【課題】耐熱性や絶縁性の劣化などの不良の発生が抑えられた絶縁膜と、金属配線とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に吸湿性を有する絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜にダミーコンタクトホールとコンタクトホールとを形成する。基板を熱処理して絶縁膜に含まれる水分を脱離させた後、金属膜で構成されるコンタクト１０３およびダミーコンタクト１１０をそれぞれ形成する。熱処理により、コンタクトホールおよびダミーコンタクトホールを通して絶縁膜中の水分を脱離させることができる。 （もっと読む）

半導体構造（３００）は、半導体基板（３０１）を有する。前記半導体基板（３０１）の上に電気絶縁材料の層（３０４）が形成されている。前記電気絶縁材料の層（３０４）に導電性の特徴（３１２）が形成されている。前記導電性の特徴（３１２）と前記電気絶縁材料の層（３０４）の間に第１の半導体材料の層（３２０）が形成されている。
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【課題】水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に強誘電体キャパシタ３を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３を被覆する水素バリア膜１２を形成する工程と、水素バリア膜１２を被覆する層間絶縁膜１３を形成する工程と、Ｃ_４Ｆ_８ガススとＯ_２ガスとを少なくとも含む混合ガスを用いたエッチングにより層間絶縁膜１３及び水素バリア膜１２を貫通する貫通孔２１を形成する工程とを備え、Ｃ_４Ｆ_８ガスの流量がＯ_２ガスの流量に対して０．７７倍以上３．８倍以下である。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の劣化を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、基板２１上方に順次設けられた第１電極３２、強誘電体膜３３、及び第２電極３４を有する強誘電体キャパシタ３と、強誘電体キャパシタ３の上面及び側面を覆う水素バリア膜４と、水素バリア膜４及び基板２１を覆う層間絶縁膜６と、層間絶縁膜６及び水素バリア膜４を貫通して第２電極３４を露出させるコンタクトホール７０と、第２電極３４上を含むコンタクトホール７０の内壁面７０ａを覆い、水素バリア性を有する導電材料からなるバリアメタル７５と、コンタクトホール７０内に埋設されたプラグ導電部７と、を備えている。水素バリア膜４におけるコンタクトホール７０の内壁面は、コンタクトホール７０の内側に向かって凹となる湾曲面となっており、水素バリア膜４におけるコンタクトホール７０の内径は第２電極３４に向かって小さくなる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体材料において酸素欠損が発生することをより確実に防止できる強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に強誘電体キャパシタ３を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３を被覆する水素バリア膜１２を形成する工程と、水素バリア膜１２に貫通孔２１を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３及び水素バリア膜１２を被覆する第２層間絶縁膜１３を形成する工程と、第２層間絶縁膜１３に貫通孔２１を形成する工程と、貫通孔２１の内壁面及び強誘電体キャパシタ３の上面それぞれに密着層２４を形成する工程と、貫通孔２１内にプラグを形成する工程とを備え、貫通孔２１が、貫通孔２１の内側に形成されると共に、貫通孔２１の内壁面が、被覆層２４で被覆される。 （もっと読む）

【課題】液相中で、常温、常圧にて、例えば基体上に薄膜を成膜し、あるいは又、基体表面を処理するための溶液層の処理方法を提供する。
【解決手段】溶液層の処理方法は、基体１０の表面（第１面１１）に例えば塗布された溶液層２０に放電用電極３０を用いて誘電体バリア放電処理を施す。これによって、例えば、溶液層中に固相体を析出させることができるし、あるいは又、基体１０の表面１１を清浄化することができる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタの特性ばらつきを低減する。
【解決手段】本発明の製造方法は、基体上に第１電極３２と強誘電体膜３３と第２電極３４とが順次積層された強誘電体キャパシタ３を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３及び前記基体を覆って第１層間絶縁膜５を形成する工程と、第１層間絶縁膜５を覆って第２層間絶縁膜６の材料膜６１を形成する工程と、材料膜６１の上面側をＣＭＰ法で研磨することにより、強誘電体キャパシタ３上に位置する第１層間絶縁膜５を露出させる工程と、第１層間絶縁膜５を露出させる工程の後に、第１層間絶縁膜５を貫通して第２電極３４を露出させるコンタクトホール７０を形成する工程と、コンタクトホール７０内に、第２電極３４と導通するプラグ導電部を形成する工程と、を有する。第１層間絶縁膜５は、第２層間絶縁膜６と比して、ＣＭＰ法による研磨速度が遅くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】表面が微細かつ平坦な縦接続層を有し、イオン化層を有する記憶素子の下部電極として記録材料に適した材料を選択可能な構成を有する配線構造、およびこの配線構造を用いた記憶素子を提供する。
【解決手段】第１絶縁層１の溝１３内に縦接続層１４を形成する。縦接続層１４は、溝１３内に埋設された円柱状の基部１４Ａと、基部１４Ａよりも横断面積の小さな円柱状の上部１４Ｂと、円錐台形状の中間部１４Ｃとにより構成されている。第２絶縁層１５の表面と縦接続層１４の上部１４Ｂの表面とは共通の平坦面を形成している。縦接続層１４は下部電極を兼ねており、絶縁層１２および縦接続層１４の上部１４Ｂ上に記憶層１６および上部電極１７がこの順に積層されている。縦接続層１４の上部１４Ｂを微細な平坦面とすることができる一方、基部１４Ａを大径とすることができ，空隙が発生する虞がなくなり、表面の平坦性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上、特に、配線の低抵抗化、また、配線材料の半導体装置を構成する半導体層への拡散の低減を図る。
【解決手段】半導体装置を、基板上に形成された半導体膜（１３）と、半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成され、第１導電性材料よりなるゲート電極部（Ｇ）と、ゲート電極部と同一層に、ゲート電極部と電気的に接続されるよう配置され、前記前記第１導電性材料とは異なる第２導電性材料を含有する配線部（ＧＬ）と、を有するよう構成する。ゲート電極部と配線部とを異なる材料で構成することで、ゲート電極部および配線部の構成材料を最適化できる。例えば、チャネル領域上のゲート電極（Ｇ）部を拡散し難いＮｉ配線で構成し、チャネル領域とは重ならないゲート配線（ＧＬ）部は、抵抗の低いＡｇ配線を用い、配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】
互いにパターン（平面形状）の異なる２種類以上の薄膜を積層した積層構造を形成する工程にて、１回のフォトリソグラフィ工程で夫々の薄膜形状を画定すること。
【解決手段】
基板１上に２層の薄膜３，２を順次成膜し、次に薄膜２の上面に形成された第１マスクパターン４を用いて薄膜２のエッチングを行い、第１の薄膜パターン６を形成する。その後、第１マスクパターン４を残した状態で第１マスクパターン４及び薄膜２の上に、有機材料のオフセット印刷、インクジェット印刷、又はディスペンサノズルによる追加塗布で第２マスクパターン５を形成する。最後に、薄膜３を第１マスクパターン４及び第２マスクパターン５を用いて第２の薄膜パターン７に成形し、続いて２つのマスクパターン４，５を除去する。以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を生産性よく作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜の表面からレーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。次に、結晶性が改善された微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】基板の選択範囲を広げることのできる導電膜の形成方法と、描画面積が大きくなった場合の生産性の低下を抑制可能な導電膜の形成方法とを提供する。また、これらの方法によって形成された導電膜からなる電極を提供する。
【解決手段】金属超微粒子を含むインクを基板の上に塗布した後、荷電粒子ビームを照射しながら２００℃以下の温度でインクを焼成して導電膜を得る。荷電粒子ビームは電子ビームとすることができる。また、金属超微粒子を含むインクを基板の上に塗布した後、紫外線ランプで紫外線を照射しながら２００℃以下の温度でインクを焼成して導電膜を得る。いずれの場合においても、塗布はインクジェット法によって行われることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】合わせマークのサイズが大きい場合でもその異常酸化を防止できるようにした半導体装置の製造方法及び合わせマークの形成方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。このような構成であれば、開口部Ｈを浅く形成することができるので、開口部Ｈ内をＷ膜１１で埋め込むことが容易であり、合わせマーク１５の表面の段差を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハエッヂ部における膜はがれやパターン飛びを防止できる半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１上には、トレンチ分離膜５００により分離された活性領域にゲート構造４００が形成されており、さらに、コンタクト層間膜１０３および、ｌｏｗ−ｋビア層間膜すなわちＶ層とｌｏｗ−ｋ配線層間膜すなわちＭ層とが交互に成膜された多層配線構造が形成されている。第一の層間膜１１３から第五の層間膜１５３までのFineレイヤにおいては、Ｍ層のウエハエッヂ部は除去されているが、Ｖ層のウエハエッヂ部は除去されていない。また、コンタクト層間膜１０３のウエハエッヂ部は除去されていない。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金中の合金元素を少なくしても、透明酸化物導電膜との接触抵抗を低くすることのできる低接触電気抵抗型電極、およびこうした電極を製造するための有用な方法、並びにこうした電極を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の低接触電気抵抗型電極は、酸化物透明導電膜と直接接触するＡｌ合金薄膜からなる低接触電気抵抗型電極において、前記Ａｌ合金は、Ａｌよりもイオン化傾向が小さい金属元素を０．１〜１．０原子％の割合で含有し、且つＡｌ合金薄膜の酸化物透明電極と直接接触するＡｌ合金薄膜表面は、最大高さ粗さＲｚで５ｎｍ以上の凹凸が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】合わせマークのサイズが大きい場合でもその異常酸化を防止できるようにした半導体装置の製造方法及び合わせマークの形成方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１から第３層間絶縁層９の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とを繋ぐと共に、第１層間絶縁層３をエッチングストッパ層として使用し、第１層間絶縁層３上に合わせマーク１５を形成する。開口部Ｈを浅く形成することができるので、開口部Ｈ内をＷ層１１で埋め込むことが容易となり、合わせマーク１５を覆う酸化バリア層１７の段差被覆性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ヒロック発生を防止し、密着性とバリア性に優れた配線膜を形成する。
【解決手段】成膜対象物２１が配置された真空槽１３に酸素又は窒素を含有する添加ガスを導入し、Ｚｒ等の添加元素を含む銅ターゲット１１をスパッタリングし、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を形成する。バリア膜２４は銅を主成分とするため、アルミニウム膜２３と同じエッチング液でエッチング可能であり、添加元素と酸素を含むため、アルミニウム膜２３にヒロックが発生しない。また、配線膜２５の表面にＩＴＯを密着させた場合には、アルミニウム膜２３は直接ＩＴＯに接触しないからコンタクト抵抗も高くならない。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を上昇させることなく、誘電体焼成時におけるＣｕ配線の酸化を抑制し、配線脇に残存する泡を起因とした耐圧不良を回避可能な保護膜を提供する。
【解決手段】Ｃｕ配線上に２種類の金属種から構成される保護層をめっき法により形成する。保護層を２層構造とする場合、Ｃｕ表面全面を被覆するようにＣｏ膜を中間層として積層し、Ｃｏ膜の上にＮｉ膜を積層する。また、保護層を単層構造とする場合、Ｃｏ−Ｎｉ合金膜でＣｕ表面全体を被覆する。 （もっと読む）

【課題】フォト工程の低減を図った表示装置の製造方法。
【解決手段】第１導電型ＴＦＴと第２導電型ＴＦＴの各形成領域に、半導体層、第１絶縁膜、ゲート電極が形成され、前記半導体層のチャネル領域の各外側に第１導電型不純物領域が形成されている基板上に第２絶縁膜を形成し、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極を露出させることなく、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極のうち半導体層と交差する各辺の一部を露出させるようにして、ドレインおよびソースの各電極の接続用のコンタクトホールを形成し、多層導電層によって、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域における前記各コンタクトホール、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において前記各コンタクトホールのゲート電極の一部を被うようにして、ドレインおよびソースの各電極を形成し、第２導電型不純物をドープして、半導体層に第２導電型不純物領域を形成する。 （もっと読む）

【目的】配線幅の微細化を図る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基板上に第１の絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０４）と、第１の絶縁膜に開口部を形成する開口部形成工程（Ｓ１０６）と、開口部の側面および底面に触媒特性膜を形成する触媒特性膜形成工程（Ｓ１０８）と、触媒特性膜が側面および底面に形成された開口部にＣｕ膜を埋め込むめっき工程（Ｓ１１２）と、開口部の側面に形成された触媒特性膜を除去する触媒特性膜除去工程（Ｓ１１６）と、触媒特性膜が除去された後に、第１の絶縁膜およびＣｕ膜上に第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程（Ｓ１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）