【目的】 層間絶縁膜が剥離または破壊される事態が起こりにくい半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜上に導電性材料を堆積させる堆積工程（Ｓ１１４〜Ｓ１１８）と、堆積した前記導電性材料を所定の深さまでウェットエッチングするウェットエッチング工程（Ｓ１２０）と、ウェットエッチングされた前記導電性材料を研磨する研磨工程（Ｓ１２２）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 気密性を保ったままスラリや洗浄薬液などの溶液を研磨布上などに供給させることにより供給寸前まで外気との接触を避け、ウエハの欠陥を低減することができる研磨方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 スラリ保持容器からスラリ１６をウエハ１５上の被研磨対象物に供給する工程と、前記被研磨対象物を研磨する工程とを備える。スラリ保持容器は、密封容器であり、スラリの残量によって容積を可変にすることにより容器内のスラリが外気と接することがないように構成された気密性可変容器１０を用いる。スラリが完全に密閉された容器に収容され、気密性を保ったまま被研磨対象物に供給されるので、供給寸前まで外気との接触を避けてダストの混入やバクテリアの増殖、成分の揮発などを防ぐことが可能となり、スラリ等の粗大粒子を低減できる。 （もっと読む）

拡散バリア膜と金属膜との間の接着性を改善するための方法が提唱される。拡散バリア膜及び金属膜の両方は、いずれかのシークエンスで、半導体基板上へ堆積される。拡散バリア膜又は金属膜のいずれか一方である第一膜（第一膜は、基板の表面領域の少なくとも一部で暴露される）を有する基板は、酸素含有リアクタントに暴露され、第一膜の露出部分に酸素含有基又は酸素原子の約１の単層の表面終端を生成する。次いで、第二膜（これは、拡散バリア膜及び金属膜のうち他方である）が基板上に堆積される。さらに、酸素架橋構造が提唱され、該構造は、拡散バリア膜及び該拡散バリア膜との界面を有する金属膜を含む（ここで、界面は、酸素原子の単層を含有する）。
【課題】
【解決手段】
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【課題】 キャパシタとビアコンタクトとのショートを防止することが困難であった。
【解決手段】 トランジスタＴｒは半導体基板１１の表面領域に形成されている。キャパシタＣｐはトランジスタの上方に形成され、第１の電極１７、第２の電極１９、及び前記第１、第２の電極の相互間に形成された誘電体膜１８とを有している。第１のコンタクト２４はキャパシタの側面部でキャパシタの少なくとも一部に近接して形成され、ソース／ドレイン領域の一方に接続されている。側壁絶縁膜２３は第１のコンタクト２４の側壁で、少なくともキャパシタＣｐに接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】水素の触媒作用によるコンタクトプラグ不良を防止する。
【解決手段】ソース領域、ドレイン領域およびゲートからなるトランジスタが集積化された半導体基板上に、前記ソース領域またはドレイン領域に接続されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグに接続された下部電極と、前記下部電極の間に埋め込まれた酸素バリアを有する絶縁膜と、前記容量絶縁膜に形成された上部電極からなる強誘電体キャパシタにおいて、前記下部電極が酸素に対する導電性バリアを含み、さらに前記下部電極と絶縁膜との間に前記下部電極との反応を防止するための絶縁性反応防止膜を備えた構造になっている。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、層間絶縁膜１と、層間絶縁膜１内に形成された下部配線５と、層間絶縁膜１上に形成されたライナー膜１１と、ライナー膜１１上に形成された層間絶縁膜１２とを備えている。下部配線５に下部孔８が開口しており、ライナー膜１１および層間絶縁膜１２には下部孔８に繋がる上部孔１０が開口しており、下部孔８の口径ｄ₂は上部孔の口径ｄ₁よりも大きくなっている。さらに、下部孔８の内壁面に形成された導電膜１５と、上部孔１０の内壁面に沿って形成されたバリアメタル１３と、上部孔１０内および下部孔８内を埋めるように形成されたＣｕ膜１９とを備えている。導電膜１５はバリアメタル１３と同じ物質を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ絶縁膜に対する密着性の高いバリアメタル膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板（１）上に形成された絶縁膜（６）と、絶縁膜（６）中に形成された埋め込み金属配線（１０）と、絶縁膜（６）と金属配線（１０）との間に形成されたバリアメタル膜（Ａ１）とを備えた半導体装置において、バリアメタル膜（Ａ１）は、絶縁膜（６）が存在している側から金属配線（１０）が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜（７）、金属化合物膜（８）及び金属膜（９）よりなる。金属化合物膜（８）の弾性率は、金属酸化物膜（７）の弾性率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、低抵抗であって且つ絶縁膜及び配線との間で高い密着性を有するバリアメタル膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、基板（１）上に形成された絶縁膜（６，８）と、絶縁膜（６，８）中に形成された埋め込み配線（１４）と、絶縁膜（６，８）と埋め込み配線（１４）との間に形成されたバリアメタル膜（Ａ１）とを有する。バリアメタル膜（Ａ１）は、絶縁膜（６，８）が存在している側から埋め込み配線（１４）が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜（１１）、遷移層（１２ａ）及び金属膜（１３）よりなり、遷移層（１２ａ）は、金属酸化物膜（１１）の組成と金属膜（１３）の組成とのほぼ中間的な組成を有する単一の原子層よりなる。 （もっと読む）

有機メモリセルの製造中などに実施されうるものなど、導電層上にパッシブ層を形成するためのシステムおよび方法が開示され、これは、一般に、従来の無機メモリデバイスに固有の不具合を低減させる。パッシブ層は硫化銅（Ｃｕ_２Ｓ）などの導電促進化合物を含み、これは、導電材料の上部から形成される。この導電材料はメモリセルにおいて下部電極として作用し、導電材料の上部が、フッ素（Ｆ）系ガスから生成されたプラズマによる処理によってパッシブ層に変換されうる。
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１つ以上のコンタクトプラグが通過して延びている基板と、上記基板上に形成された第１の層間絶縁膜とから、強誘電体キャパシタデバイス（例えばＦｅＲＡＭデバイス）が形成されている。上記第１の層間絶縁膜上にはスペーサ層が形成されていて、このスペーサ層上には第１の酸素バリア層が形成されていて、この第１の酸素バリア層上にはバッファ層が形成されている。上記バッファ層上において、上記バッファ層と上記コンタクトプラグとの間に下地材料の層が形成されていて、第１の電極と第２の電極との間に誘電体層が挟まれている。上記デバイスに第２の酸素バリア層が塗布される。上記スペーサ層があれば、上記下地材料と上記コンタクトプラグとの界面まで酸化が及ぶことが抑制される。なぜなら、上記界面が、上記第１の酸素バリア層の下に位置しているからである。この結果、電気コンタクトが破損することはない。
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底部電極（１１）及び又はキャパシタ誘電体上に導電性平滑化層（１６、１９）を形成することにより、幾何学的に高くされた電場を低下させると共に、電極を平滑化することで、形成されるＭＩＭキャパシタの信頼性を向上させることができる。一実施形態において、難溶性窒化物で形成された第１のキャッピング層（１４）上には、難溶性金属又は難溶性金属リッチ窒化物を含む第１の層（１６）が形成される。更に、キャパシタ誘電体上には、難溶性金属（１８）又は難溶性金属リッチ窒化物を含む第２の層（１９）が形成される。導電性平滑化層（１６、１９）は、例えば、ゲート電極とゲート誘電体との間のトランジスタ等の他の半導体装置にも使用される。
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一般に集積回路の製造に有用な、金属を取り除くための、及び、特に貴金属の化学的機械的研磨用の、スラリーは、過ヨウ素酸、研磨剤、及び緩衝系を組み合わせることによって、形成されてもよく、ここでそのスラリーのｐＨは、約（４）と約（８）との間にある。

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アクティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタにおける下地電極上の絶縁膜上にフォトエンボッシング材料を用いて凹凸を有する有機膜を形成し、この有機膜にドライエッチングを施して有機膜の膜厚を減少させてコンタクトホール形成領域の絶縁膜を露出させる。その後、露出した絶縁膜にドライエッチングを施してコンタクトホールを形成すると共に下地電極を露出させ、得られた構造上に反射電極を形成して、露出した下地電極と反射電極とを接続する。
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本発明は、薄膜トランジスタ表示板とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法に関し、薄膜トランジスタ表示板は液晶表示装置や有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などで、各画素を独立的に駆動するための回路基板において、画素電極またはゲート線及びデータ線の拡張部を外部回路と接続させるコンタクト補助部材を、ＩＺＯ及びＩＴＯの２重層で形成することに対する発明であって、ＩＺＯで形成された下部層とＩＴＯで形成された上部層を有するように形成する。前記のように画素電極またはコンタクト補助部材を二重層で形成することによって、エッチング過程で下部配線が損傷されることを防止し、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を良好に確保することができる。また、コンタクト補助部材のみをＩＺＯとＩＴＯ二重層で形成することによって、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を確保することができ、ＩＴＯの使用を減らすことによって製造単価を下げることができる。
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集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗且つ高バリア性を有するバリアメタルを提供する。
【解決手段】バリアメタル２０₁ が、配線溝１６の底面及び側壁の表面に沿って形成された膜厚１６ｎｍのＴａＮ_0.87膜３１と、ＴａＮ_0.87膜上に形成され、配線溝１６に埋め込み形成されたＣｕダマシン配線１７に接する膜厚４ｎｍのＴａＮ_1.19膜３２とから構成されている。 （もっと読む）