【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、前記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜５原子％含むと共に、前記Ａｌ合金膜の３倍以上のＧｅを含む第１層と、第１層よりもＧｅ含有率の低いＡｌ合金からなる第２層と、を含む積層構造を有すること。 （もっと読む）

【課題】 合成樹脂基板及び電極の両方に対するレベリング性に優れ、平滑性及び絶縁性に優れた硬化膜が得られる紫外線硬化型インクジェット記録用インク、それから得られた絶縁膜、電子素子及び電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 エネルギー線硬化性化合物、光重合開始剤、及び表面張力調整剤を含有し、硬化性を有さないポリマーを含まず、２５℃における粘度が１００ｍＰａ・ｓｅｃ以下、表面張力が２２〜３５ｍＮ／ｍ、かつインク硬化膜の体積抵抗率１０^１３Ω・ｃｍ以上であり、絶縁破壊強度１．２MV／ｃｍ^２以上である、絶縁膜を形成するためのソルベントフリー紫外線線硬化型インクジェット記録用インク、それを硬化してなる絶縁膜等を提供する。 （もっと読む）

【課題】経済性を備え、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、及びＣＯＦ_２からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスを含むドライエッチング剤を用いることにより、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金等を好適にエッチングできる。ドライエッチング剤は、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もＣＦ_４やＣＦ_３Ｈ等のＰＦＣ類やＨＦＣ類より格段に低く、環境への負荷が低い。さらに、第二のガスとして、含酸素ガス、含ハロゲンガス、あるいは第三のガスとして不活性ガスと混合することで、飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】ポーラス絶縁層を用いた半導体装置において、当該ポーラス絶縁層を覆うポアシール絶縁層を良好に形成すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）ポーラス絶縁層の表面にトレンチを形成する工程と、（Ｂ）ビニル基を含み−Ｓｉ−Ｏ−を含む構造を備える化学物質を、ポーラス絶縁層の表面上あるいはポーラス絶縁層中に導入する工程と、（Ｃ）当該化学物質の重合を行うことにより、ポーラス絶縁層よりも高密度のポアシール絶縁層をトレンチの表面上に形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

トランジスタは、基板と、基板上の一対のスペーサと、基板上且つスペーサ対間のゲート誘電体層と、ゲート誘電体層上且つスペーサ対間のゲート電極層と、ゲート電極層上且つスペーサ対間の絶縁キャップ層と、スペーサ対に隣接する一対の拡散領域とを有する。絶縁キャップ層は、ゲートにセルフアラインされるエッチング停止構造を形成し、コンタクトエッチングがゲート電極を露出させることを防止し、それにより、ゲートとコンタクトとの間の短絡を防止する。絶縁キャップ層は、セルフアラインコンタクトを実現し、パターニング限界に対して一層ロバストな、より幅広なコンタクトを最初にパターニングすることを可能にする。
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【課題】銅配線を有する半導体装置において、銅配線の配線抵抗やコンタクトと抵抗を増加することなく信頼性を向上しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に形成された開口部内に、銅に対して拡散防止作用を有する第１金属材料を含む第１の膜と、酸素を含有する銅膜を含む第２の膜と、銅と、酸素と結合することにより銅に対して拡散防止作用を有する第２金属材料とを含む第３の膜と、銅を主材料とする第４の膜とを含む配線層を形成した後、熱処理により、絶縁膜と第４の膜との間に、第１金属材料、第２金属材料及び酸素を含むバリア層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた、表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】層間接続により生ずるチップ面積の増大を抑制し、コスト削減を実現する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に前記半導体基板と垂直方向にそれぞれ複数層形成された互いに交差する複数の第１及び第２の配線、並びにこれら第１及び第２の配線の各交差部に接続された複数のメモリセルを有するセルアレイブロックと、前記セルアレイブロックの第ｎ層目（ｎは自然数）の第１の配線と前記第ｎ層目の第１の配線以外の第１の配線、前記半導体基板、又は他の金属配線とを接続する前記セルアレイブロックの積層方向に延びる第１のビア配線とを備える。前記第１のビア配線は、前記セルアレイブロックの積層方向と直交する断面が楕円形状であり、この断面の長径方向が前記第１の配線方向に対し垂直であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な金属酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に有機金属化合物を含むガスを供給し、下地上に金属酸化膜を成膜する金属酸化膜の成膜方法であって、下地上に有機金属化合物を供給して下地上に金属酸化膜を成膜し（工程２）、かつ、金属酸化膜の成膜プロセスの最後に、金属酸化膜を酸素含有ガス又は酸素含有プラズマに曝す（工程４）。 （もっと読む）

【課題】より効率良く光学装置を製造できる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数の光学素子１を備える光学素子シート６を、配線パターン３が形成された基板シート７に接合する工程と、上記接合する工程の後に、光学素子シート６を切断することにより、複数の光学素子１どうしを分離する工程と、上記接合する工程の後に、基板シート７を切断することにより、光学素子１と接合している配線基板を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Cu-Ti系スパッタ膜を従来よりも低い温度で熱処理しても、配線表面にTi系自己拡散バリア膜を形成できるようにする。
【解決手段】極薄のTi系膜を第一の膜２として基材１上に形成した後、Ti系材料のTi系材料とCu系材料との傾斜構造を持つ複合膜を第二の膜３として形成し、その上にCu系電極となる第三の膜４を形成することにより、３層構造の前駆体を形成する。この前駆体を450℃以下で熱処理することで、Ti系バリア膜を有するCu系電極を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの深さを正確に制御して、特定の配線層に選択的にエアギャップを形成した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１００は、半導体素子を有する半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、配線１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、配線１０ｃ、１０ｄの周囲のエアギャップ１０１、およびエアギャップ１０１に連続するスルーホール１０２含む配線構造と、スルーホール１０２下に形成されたスルーホールストッパー１０３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ酸化物を含む絶縁膜１にＣｕの配線が設けられている半導体装置であって、絶縁膜１に設けられた溝状の開口部１ａの内面に形成されたバリア膜４と、開口部１ａ内であってバリア膜４上に形成されたＣｕからなる配線本体２と、を備え、バリア膜４が、バリア膜４が、少なくとも絶縁膜１上に形成されたＢａ酸化物及びＳｒ酸化物の少なくとも一方を含有するＣｕ合金下地層を有し、該Ｃｕ合金下地層と絶縁膜１との界面にＢａＳｉ酸化物及びＳｒＳｉ酸化物の少なくとも一方が偏析している。 （もっと読む）

【課題】印刷塗布して形成された絶縁膜の絶縁特性を良好に保持した状態で、生産性を向上することが可能なアクティブマトリックスアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地層３４上に絶縁膜インクを印刷塗布する。印刷塗布された絶縁膜インクに含まれる溶媒が所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させる前に終了するように絶縁膜インクを焼成して絶縁膜３２を形成する。下地層３４上に形成された絶縁膜３２上に１つ以上の開口部３３を有する導電層３１を形成する。それにより、導電層３１に設けられた開口部３３から絶縁膜３２内に残っている溶媒を揮発させることができるので、導電層３１におおわれた絶縁膜３２の絶縁特性を良好にすることができる。また、絶縁膜３２が十分に揮発する前に、絶縁膜３２上に導電層３１を形成することができるので、生産性を良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】電極層と配線層との合金化による接合安定性が得られつつ、合金化の進みすぎによる空孔の発生が抑制された半導体素子の配線構造を提供する。
【解決手段】半導体素子１０の配線構造は、半導体素子１０を構成する半導体層１４上に設けられ、金属により形成された電極層１１と、電極層１１上に設けられ、電極層１１の金属と合金化し得る金属により形成された配線層１２と、電極層１１と配線層１２との間に設けられ、配線層１２と同じ種類の金属を主成分とする、電極層１１の膜厚以下の膜厚を有する中間層１３であって、電極層１１の金属の配線層１２への拡散を防止する、中間層１３の金属の金属化合物膜１３ｂが、配線層１２側の表面に形成されている中間層１３と、を含む。 （もっと読む）

【課題】誘電率の比較的低い誘電体膜に、累積的に紫外線を含む光が照射されることに起因する不良の発生が抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜５上にＬｏｗ−ｋ膜９が形成される。次に、Ｌｏｗ−ｋ膜９に、所定のランプから発せられる紫外線を含む光が照射される。次に、Ｌｏｗ−ｋ膜９の開口部９ａ内にＴｉＯ₂からなるバリア膜１１と銅配線１３が形成される。Ｌｏｗ−ｋ膜９上にＳｉＣＮ膜１５およびＳｉＯＮ膜１７が形成される。次に、ＳｉＯＮ膜１７の上にＬｏｗ−ｋ膜１９が形成される。そのＬｏｗ−ｋ膜１９に、所定のランプから発せられる紫外線を含む光が照射される。 （もっと読む）

【課題】 整列したナノ構造物を含む回路基板を提供する。
【解決手段】 回路基板は、基板と、基板に配置された極性分子層パターンおよび非極性分子層パターンと、基板に配置された第１の電極および第２の電極と、極性分子層パターンに配置され、線状ナノ構造物を含む１つ以上のチャネルとを含む。１つ以上のチャネルは、第１の電極を第２の電極に電気的に結合するのを促す。 （もっと読む）

【課題】高い反射率および低い接触抵抗を有しており、しかも、ヒロックなどの欠陥を生じることのない耐熱性にも優れた反射電極を提供する。
【解決手段】基板１上に形成される表示デバイス用の反射電極２であって、前記反射電極は、０．０５〜２原子％のＮｉ及び／又はＣｏ、並びに０．１〜２原子％のＮｄを含有する第１のＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｎｄ合金層２ａとＡｌとＯ（酸素）を含有する第２のＡｌ酸化物層２ｂと、を有している。上記Ａｌ酸化物層は透明画素電極３と直接接続しており、前記Ａｌ酸化物層中のＯ原子数とＡｌ原子数との比である［Ｏ］／［Ａｌ］が、０．３０以下であり、前記Ａｌ酸化物層の最も薄い部分の厚みが、１０ｎｍ以下である。上記反射電極は、前記Ａｌ酸化物層と前記透明画素電極とが直接接続する領域において、前記透明画素電極と前記基板との間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 金属前駆体を用いて形成される金属含有膜を半導体装置の内部構造体に利用しても、金属汚染の発生を抑制することが可能な成膜方法を提供すること。
【解決手段】 基板の裏面を疎水化処理する工程（ステップ１）と、裏面が疎水化処理された基板の表面上に、π電子を含む金属前駆体を用いたＣＶＤ法を用いて、金属含有膜を形成する工程（ステップ２）と、を備える。 （もっと読む）