破壊を抑止し、チップ面積を増加させることなく、インパクトイオン化により生成したホールを容易且つ確実に引き抜いて排出することを可能として、高耐圧性及び高信頼性を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性又は半絶縁性の基板１の表面に電子走行層３、電子供給層４が形成され、電子供給層４内には局所的なｐ型領域７が形成されており、基板１の裏面にｐ型領域７の一部を露出させる開口１ａが形成され、開口１ａを導電材料で埋め込みｐ型領域７とオーミック接続された裏面電極８を備え、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】再配線間のリークを抑制しつつ、再配線のピッチを微細化するとともに、再配線上のビア開口時のマージンを上げる。
【解決手段】緩衝層４上には再配線７ｂが形成され、再配線７ｂ上には表面層８ｂが形成されている。表面層８ｂは、再配線７ｂから幅方向にはみ出すようにして再配線７ｂに沿うように配置され、再配線７ｂよりもエッチング耐性が高い。 （もっと読む）

【課題】低抵抗かつ微細化が可能なグラフェン配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態によれば、半導体装置は、配線と前記配線に接続されるコンタクトプラグを有する。前記配線は、長さ方向の両側面に触媒層を有する基体と、前記基体の前記両側面上に前記触媒層と接して形成され、前記基体の前記両側面と垂直に積層された複数のグラフェンを有するグラフェン層を有する。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁層を有する電子素子の配線短絡を簡素な工程により絶縁することが可能な電子素子の製造方法および電子素子を提供する。
【解決手段】配線層２１，２２の上に有機絶縁層１２を形成したのち、配線層２１，２２の短絡部２３に、有機絶縁層１２に対して透過性を持つ波長のレーザ光ＬＢを有機絶縁層１２を介して照射、または基板１１に対して透過性を持つ波長のレーザ光ＬＢを基板１１を介して照射する。レーザ照射領域２４では短絡部２３が消失して、配線層２１と配線層２２との間の絶縁が回復する。短絡部２３の上下に接する有機絶縁層１２または基板１１は残されている一方、レーザ照射領域２４（短絡部２３が消失した部分）には空洞２５が生じる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ＬＳＩ基板１上に形成された第１の金属を含む再配線層８ａ、ｂおよび前記ＬＳＩ基板上に形成されたボンディングパッドとなる第２の金属を含むパッド電極２２を被覆するように、層間膜１０を形成する。前記層間膜のうち、前記再配線層に接続されるマイクロバンプを形成する領域およびボンディングワイヤが接続される領域に対応する部分を感光させ、アルカリ水溶液を含む第１のアルカリ現像液で現像することにより、前記再配線層が露出するように前記層間膜に第１の開口部１０ａを形成するとともに、前記パッド電極が露出するように前記層間膜に第２の開口部１０ｂを形成する。さらに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよび多価アルコールを含む第２のアルカリ現像液で、前記層間膜の残りの露光された部分を現像する。 （もっと読む）

【課題】ビア配孔内に形成したカーボンナノチューブを埋め込む埋め込み膜が基板に均一に形成されないため基板の平坦化処理工程において層間絶縁膜が不均一に研磨されて、下層配線と上部電極がビア配線以外で電気的につながってしまう場合が発生する。
【解決手段】半導体基板における層間絶縁膜内のビアホール内にカーボンナノチューブを形成した後、基板全体をフッ化処理することにより、カーボンナノチューブが存在するビアホールにのみ埋め込み膜が形成され、その後に基板全体の平坦化処理のために基板を研磨する工程において、層間絶縁膜が局所的に研磨されることを防止する。 （もっと読む）