【課題】ウエットエッチングを採用した場合でも、未エッチング部分を発生させずに微細なパターンを形成することができる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板上に、スリット７ｂを備えた透光性の画素電極７ａを形成するにあたって、透光性導電膜７の上にレジストマスク９６を形成した後、ウエットエッチングを行なう。レジストマスク９６において、マスク開口部９６ｂを挟むマスク線状部９６ｅの側面部９６ｆは斜め上向きのテーパ面になっている。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた薄膜トランジスターのゲート電極、ソース電極およびドレイン電極などの配線膜および配線下地膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｍｇ：０．１〜５原子％、Ｃａ：０．１〜１０原子％を含有し、必要に応じて、ＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜１０原子％を含有し、さらに必要に応じてＰ：０．００１〜０．１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する薄膜トランジスター用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】銅配線本体の開放表面に形成されるマンガンを含むバリア層に最適な内部構成を持たせて、そのバリア機能を充分に発揮させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】銅配線１は、電気絶縁層３に銅からなる配線本体８を備える。配線本体の外周８１は、電気絶縁層に対向している第１の外周８ａと電気絶縁層との間に形成された第１のバリア層７ａと、配線本体の外周のうち電気絶縁層に対向していない第２の外周８ｂに接して形成された第２のバリア層７ｂとを備える。第１および第２のバリア層はそれぞれマンガンを含む酸化物層からなるとともに、各バリア層内の厚さ方向でマンガンの原子濃度が極大となる位置を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体に蓄積した電荷が放電を起こすことにより、アンテナ又は薄膜トランジスタを有する回路を破壊してしまう問題（静電気破壊の問題）を解決することを目的とする。
【解決手段】第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に設けられた薄膜トランジスタを有する回路と、前記回路上に設けられ、前記回路と電気的に接続されたアンテナと、前記アンテナ上に設けられた第２の絶縁体と、を有し、前記第１の絶縁体と前記回路との間に第１の導電膜が設けられ、前記第２の絶縁体と前記アンテナとの間に第２の導電膜が設けられる。 （もっと読む）

【課題】幅が細く、かつ厚さが均一な断面形状を有するパターン形成方法、デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】本発明のパターン形成方法は、基板を所定の温度に加熱する第１の工程と、基板を所定の温度に保持しつつ、パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を基板上に滴下し、乾燥させる第２の工程と、液体材料を所定の温度の基板に滴下させたときの蒸発速度よりも蒸発速度を遅くさせる第３の工程と、液体材料が乾燥してなる乾燥体上に、液体材料を滴下する第４の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス及びその製造において、直接的に最適なアライメント位置を検出する。
【解決手段】
電子デバイス１００は、第１基板Ｗｆ１と、第１基板Ｗｆ１を搭載し且つ少なくとも一つの所定領域において第１基板Ｗｆ１と電気的に接続された第２基板Ｗｆ２とを備える。所定領域は、第１基板Ｗｆ１を貫通する少なくとも一つの貫通ビア１１０と、第１基板Ｗｆ１に、所定領域の一部を囲み且つ両端が接するのを避けて設けられた第１の配線１１１と、第１基板Ｗｆ１上に設けられ、第１の配線の両端にそれぞれ電気的に接続する一対の端子パッドと、第２基板Ｗｆ２上に設けられ、貫通ビア１１０と接続された少なくとも一つの導電部２２３とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２バリア膜１３の形成後に、ＳｉＨ_４を含むガスを用いたＰＥＣＶＤ法により、Ｃｕ層２０上にＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる犠牲層２１が積層される。犠牲層２１にＳｉおよびＯが含まれるので、犠牲層２１の積層過程で、Ｃｕ層２０と犠牲層２１との界面にＭｎＳｉＯからなる反応生成膜２２が生じる。この反応生成膜２２の生成にＭｎが使用されることにより、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物材料、とりわけ、二価金属の酸化物または三価金属の酸化物、更には酸化亜鉛系材料のエッチング時にエッチングされた面を平坦にでき、エッチング残渣を抑制し、かつ、電極材料の腐食がない好適なエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、蓚酸の部分中和物または完全中和物を含有する。蓚酸は分子内にカルボキシル基を２つ含有する二価の酸であるが、その一部が中和反応により一部または全部が置換されている。このような部分中和または完全中和を行った蓚酸を金属酸化物材料のエッチング液組成物として用いることにより、エッチングされた面が平坦になり、かつ、蓚酸による金属酸化物材料のエッチング時に発生するエッチング残渣の発生を抑制することが可能となる。更に、エッチング液のｐＨ上昇に伴って、金属酸化物材料とともにエッチング液に接触する金属材料の腐食を抑制する効果がある。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ透明電極（又はＩＺＯ透明電極）とＺＡＯ透明電極を同一液でエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 多価カルボン酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を、透明電極用のエッチング液として用いる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ透明電極（又はＩＺＯ透明電極）とＺＡＯ透明電極を同一液でエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 臭化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を透明電極用のエッチング液として用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、強誘電体膜を備えたキャパシタの劣化を防止すること。
【解決手段】シリコン基板３０の上方に、下部電極６１、強誘電体膜よりなるキャパシタ誘電体膜６２と、上部電極６３とを有するキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQ上に層間絶縁膜７１を形成する工程と、層間絶縁膜７１に、上部電極６３に達するホール５９ａを形成する工程と、ホール５９ａの内面、及びホール５９ａから露出する上部電極６３の表面に第１のバリア膜６７を形成する工程と、第１のバリア膜６７上に、第１のバリア膜６７よりも酸素濃度が高い第２のバリア膜６８を形成する工程と、第２のバリア膜６８の上方に導電膜７４を形成して、ホール５９ａを埋め込む工程とを含む半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】１００℃前後の温度でもパッド金属膜がダイヤモンド層から剥離しないダイヤモンド半導体素子を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド層の上に、Ａｌ系またはＡｕ系の配線膜、パッド金属膜、および金属ワイヤを備えたダイヤモンド半導体素子であって、パッド金属膜は、配線膜および金属ワイヤと電気的に接続されており、且つ、白金族金属またはその合金で構成されている。 （もっと読む）

【課題】表示部周辺の引き回し線が多層構造となっている液晶表示装置において、走査線
とソース配線との繋ぎ換え配線部の配置を見直すことにより、より狭額縁化を達成するこ
とができる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】表示領域の周辺部の額縁領域ＰＦに、ゲート絶縁膜の下部に形成された複数
のゲート配線４１と、ゲート絶縁膜の上に形成された複数のソース配線４２と、を備え、
前記ゲート配線４１とソース配線４２との間の電気的接続を行う繋ぎ換え配線部５０を前
記コモン配線４０に形成した切り欠き部５４内に配置する。 （もっと読む）

本発明は、基板（３）上に、導電性材料（９）から成る少なくとも１つの構造化された層（１５）を含む電子構成部分に関する。ここでは導電性材料（９）から成る構造化された層（１５）の上に、第２の材料（１１）から成る保護層（１７）が被着される。この第２の材料（１１）は、前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりも、よりイオン化傾向が大きい。さらに本発明は、電子構成部分（１）の製造方法に関する。ここでは第１のステップにおいて、導電性材料（９）から成る構造化された層（１５）を基板（３）上に被着し、第２のステップにおいて、前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりもイオン化傾向がより大きい第２の材料（１１）から成る保護層（１７）を、前記構造化された層（１５）の上に被着する。
（もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１上に強誘電体キャパシタ３７を形成する際、下部電極膜２５の上に、アモルファス又は微結晶の酸化導電膜２６を形成する。酸化導電膜２６を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜２７の初期層２７Ａの形成時に酸化導電膜２６を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第２の導電膜２６Ａを形成する。強誘電体膜２７は、ＭＯＣＶＤ法により形成し、その初期層２７Ａは第２の導電膜２６Ａの結晶配向に倣って成長する。これにより、強誘電体膜２７の表面モフォロジが良好になる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線上面部からの金属拡散を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、半導体基板上の第一層間膜１内に形成された溝２内に、銅と第一金属元素とを含有する銅シード膜４を形成する。その後、銅メッキ処理を施す。その後、銅層の酸化が行われない第一雰囲気中にて第一熱処理を行う。そして、余分な銅合金金属層を除去し、溝２内に銅合金配線６を形成する。その後、酸素を含有する第二雰囲気中にて第二熱処理を行うことにより、銅合金配線６表面に、第一金属元素の酸化物である酸化物層７を形成する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】剥離しない上部配線膜を形成する。
【解決手段】下部配線膜１１とコンタクトする部分や、ＳｉＮ層１２の表面に、インクジェット法によって錫又は亜鉛の微粒子が分散された第一の印刷液を塗布し、焼成して酸化錫と酸化亜鉛の少なくとも一方から成る無機接着膜１３を形成し、無機接着膜１３の表面にＡｇ微粒子が分散された第二の印刷液を塗布し、焼成して上部配線膜１４を形成する。無機接着膜１３は、下部配線膜１１表面のＭｏＮ層２３及びガラス基板１０上のＳｉＮ層１２と、上部配線膜１４と接着性が高いので、上部配線膜１４が剥離しない。 （もっと読む）

【課題】 導電性パターン部と非導電性パターン部との色相、光線透過率、ヘイズ値の差異を少なくし、導電性パターン部と非導電性パターン部とが明確に視認されることのない導電性パターン被覆体の製造方法および導電性パターン被覆体を提供するものである。
【解決手段】 導電性極細繊維を凝集又は絡み合うことなく分散配置して交差させ、当該交差した部分で互いに電気的に接触させてなる導電性繊維膜を形成する工程と、前記導電性繊維膜の所望の位置にレーザー光線を照射して、前記導電性極細繊維の一部を断線または消失させることにより導電性パターン部を形成する工程と、前記導電性極細繊維を基材表面に固定する工程を、少なくとも備えた導電性パターン被覆体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成され、第２溝１１と第１溝３とが対向する部分にビアホール１２が貫通形成された後、スパッタ法により、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が第２溝１１およびビアホール１２の側面および底面に被着される。そして、合金膜１８における第２溝１１の底面および第１配線５上に被着された部分が薄くされる。その後、合金膜１８上に、Ｃｕを主成分とする金属材料からなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリとその製造方法において、デバイスの信頼性を向上させること。
【解決手段】シリコン基板３０と、シリコン基板３０に形成されたトランジスタTR₁〜TR₃と、トランジスタTR₁〜TR₃を覆い、コンタクトホール４５ａが形成された層間絶縁膜４５と、コンタクトホール４５ａ内に形成され、トランジスタTR₁〜TR₃と電気的に接続されたコンタクトプラグ５０と、コンタクトプラグ５０の上に形成された強誘電体キャパシタQとを有し、コンタクトプラグ５０は、第１のグルー膜４２、第１のメタル膜４３、及び第２のメタル膜４８をこの順に形成してなる強誘電体メモリによる。 （もっと読む）