【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、１つのレジストマスクを用
いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。
【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露
光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金
属膜を形成する。以上により、１つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形
成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】テーパー部を有する溝を備えた半導体装置を容易に形成する。溝内に空洞が形成されるのを防止すると共に、製造歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の面を有する材料層と、材料層内に設けられ、第１の面に開口部を有する溝を備える。溝は、開口部に接し１以上のスキャロップ形成溝を有するテーパー部と、おおむね垂直な側壁を有する垂直部を有する。スキャロップ形成溝の幅は、垂直部の溝幅よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】超高周波帯におけるシリコン基板による損失を低減すると共に、貫通配線のインダクタンス成分の影響を小さくした半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、回路素子１０５が形成された半導体基板１００と、半導体基板１００の主面の上に形成された第１の誘電体層１２１と、第１の誘電体層１２１の上に形成された第２の誘電体層１３１と、第１の誘電体層１２１を貫通し、回路素子１０５と接続された第１の貫通配線１２２と、第２の誘電体層１３１を貫通し、第１の貫通配線１２２と接続された第２の貫通配線１３２とを備えている。第２の貫通配線１３２は、第１の貫通配線１３２よりもインダクタンスが小さい。 （もっと読む）

【課題】プローブ針の先端を研磨する時間を短縮することと接触抵抗を低く安定させること。
【解決手段】半導体基板上に形成された電子回路と、前記半導体基板上に形成され、前記電子回路と電気的に接続し、金属膜３４と前記金属膜より硬い材料の層３６とを備え、上視した場合前記層と前記金属膜とが配置された第１領域４０と、前記金属膜が配置され前記層が形成されない第２領域４２とを備えるパッド１６と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上のタングステン（Ｗ）系金属膜をエッチングし得る半導体基板用エッチング剤、当該エッチング剤を用いるエッチング方法、並びにエッチング剤調製液を提供する。
【解決手段】（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）ヒドロキシル基を有するホスホン酸系キレート剤、（Ｃ）塩基性化合物及び（Ｄ−２）無機酸由来のアニオン種並びに炭酸イオン、モノカルボン酸イオン、ヒドロキシトリカルボン酸イオン及びヒドロキシカルボン酸イオンから選ばれる有機酸由来のアニオン種から選ばれる２種以上のアニオン種０．０１重量％〜３重量％を含む溶液からなる、タングステン（Ｗ）系金属膜上部にタングステンよりもイオン化傾向の低い金属バンプ又は金属配線が形成された半導体基板用エッチング剤、該エッチング剤を用いるＷ系金属膜のエッチング方法、並びに上記（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ−２）を含む溶液からなる、半導体基板用エッチング剤調製液。 （もっと読む）

【課題】マスク枚数を増加させることなく、積層構造の導電層の下層が露出した構造を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極層を形成する導電膜を２層の積層構造で形成し、該導電膜上にエッチングマスクを形成し、該エッチングマスクを用いて該導電膜をエッチングし、該エッチングマスクを残した状態で該導電膜の上層をサイドエッチングして該導電膜の下層の一部を露出させてソース電極及びドレイン電極層とする。このように形成したソース電極及びドレイン電極層と画素電極層は、露出された下層の部分において接続される。ソース電極及びドレイン電極層を形成する導電膜は、例えば、下層をＴｉ層とし、上層をＡｌ層とすればよい。エッチングマスクに開口部が複数設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】グラフェン配線の製造方法は、絶縁膜１３内に、配線溝３０を形成し、前記配線溝内の全面に、触媒膜１４を形成し、前記配線溝内の前記触媒膜上に、前記配線溝の底面に対して垂直方向に積層された複数のグラフェンシート１６ａ〜１６ｅで構成されるグラフェン層１６を形成することを具備する。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ１０と、半導体チップ１０の上に積層された多層配線構造３０と、多層配線構造３０内に埋設された電子部品６０，８０と、を備える。半導体チップは、半導体基板１１と、半導体基板上に形成された内部配線２０と、内部配線を被覆するようにして半導体基板上に形成された封止層１６と、を有し、多層配線構造が封止層上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】容量素子の良好な特性と高い信頼性を実現することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して形成されている下部電極と、この下部電極の周囲に形成され、下部電極の表面よりも高い表面を有するダミー電極と、下部電極上にダミー電極の最上表面よりも表面が低い位置にある誘電体膜を介して形成された上部電極と、ダミー電極に周囲を囲まれた窪みを埋める第２の絶縁膜とを具備して成る半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸差を緩和することが可能な構造の半導体装置を提供することを課題と
する。
【解決手段】第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形
成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると
共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導
体装置である。第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導
電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁
層上に形成されない。このため、第３の導電層の凹凸を低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】ボイドが存在しても高い信頼性を確保可能な配線構造を提案する。
【解決手段】実施形態に係わる装置は、第１の溝１０を有する絶縁層１３と、第１の溝１０内に形成され、上部に凹部１６を有する銅を含む第１の配線層１５と、第１の配線層１５の凹部１６の内面上に形成され、少なくとも１つのグラフェンシートから構成されるグラフェン層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】グラフェン配線は、配線溝を有する絶縁膜１３と、前記配線溝内の両側面の前記絶縁膜上に形成された第１触媒膜１５と、前記配線溝内の両側面の前記第１触媒膜上に形成され、両側面に対して垂直方向に積層された複数のグラフェンシートで構成された第１グラフェン層１６と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線間の容量低減を実現するとともに、ミスアライメント・ビアを対策する。
【解決手段】配線上及び配線間のスペース領域に絶縁膜７４を形成し、隣接配線間隔が狭い配線の上面を露出するスルーホールの周辺領域の絶縁膜７４をリザーバーとして残して、周辺領域以外の絶縁膜７４を除去し、絶縁膜７４が除去された配線間のスペース領域に空隙を残しつつ、配線上に絶縁膜７７を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの保護層に形成された溝のアスペクト比が０．５以上である場合においても、再配線を形成する際のレジスト膜に破壊が生じることを防止する手段を提供する。
【解決手段】半導体ウェハが、集積回路を形成した複数の能動領域と、隣合う能動領域間に設けられたダイシング領域と、能動領域とダイシング領域とを覆う保護層５と、保護層の能動領域の外側を掘込んで形成されたガイド溝２１と、能動領域の保護層上を覆う保護膜７と、保護膜上に形成され、集積回路に電気的に接続する第２の配線９とを備え、ガイド溝のアスペクト比が０．５以上の場合にそのガイド溝を保護膜で覆う。 （もっと読む）

【課題】再配線のパターン形成後のレジストパターンの剥離性を確保しつつ、再配線のパターン形成前のレジストパターンとその下地との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体チップ上に形成されたメタル膜５の表層には、レジスト膜６との密着性を上げる表面改質層１６が形成され、表面改質層１６を介してメタル膜５上に再配線７ａ〜７ｃが形成される。 （もっと読む）

【課題】下層配線層と配線シード層との密着性を低下させないで高く維持することが可能な配線形成方法を提供する。
【解決手段】下層配線層４と絶縁性バリヤ層６と層間絶縁膜８と上層配線層が順次積層された被処理体に対して上層配線層と、連通配線層１６とを形成する配線形成方法において、絶縁性バリヤ層を残した状態で連通ホール９Ｂを形成し、連通ホール内に犠牲膜を埋め込み、トレンチ９Ａを形成するパターンマスク６２を形成する前処理工程と、トレンチを形成するトレンチ形成工程と、犠牲膜６０とパターンマスクとをアッシングするアッシング工程と、トレンチ内と連通ホール内に熱処理によりバリヤ層１０を形成するバリヤ層形成工程と、異方性エッチングにより連通ホールの底部のバリヤ層と絶縁性バリヤ層とを除去する異方性エッチング工程と、配線シード層１２を形成する配線シード層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器２２内でプラズマにより金属のターゲット７６から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部４が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜９０を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜９２を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜上に設けた電極パッドに導体バンプなしにＡlワイヤを確実に接合でき、ポリイミド膜からの電極パッドの剥離や電極パッドとＡlワイヤとの接合不良を防止できるパワーデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に設けられた半導体素子(２,３,６)と、絶縁基板１上に形成され、半導体素子(２,３,６)を覆う軟質ポリイミド膜１１と、軟質ポリイミド膜１１上に形成された電極パッド９と、電極パッド９にワイヤボンディングにより一端が接合されたＡlワイヤ１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィル材を用いなくとも、柱状電極と半田端子との接合強度不足や、信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた複数の配線と、複数の配線上にそれぞれ接続された複数の半田端子と、複数の配線の少なくとも一部を覆う樹脂層と、を備えている。樹脂層上には、少なくとも半田端子の周囲を覆うオーバーコート膜が被膜され、隣接する半田端子間のオーバーコート膜の高さは、半田端子の高さよりも低い。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いて、高精細な配線を、簡単に、かつ生産性良く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エアロゾルジェット手段により、カーボンナノチューブ含有分散液を、基板３上にエアロゾル状態にて吹き付け、電極１に接続するカーボンナノチューブからなる配線２を形成する。配線はカーボンナノチューブがネットワーク状に絡み合った構造になっているので導電性が高い。 （もっと読む）