【課題】絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供する。
【解決手段】導電層形成工程によって形成されたソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び画素電極２０Ｃを含む導電層２０上に、該導電層２０及び酸化物半導体層１８を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層２３を形成する。そして、この無機絶縁層２３上にフォトレジスト膜３０を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン３０Ｂ’を形成する。現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層２３の内のレジストパターン３０Ｂ’から露出した領域を除去することによって導電層２０の一部を露出させて、無機絶縁層２２にコンタクトホール２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を実現する構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板（半導体基板１）上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜（有機シリコンポリマー膜２）を設ける工程と、選択的エッチングにより有機シリコンポリマー膜２に孔（配線溝３）を設けるとともに、配線溝３の内部に金属膜（バリア膜４および銅配線５）を設ける工程と、還元ガス雰囲気中で、上記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、有機シリコンポリマー膜２に紫外線６を照射して、多孔質膜７を得る工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素の半導体装置において、電極材料と、内部配線の材料とが異なるとき、これら異種金属の接触界面における不具合のおそれを無くして、長期間使用後にも高い信頼性を得ることができる、半導体装置等を提供する。
【解決手段】 炭化珪素１４，１８に接触する接触電極１６と、該接触電極と導通する配線１９とを備え、接触電極１６が、チタン、アルミニウム、および珪素を含有する合金で形成され、配線１９は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、該配線は接触電極と接触することで該接触電極と導通をとることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貫通配線が断線しにくい信頼性の高い半導体装置１および半導体装置１の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の主面１０Ａと第２の主面１０Ｂとを貫通する基板貫通孔１０Ｈが形成された半導体基板と、第１の主面１０Ａから離れるにしたがい開口が段階的に小さくなる層間膜貫通孔１３Ｈが形成された層間絶縁膜１３とデバイス１１と接続された再配線層１４とを有する多層配線層１５と、再配線層１４と接続され層間膜貫通孔１３Ｈの開口部を覆う電極パッド１６と、電極パッド１６から層間膜貫通孔１３Ｈの側壁および基板貫通孔１０Ｈの側壁を介して第２の主面１０Ｂ側まで配設された貫通配線１９と、第２の主面１０Ｂ側の貫通配線１９上に配設されたバンプ２１と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】外部から侵入する水分に起因した再配線どうしのショートが防止された半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体基板１２と、半導体基板１２上に形成された第１樹脂層３０と、第１樹脂層３０の上面に形成されてパッド部４４を構成する再配線４８と、この再配線４８および第１樹脂層３０の上面を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。そして、パッド部４４は、第２樹脂層の開口部１３から露出する露出領域４４Ａと、第２樹脂層３２により被覆される被覆領域４４Ｂとから成り、この被覆領域４４Ｂの幅（Ｌ１）を１０μｍ以上としている。 （もっと読む）

【目的】プロービング試験での導電パッド下に配置された金属配線上の絶縁膜のクラック発生を抑制することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、導電パッドと、前記導電パッド上に配置され、前記導電パッドの一部が露出するように開口領域が形成された第１の絶縁膜と、前記導電パッドの下方に配置された第２の絶縁膜と、銅（Ｃｕ）を用いた配線を有し、前記第２の絶縁膜を介して前記導電パッドの下方に配置され、前記開口領域と重なる領域での最上層における前記配線の最大配線幅ｗ（ｎｍ）と前記配線の被覆率Ｒ（％）とがある条件を満たすように配置された少なくとも１層の配線層と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の貫通電極を有する半導体基板と半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１絶縁層（２）を介して第１配線層（３）が形成され、貫通孔（４）の内周に第２配線層（５）を形成し、貫通孔（４）は、第１の開口部（４ａ）と、第１の開口部（４ａ）よりも開口面積が小さい第２の開口部（４ｂ）で形成され、第２の開口部（４ｂ）に第３配線層（１０３ａ）を形成するとともに、第３配線層（１０３ａ）を第１の開口部（４ａ）よりも先に形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細孔の内壁と微細孔に充填した導電性物質からなる貫通電極との間で発生する隙間や拡散、酸化を抑制し、パッドと貫通電極との電気的接続の安定性を向上させることが可能なデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板と、該第一基板の一方の面側に配された、機能素子及び該機能素子に第一配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され、前記第一基板の一方の面から他方の面に至る微細孔内に第一導電体を充填してなる貫通電極とを、少なくとも具備してなるデバイスの製造方法であって、前記第一基板の他方の面から、Deep-Reactive Ion Etching 法を用いて、前記パッドが露出するまで前記微細孔を形成する工程Ａと、前記微細孔の内面の少なくとも一部に、前記第一導電体とは異なる第二導電体からなる導電部を形成する工程Ｂと、前記微細孔の内部に前記第一導電体を充填する工程Ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハ貫通ビア構造を有するＥＳＤネットワーク回路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は一般に回路構造及び回路の製造方法に関し、より具体的には、ウェハ貫通ビアを有する静電放電（ＥＳＤ）回路及びその製造方法に関する。ＥＳＤ構造体は、ＥＳＤ能動デバイスと、ＥＳＤ能動デバイスから基板への低直列抵抗経路をもたらす少なくとも１つのウェハ貫通ビアとを備える。装置は、入力部と、少なくとも１つの電力レールと、入力部と少なくとも１つの電力レールとの間に電気的に接続されたＥＳＤ回路とを含み、ここでＥＳＤ回路は少なくとも１つのウェハ貫通ビアを備えて基板への低直列抵抗経路をもたらす。方法は、ＥＳＤデバイスを基板上に形成することと、基板の裏面に接地面を形成することと、ＥＳＤ能動デバイスの負電源及び接地面に電気的に接続されて基板への低直列抵抗経路をもたらす少なくとも１つのウェハ貫通ビアを形成することとを含む。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの加工時において配線のダメージを受けにくく、信頼性の低下を抑制できる構造の接続部を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】接続部１は、第１導電層２と第２導電層４とが、その交差個所に設けられたコンタクトホール５を介して接続されたものである。矩形状のコンタクトホール５は第２導電層４の幅方向の略中央に配置されている。そして、コンタクトホール５のパターンを囲むように矩形状の半導体層３が設けられている。半導体層３は、コンタクトホール５の底部において第１導電層２上に形成されている。この半導体層３は、第１導電層２とのエッチング選択比が高く、第１導電層２に対するエッチング効率が充分に高いものである。 （もっと読む）

【課題】 製造に際し、当初、耐熱性の高い仮基板を用い、最終的に、耐熱性の低いフィルム基板を用い、仮基板を除去し、これにより得られた薄膜トランジスタパネルにおいて、画素電極（薄膜）が破損しにくいようにする。
【解決手段】 仮基板５１上に形成された分離層５２上に画素電極２を形成する。この場合、画素電極２下以外の領域における分離層５２が膜減りしたとしても、その上に下地絶縁膜１を形成し、仮基板５１および分離層５２を除去すると、下地絶縁膜１の下面に平板状の画素電極２が凹んだ状態で埋め込まれることになるので、画素電極２が破損しにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【目的】従来よりも比抵抗の低いＷ膜のプラグ或いは配線が得られる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０６）と、前記開口部の少なくとも底面に、ルテニウム（Ｒｕ）膜を形成する工程（Ｓ１１２）と、前記Ｒｕ膜が形成された前記開口部内に、水素（Ｈ_２）還元による化学気相成長（ＣＶＤ）法によりタングステン（Ｗ）膜を埋め込む工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の貫通電極を有する半導体基板を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の開口部（４ａ）の内周と第２の開口部（４ｂ）の間に位置する前記第１絶縁層（２）の面に凹部（６）が形成され、第２配線層（５）が、第１の開口部（４ａ）の内周面と凹部（６）および第２の開口部（４ｂ）を経て第１の配線層（３）に電気接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】印加電界の履歴によって抵抗値が変化する抵抗変化層を有するスイッチ素子を多層配線中に形成し、かつ配線又は抵抗変化層の表面がダメージを受けることを抑制できるようにする。
【解決手段】この半導体装置は、第１配線層１２、第２配線層１６、及びスイッチビア３５を備える。第１配線層１２は第１配線３２を有しており、第２配線層１６は第２配線３９を有している。スイッチビア３５は、第１配線３２と第２配線３９を接続する。またスイッチビア３５は、少なくとも底部に、抵抗変化層３３を有しているスイッチ素子を有している。抵抗変化層３３は、電界印加履歴に応じて抵抗値が変化する。 （もっと読む）

【課題】シード膜の酸化を抑制して、電気的信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、表面に凹部１ａを有する基板１００の少なくとも凹部１ａの内面１ｂ上に、シード膜５を形成する工程と、シード膜５上に、シード膜５の構成材料より酸化されやすい材料からなる保護膜６を形成する工程と、保護膜６に熱処理を施す工程と、熱処理が施された保護膜６の少なくとも一部を除去し、シード膜５の少なくとも一部を露出させる工程と、少なくとも一部が露出したシード膜５に電流を供給して、シード膜５上に凹部１ａに埋め込まれるように電解めっきによりめっき膜７を形成する工程と、凹部１ａに埋め込まれた部分以外のめっき膜７を除去する工程とを具備することを特徴とする、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【目的】、配線層とその下層のプラグ層との配線抵抗を抑えながら下層のプラグの埋め込み性を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、Ｃｕ配線１０と、Ｃｕ配線１０の下層側でＣｕ配線１０と接触して接続されるＣｕプラグ２０と、Ｃｕプラグ２０の底面側及び側面側に配置された、Ｃｕに対してバリア性を有するＢＭ膜２４０と、Ｃｕ配線１０とＣｕプラグ２０との内Ｃｕプラグ２０側に選択的に、かつＣｕプラグ２０とＢＭ膜２４０との間に介在するように配置された、ＢＭ膜２４０よりも前記導電性材料に対して濡れ性が高いＲｕ膜２４２と、Ｃｕ配線１０とＣｕプラグ２０とが接触する箇所を少なくとも除くＣｕ配線１０の底面側と、Ｃｕ配線１０の側面側とに配置された、Ｃｕに対してバリア性を有するＢＭ膜２４４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔(接続孔)内に形成された絶縁膜上に設けられる配線層と半導体基板との間の電気的絶縁性の不良の発生が低減された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の一方の面上に第１の絶縁層１２を介して位置する第１の配線層１３と、半導体基板の他方の面から第１の配線層に至る接続孔１９を形成する。接続孔の側面から他方の面に亘って半導体基板上に位置し、接続孔内で第１の配線層に接する第２の絶縁層１４を形成する。接続孔の側面上から他方の面上に亘って第２の絶縁層上に位置し、接続孔内で第１の配線層に接する第２の配線層１６を形成する。この形成において、第２の絶縁層を、膜質の異なる２種の絶縁膜１４ａ、１４ｂ又はそれ以上の絶縁膜の積層体から構成する。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極内部に導電層を形成する方法及び半導体装置において、貫通孔内の均一なメッキ付き周り性を向上させ、タクトタイムの短い導電層形成方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 前記貫通孔の内部に第一のメッキ層を形成する第一のメッキ工程と、
前記第一のメッキ工程の後、前記貫通孔の開口部に前記第一のメッキ層とは異なる材料から成るメッキ抑制層を形成するメッキ抑制層形成工程と
前記メッキ抑制層形成工程の後、前記貫通孔の内部にメッキにより第二のメッキ層を形成する第二のメッキ工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 相互接続構造内にガウジング・フィーチャを導入することなくエレクトロマイグレーション耐性を向上させる相互接続構造を提供する。
【解決手段】 この構造は、バイア開口の底部に存在する金属界面層（または金属合金層）を含む。バイア開口は、第１の導電材料が埋め込まれた第１の誘電材料の上に位置する第２の誘電材料内に位置する。バイア開口の底部に存在する金属界面層（または金属合金層）は、第１の誘電体内に埋め込まれた下にある第１の導電材料と第２の誘電材料内に埋め込まれた第２の導電材料との間に位置する。また、エレクトロマイグレーション耐性が向上した相互接続構造を製造する方法も提供する。 （もっと読む）