【課題】本実施形態は、配線形状の制御が容易になり、且つ、配線間を埋める絶縁膜表面の段差が回避できるような半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、配線領域と非配線領域とを有する第１の絶縁膜において、配線領域に溝を形成し、第１の絶縁膜の上面と溝の底面及び側壁とを覆うように配線材料を堆積し、配線材料をエッチングすることにより、溝中に、溝と平行に、且つ、側壁と離して配置された複数の配線を形成し、第１の絶縁膜の上面と複数の配線の上面とを覆い、且つ、配線の間と側壁と側壁に隣り合うように配置された配線との間とを埋め込むように、第２の絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のエッチングを精度良く行い、再生率を低減させる
【解決手段】基板にトランジスタを形成し、トランジスタを覆うように第１層間絶縁膜２２を形成する。さらに、第１層間絶縁膜２２の上方に形成したレジスト膜２７を用いて第１層間絶縁膜２２をエッチングし、トランジスタのソース／ドレイン領域に到達するコンタクトホール３１を形成する。この際、レジスト膜２７の開口部２７Ａの半径ｒと、開口部２７Ａが設計位置からずれている位置ずれ量ΔＸとを測定し、コンタクトホール３１に必要な半径Ｒｘと、コンタクトホール３１を形成可能な限界距離Ｓとから、ｒ＋ΔＸ−Ｓ＜ＥＳ＜ｒ−Ｒｘを満たす半径差ＥＳを決定し、半径差ＥＳからエッチング条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを微細化する。この時、微細化されたコンタクトホールであっても、半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。
【解決手段】珪化膜と樹脂材料膜とからなる多層の層間絶縁膜を形成する。その後、コンタクトホールを形成する。このとき、珪化膜に設けられるコンタクトホールの大きさを樹脂材料膜に設けられるコンタクトホールの大きさよりも小さくする。このような構成は、パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】実効誘電率が低く、かつ信頼性の高いバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供することができる。
【解決手段】半導体装置１００は、層間絶縁膜１０と、層間絶縁膜１０中に設けられた配線２０と、層間絶縁膜１０上および配線２０上に設けられたＳｉＮ膜３０と、を備え、ＦＴＩＲによって測定したＳｉＮ膜３０のＳｉ−Ｎ結合のピーク位置が８４５ｃｍ^−１以上８６０ｃｍ^−１以下である。これにより、配線金属の拡散を防ぐためのバリア絶縁膜である窒化シリコン膜において、リーク電流を抑制することができる （もっと読む）

【課題】制御性よく空洞部を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダミーゲート電極２２上にオフセットスペーサ材料層を形成し、オフセットスペーサ材料層に異方性エッチングを行い、ダミーゲート電極２２の側壁下部にオフセットスペーサ２４を形成する。そして、サイドウォール１５の形成後、ダミーゲート電極２２とオフセットスペーサ２４とを除去し、高誘電率材料からなるゲート絶縁膜１３とメタルゲート電極１４とを異方性の高い堆積方法を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】配線の絶縁膜内へのＣｕ溶出を抑制すると共に、配線間におけるショートの発生を抑止し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＣＭの半導体装置において、ベアチップ１，２間を接続する配線４ａをＣｕ材料１３を用いてダマシン法で形成する際に、上面が有機絶縁膜１１の表面から上方に突出し、上面の配線幅方向の中央部位が端部位よりも厚い配線４ａを形成し、配線４ａのＣｕ材料１３上のみにメタルキャップ膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング・パッド下方に各回路を有する集積回路。
【解決手段】一実施例において、集積回路は基板と、最上部導電層と、１つ以上の中間導電層と、絶縁材料から成る各層と、各デバイスとを具備する。最上部導電層は少なくとも１個のボンディング・パッド及び比較的硬質の材料から成る副層を有する。１つ以上の中間導電層は最上部導電層及び基板の間に形成する。絶縁材料から成る各層は各導電層を分離する。更に、絶縁材料から成る各層のうちの１つの層は比較的硬質で、最上部導電層及びこの最上部導電層に最も近接した中間導電層の間に位置する。各デバイスは集積回路に形成する。また、最上部導電層に最も近接した少なくとも中間導電層は、ボンディング・パッド下方の各選択デバイスの機能的相互接続部に対して適合する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部２０を画成する被覆構造体３０と、空洞部２０に収容されたヒューズ素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、を含み、被覆構造体３０は、導電層を有し、ヒューズ素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃの材質は、導電層の材質と同じである。 （もっと読む）

【課題】巣及びボイドのないビアを形成する。
【解決手段】半導体基板１１を貫通するビアホール５１と、ビアホール５１の内壁面を被覆する無機絶縁膜１３と、無機絶縁膜１３の表面に脱水縮合により一端が結合され、他端にメルカプト基又は含硫黄芳香族複素環式基を有するカップリング剤から形成されたカップリング層１５と、メルカプト基又は含硫黄芳香族複素環式基に結合された触媒金属１６と、触媒金属１６上に形成された無電解めっき金属からなるシード層１７と、ビアホール５１を埋め込みシード層１７上に形成された電解めっき金属１８からなるビア１８ａと、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】直接描画法によりレジストの膜パターンやパッシベーション用などの有機膜パターンを形成する際に発生し易い描画性や密着性の問題を防ぐことのできる半導体基板への有機膜パターンの直接描画プロセスにおける前処理方法を提供すること。
【解決手段】相互に異なる材料で構成された複数のパターン膜２、３、４で覆われた半導体基板１表面上に、前記複数のパターン膜２、３、４上に跨って積層される有機膜パターン５を直接描画法により形成する際に、前処理として前記半導体基板１表面を、プラズマ生成ガスとして酸素と窒素を用いてアッシングし、続いて水素と窒素をプラズマ生成ガスとして用いてクリーニング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に対応し得る金属配線を作製する。
【解決手段】絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜１２，１３を形成し、前記導電膜１２，１３上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成する。このようにして形成された金属配線は、幅や長さのばらつきが低減されており、基板１０の大型化にも十分対応し得る。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の電極がはんだバンプを介して接続パッドに電気的に接続されているとともに、エレクトロマイグレーションが効果的に抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１の電極３の外周の一部に電子回路２が直接に接続されてなる半導体素子と、半導体素子の電極３と対向して配置された接続パッド５を備える配線基板４と、電極３と接続パッド５との間に介在して、電極３および接続パッド５に接合されたはんだバンプ６とを備え、電極３とはんだバンプ６との界面に沿って、電極３の外周の電子回路２が接続されている一部に接した部分において他の部分よりも厚いニッケル層７が介在している半導体装置である。ニッケル層７の厚みの差に応じた電気抵抗差によって、半田バンプ６に流れる電流の電流密度を均一化し、電流の集中によるマイグレーションを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブによりビアプラグを構成する半導体装置の製造方法において、製造効率を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜中にビアホールを形成し、ビアホールの底に触媒粒子３ｃを付着させる。ビアホール中において触媒粒子を起点に、カーボンナノチューブを絶縁膜の表面を超えて成長させ、複数のカーボンナノチューブよりなるカーボンナノチューブの束を形成する。絶縁膜上に前記カーボンナノチューブの束を覆って、誘電体膜の塗布液を塗布し、絶縁膜上における塗布液の厚さを、絶縁膜上における塗布膜の表面の高さが絶縁膜表面におけるカーボンナノチューブの高さ以下になるように減少させる。厚さが低減された塗布膜を硬化させて誘電体膜４Ｄを形成し、誘電体膜を除去して絶縁膜の表面を露出させ、絶縁膜の表面に、カーボンナノチューブによりビアプラグ４ＶＡ，４ＶＢを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭセルとロジックを混載したＬＳＩデバイスにおけるアスペクト比の大きいコンタクト構造において、素子分離絶縁膜および不純物拡散層のオーバエッチングを抑制して、接合リークを抑制することを課題とする。
【解決手段】周辺ＭＯＳトランジスタを覆う第１エッチングストッパ層１２１と、ＤＲＡＭメモリセルのキャパシタ部上層に第２エッチングストッパ層１２２が形成され、周辺ＭＯＳトランジスタの不純物拡散層１１３は、第１、第２エッチングストッパ層１２１、１２２を貫通する電極層１３１により、上記キャパシタ部上層に形成された金属配線層と接続され、不純物拡散層１１３の少なくとも一つは素子分離絶縁膜１０２の境界上に電極層１３１を接続し、素子分離絶縁膜１０２上に形成された電極層１３１の底部の不純物拡散層１１３表面からの深さ寸法は、不純物拡散層１１３の接合深さ寸法もより短く形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを起点とした絶縁膜の剥がれの伸展を防ぐことができる配線パターンを得る。
【解決手段】半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、配線メタル２が設けられている。配線メタル２上に金メッキ４が設けられている。金メッキ４は、ボンディングパッド部５と配線部６を有する。ボンディングパッド部５及び配線部６を覆うように金メッキ４上に連続してＳｉＮ膜７が設けられている。ボンディングパッド部５上においてＳｉＮ膜７にコンタクトホール８が設けられている。ボンディングパッド部５と配線部６の間において金メッキ４に段差が設けられている。 （もっと読む）

【課題】工程数を削減して生産性を向上できる構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体層１にトレンチ２０を形成する工程と、トレンチ２の内壁およびトレンチ２外の表面を覆うように半導体層１上に絶縁膜３を形成する工程と、トレンチ２を埋め尽くし、トレンチ２外の絶縁膜３上に堆積されるように導電性のポリシリコン膜４を形成する工程と、トレンチ２内、およびトレンチ２外の絶縁膜３上の所定領域にポリシリコン膜４が残るように、当該ポリシリコン膜４を選択的に除去するポリシリコンエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】少なくともフォトマスクの枚数を増加させることなく、積層構造の下部の導電層が露出するように該導電層上の絶縁膜に対する開口部の形成方法を提供する。
【解決手段】開口部が設けられる部分の積層構造の下部の導電層を、該開口部を形成するフォトマスクと同一のフォトマスクを用いて形成されたエッチングマスクにより予め露出させ、その後保護絶縁膜を形成し、前記積層構造の上部の導電層が開口部において露出されないように、保護絶縁膜に開口部を形成する。このような開口部の形成方法は、半導体装置の作製方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ内の銅配線が一部消失することを防ぐ。
【解決手段】上層プラグ一本当たりの下層の配線の面積が１００００μｍ^２以上になるような大面積の多層配線を有する半導体装置において、前記多層配線が半導体基板１Ｓの主面においてｎ型拡散層ＮＳを介してｐウエルＰＷに接続される構造を形成せず、前記多層配線をｐ型拡散層ＰＳを介してｐウエルＰＷに接続する構造、前記多層配線をｐ型拡散層ＰＳを介してｎ型拡散層ＮＳに接続する構造、前記多層配線をｎ型拡散層ＮＳを介してｎウエルに接続する構造、または半導体基板１Ｓ上に形成されたＭＩＳＦＥＴのゲート電極に接続する構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜１を形成する工程と、層間絶縁膜１上に導電性を有する第１の薄膜２を形成する工程と、第１の薄膜２上に第２の薄膜３を形成する工程と、第２の薄膜３上に、複数階調露光によって膜厚差を有するレジストパターン５を形成する工程と、膜厚差を有するレジストパターン５を介して、第２の薄膜３及び第１の薄膜２をエッチングして、レジストパターンの存在しない領域の層間絶縁膜１を露出させる工程と、膜厚差を有するレジストパターン５をアッシングして、レジストパターンの薄膜部５ｂを除去する工程と、薄膜部５ｂが除去されたレジストパターン５ｃを介して、第２の薄膜３をエッチングする工程と、を順次実施する。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの微細化による半導体装置の高集積化と、スルーホール内に埋め込まれる導体のカバレッジ性と、を両立させる。
【解決手段】半導体装置は、下層配線２と、下層配線２上に形成され、下層配線２の上面を露出させる開口３１を有する第１絶縁膜（例えば、有機絶縁膜３）と、第１絶縁膜上に形成され、スルーホール５が形成された第２絶縁膜（例えば、無機絶縁膜４）とを有する。半導体装置は、更に、スルーホール５に埋め込まれ、下層配線２と電気的に接続された導体９を有する。開口３１は、上側に向けて拡径するテーパー形状に形成されている。スルーホール５の側壁５ａの少なくとも下端は、開口３１の側壁３１ａを構成する傾斜面の上に位置している。 （もっと読む）