【課題】パッドと半導体装置の製造方法において、パッドの配置密度を向上させると共に、電気的試験で使用されるプローブによってパシベーション膜が欠損するのを防止する手段の提供。
【解決手段】開口面以外がパシベーション膜４０、４１で覆われたパッド３７ｂにおいて、半導体装置に設けられた三角形状又は台形状の第１の金属膜３７ｘと、第１の金属膜３７ｘ上であって、パッド３７ｂの開口面の一部分に開口４１ａの側面と接するように形成された第２の金属膜３７ｙとを備えたパッドとする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。
【解決手段】半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。金属酸化物層（５）は、Ｃｕ配線層（４）上にＳｎまたはＺｎなどの金属を浸漬メッキし、その後このメッキ層を酸化性雰囲気中で加熱処理して形成される。 （もっと読む）

集積回路中の銅線を完全に取り囲んでいるケイ酸マンガン層及び窒化ケイ素マンガン層を組み込んだ集積回路用の配線構造、及びその製造方法を提供する。ケイ酸マンガンは、銅が配線から拡散しないためのバリアを形成し、それにより、絶縁体が磁気尚早に損しないよう保護し、トランジスタが銅により劣化しないように保護する。また、ケイ酸マンガン及び窒化ケイ素マンガンは、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、これゆえに製造及び使用の間のデバイスの機械的な完全性が保持される。また、銅−ケイ酸マンガン界面及び窒化ケイ素マンガン界面における強い接着は、デバイスの使用の間の銅のエレクトロマイグレーションによる損傷から保護する。また、マンガン含有シースは、銅がその周囲の酸素又は水により腐食しないよう保護する。 （もっと読む）

【課題】基板上にマイクロパターンを高精度にかつ容易に形成することを可能とするマイクロパターンの製造方法を得る。
【解決手段】 マイクロパターンが上面６ａに形成される基板６と、前記マイクロパターンに対して反転されたパターン形状を有するフィルム状パターニング材１Ａとを用意する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａを前記基板６の上面に積層する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａが積層された基板６の上面に被パターニング材料７を塗布する工程と、前記基板６の上面６ａから前記フィルム状パターニング材１Ａを除去して、前記フィルム状パターニング材１Ａと反転されたマイクロパターンとなるように前記被パターニング材料７をパターニングし、それによって、被パターニング材料７からなるマイクロパターン７Ａを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温かつ長時間の熱工程を経ても、酸化されないコンタクトプラグを備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にトランジスタを形成し、前記トランジスタ及び前記半導体基板を覆う層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜にこれを貫通する、１つ以上のコンタクトホールを開口し、前記コンタクトホールの側面に、酸化性ガスが拡散するのを防ぐ、絶縁性の酸化性ガス拡散防止膜を成膜し、前記酸化性ガス拡散防止膜の内側に、前記トランジスタの端子とコンタクトするコンタクトプラグ本体を埋め込んで、前記層間絶縁膜から発生する酸化性ガスが前記酸化性ガス拡散防止膜によって前記コンタクトプラグ本体に拡散するのを防止可能な構成を作り、この後、前記層間絶縁膜の上方に、前記コンタクトプラグ本体の１つと電気的に導通する、強誘電体膜を含む強誘電体キャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜を薄くする場合であっても良好なバリア性を確保し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された第１の導電体３２と、半導体基板上及び第１の導電体上に形成され、第１の導電体に達するコンタクトホール５２と、コンタクトホールの上部に接続された溝５４とが形成された、酸素を含む絶縁膜４８と、コンタクトホールの側面並びに溝の側面及び底面に形成された酸化ジルコニウム膜６２と、コンタクトホール内及び溝内における酸化ジルコニウム膜上に形成されたジルコニウム膜６４と、コンタクトホール内及び溝内に埋め込まれたＣｕより第２の導電体７０とを有している。 （もっと読む）

【課題】新規な電子デバイスあるいは電子回路を製造するための、簡単な原理、構造の製造装置を提供すること。
【解決手段】基板上に、機能性材料を含む液体をインクジェット原理の噴射ヘッドでドットとして付与し、該ドット中の揮発成分を揮発させ、固形分を前記基板上に残留させることによってドットパターンを形成してなる電子デバイスあるいは電子回路の製造装置において、前記液体は、前記機能性材料が呈する色とは別の色を呈する色材を含有する液体である。 （もっと読む）

【課題】エアギャップにビアが侵入することを防止すると共に配線間容量のさらなる低減を図り、また、空隙部を有する多層配線構造の機械的強度の向上及び酸化性物質の拡散防止を図り、歩留まりの低下を抑止できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１の層間絶縁膜１０１と、第１の層間絶縁膜１０１に形成された複数の第１の配線１０５とを有している。第１の層間絶縁膜１０１における複数の第１の配線１０５の隣り合う配線同士の間には、空隙部１１２が選択的に形成されており、空隙部１１２の上で且つ配線同士の間に形成されたキャップ絶縁膜１１１が形成されている。空隙部１１２における下端部の幅及び上端部の幅は、空隙部１１２と隣接する配線同士の間隔と同一であり、空隙部１１２の下端部の位置は、該空隙部１１２と隣接する第１の配線１０５の下端部の位置よりも低い。 （もっと読む）

【課題】データ線から発生する電気力線が画素電極に進入することを防止し、開口率を大きくすることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板１００Ａは、データ線１２を覆う無機絶縁膜１５と、データ線１２の上方において無機絶縁膜１５上に設けられた突起状の有機絶縁膜２１と、有機絶縁膜２１を覆い、かつ、上方から見たときにデータ線１２を覆うシールド共通電極２６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く且つ配線間容量を十分に低減でき、且つ機械的強度を十分に得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の上に形成された第１の層間絶縁膜１０１と、第１の層間絶縁膜１０１に形成された複数の配線１０５と、第１の層間絶縁膜１０１に複数の配線１０５の少なくとも１つと接続するように形成されたビア１１３及びダミービア１０６とを有している。第１の層間絶縁膜１０１における互いに隣り合う配線１０５同士の間には空隙部１０９が選択的に形成されており、ダミービア１０６は、空隙部１０９と接する配線１０５Ａの下側に該配線１０５Ａと接続して形成され、ビア１１３及びダミービア１０６は、空隙部１０９を介することなく第１の層間絶縁膜１０１により周囲を覆われている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗物質からなると同時に低抵抗の接触特性を有する配線の接触構造及びその製造方法の提供にある。本発明の他の課題は、接触特性の良い配線の接触構造を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手段】基板上に開口部を有する配線を形成する工程、前記配線を覆う絶縁膜を積層する工程、前記絶縁膜をパターニングし前記開口部を露出する接触孔を形成する工程、及び前記絶縁膜上に前記接触孔を通じて前記配線と接触する第１導電層を形成する工程を含む配線の接触構造形成方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの良好な特性を安定的に得ること。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ（１３５）は、第１のオーミックコンタクト層（１３９Ａ）と、第１のオーミックコンタクト層（１３９Ａ）とは適当な間隔をあけて分離されて設けられた第２のオーミックコンタクト層（１３９Ｂ）と、少なくとも一部が、第１のオーミックコンタクト層（１３９Ａ）上に設けられたソース電極（１３８）と、少なくとも一部が、第２のオーミックコンタクト層（１３９Ｂ）上に設けられたドレイン電極（１３７）と、第１のオーミックコンタクト層（１３９Ａ）、第２のオーミックコンタクト層（１３９Ｂ）、ソース電極（１３８）およびドレイン電極（１３７）上に設けられた半導体層（１４０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】所定の形状に精度よくパターニングすることができる導電膜の形成方法を提供することである。
【解決手段】電気絶縁性を有する被成膜体の表面上に、金属微粒子を含む導電膜用の塗布液を塗布して導電膜用の膜を形成し、被成膜体に塗布された前記導電膜用の膜を第１の温度で加熱し、前記低電気抵抗の導電膜よりも電気抵抗が高い高電気抵抗の導電膜を形成し、前記高電気抵抗の導電膜の一部を除去し、高電気抵抗の導電膜を所定の形状にパターニングし、パターニングされた高電気抵抗の導電膜を第２の温度で加熱して電気抵抗を低下させ、低電気抵抗の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物透明導電膜の上に反射電極用のＡｌ合金膜が直接接続された構造を備えた表示装置において、ＴＭＡＨ水溶液などのアルカリ現像液中での腐食が生じ難く、Ａｌ系合金膜の腐食を有効に防止することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物透明導電膜１９ａの上に反射電極用のＡｌ合金膜１９ｂが直接接続されてなる構造を備えた表示装置１１の製造方法であって、基板上に酸化物透明導電膜を形成する第１の工程と、酸化物透明導電膜上にＡｌ合金膜を形成する第２の工程と、Ａｌ合金膜を加熱する第３の工程とを包含し、Ａｌ合金膜は、Ｎｉ及び／又はＣｏを０．１〜４原子％、およびＬａ、Ｍｇなどから選択される少なくとも一種の元素を総量で０．１〜２原子％の範囲で含有するＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｘ合金からなり、Ｎｉ及び／又はＣｏ含有量に応じて、第２の工程における基板の温度および第３の工程における加熱温度を制御している。 （もっと読む）

【課題】減圧状態の空洞を有する半導体装置の簡易な製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の上方に絶縁層２０を形成する工程と、絶縁層２０をエッチングして孔部２２を形成する工程と、絶縁層２０の上方に接着層３０を形成する工程と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方の雰囲気中で、孔部２２を密閉するように、接着層３０の上方に封止板４０を積層する工程と、半導体基板１０を減圧雰囲気中で加熱する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、金属微粒子分散体の基板への塗布と加熱処理による焼結により基板上に形成される金属膜の基板との密着性の向上を図り、耐環境性を向上させると共にメッキ下地膜などにも利用出来る金属膜積層体、及びその製造方法、並びにそれを用いた金属配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の金属膜積層体は、有機金属化合物から形成される金属酸化物膜と金属微粒子分散体から形成される金属膜とを基板上に複数層積層し、基板上に形成される最初の膜は金属酸化物膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅配線を用いる半導体装置において、銅配線の酸化を防ぐと共に、配線間誘電率を低下させる。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板上に形成された第１の層間絶縁膜１１と、第１の層間絶縁膜１１上に埋め込まれて形成され、銅を含む導電膜１２ｂを有する配線１２と、配線１２上を含む第１の層間絶縁膜１１上に形成された絶縁性バリア膜１５と、絶縁性バリア膜１５上に形成され、低誘電率膜からなる第２の層間絶縁膜１６と、導電膜１２ｂと絶縁性バリア膜１５との間に導電膜１２上を覆うように形成され、銅よりも酸化還元電位の大きい元素を含む合金層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下がなく、配線間容量を実用上十分に低減できる配線構造を有する半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１００の上に形成された第１の層間絶縁膜１０１と、該第１の層間絶縁膜１０１に形成された複数の溝部に埋められた、導電性部材からなる複数の下部配線１０５とを有している。第１の層間絶縁膜１０１における複数の下部配線１０５の隣り合う配線同士の間には、第１の層間絶縁膜が除去されてなる空隙部１０１ｃが選択的に形成されている。また、空隙部１０１ｃの下端部の位置は、各下部配線１０５の下端部の位置よりも低い。 （もっと読む）

【課題】曲げ等の外力が加わり応力が生じた場合であってもトランジスタ等の損傷を低減する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜及びゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜とを有している。 （もっと読む）

【課題】可撓性のある樹脂基板上に領域選択的に形成された、密着性およびデバイス特性に優れる有機デバイスおよび、その作製方法を提供する。
【解決手段】デバイスが形成される可撓性基板表面領域と該基板表面に設けられた前記基板以外の材料からなる所定の領域との両領域か、またはいずれかの領域の表面に、有機分子を化学結合させて形成した機能性有機分子層と、前記機能性有機分子層上の一部に、前記有機分子と同種または異種の有機分子とを化学結合させて、更に積層した少なくとも一つ以上の機能性有機分子層とを備えた有機デバイスであって、前記領域において、有機分子層の積層回数を異ならせた領域が含まれていることを特徴とする有機デバイスを提供する。 （もっと読む）