【課題】ＴＥＧ上のパッド部の浸食を防止し、また、実デバイスのパッド部の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハのチップ領域ＣＡの第３層配線Ｍ３およびスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３を、それぞれ、ＴｉＮ膜Ｍ３ａ、Ａｌ合金膜Ｍ３ｂおよびＴｉＮ膜Ｍ３ｃで構成し、チップ領域ＣＡの再配線４９上の第２パッド部ＰＡＤ２を洗浄し、もしくはその上部に無電界メッキ法でＡｕ膜５３ａを形成する。さらに、Ａｕ膜５３ａ形成後、リテンション検査を行い、その後、さらに、Ａｕ膜５３ｂを形成した後、半田バンプ電極５５を形成する。その結果、ＴｉＮ膜Ｍ３ｃによってＴＥＧであるスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３の第１パッド部ＰＡＤ１のメッキ液等による浸食を防止でき、また、Ａｕ膜５３ａ、５３ｂによって第２パッド部ＰＡＤ２の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】不均一な結晶相の形成を抑制してオーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。
【解決手段】電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成され、コンタクトメタル電極の結晶配向性と整合する結晶配向性を有する拡散障壁層２００と、拡散障壁層２００上に形成されたＡｌ配線１６０を有する。電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。 （もっと読む）

【課題】オーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。
【解決手段】電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成された第１のＡｌ配線１６０と、第１のＡｌ配線１６０上に形成された拡散障壁層１８０と、拡散障壁層１８０上に形成された第２のＡｌ配線２００を有する。電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。 （もっと読む）

【課題】配線形成後に５００℃以上の高温プロセスが存在する場合に適用可能なＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】５００℃以上の温度の処理をともなう後工程が施されるＣｕ配線の形成方法は、表面にトレンチおよび／またはホールを有する基板上の少なくともトレンチおよび／またはホールの底面と側面に、Ｃｕの格子面間隔との差が１０％以内の格子面間隔を有する金属からなる密着膜を形成する工程と、密着膜の上に前記トレンチおよび／またはホールを埋めるようにＣｕ膜を形成する工程と、 Ｃｕ膜形成後の基板に３５０℃以上のアニール処理を行う工程と、Ｃｕ膜を研磨してＣｕ膜のトレンチおよび／またはホールに対応する部分のみを残存させる工程と、研磨後のＣｕ膜にキャップを形成してＣｕ配線とする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体基板上の回路基板を低コストで供給する。
【解決手段】開口部１０１を介してチップ取り出し電極２を含む半導体基板１の一部表面が露出するようメタルマスク１００を半導体基板１に被せ、イオンプレーティング法により金属導体を形成した後、メタルマスク１００を剥離することによって、半導体基板１の一部表面に形成された金属導体からなる配線層２１を形成する。これにより、フォトリソグラフィー法を用いることなく、半導体基板上に配線層２１を直接形成することができるため、生産性が高く低コストな回路基板を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電気的抵抗が低い相互接続構造、および、かかる相互接続構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造は、少なくとも１つの開口を含む誘電物質を含む。少なくとも１つの開口内には、任意のバリア拡散層、結晶粒成長促進層、凝集めっきシード層、任意の第２のめっきシード層、および導電性構造が配置される。典型的にはＣｕである金属含有導電性物質を含む導電性構造は、バンブー微細構造を有し、平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい。いくつかの実施形態では、導電性構造は、（１１１）結晶方位を有する導電性結晶粒を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い回路基板を低コストで供給する。
【解決手段】例えば、開口部１０１を介してチップ取り出し電極２を含む基板１の一部表面が露出するようメタルマスク１００を基板１に被せ、イオン化された被着金属に、０．０１ｅＶから２５０ｅＶの被着エネルギを与えるイオンプレーティング法により金属導体を形成した後、メタルマスク１００を剥離することによって、基板１の一部表面に形成された金属導体からなる配線層２１を形成する。これにより、フォトリソグラフィー法を用いることなく、基板上に配線層２１を直接形成することができるため、生産性が高く低コストな回路基板を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い回路基板を低コストで供給する。
【解決手段】開口部１０１を介してチップ取り出し電極２を含む基板１の一部表面が露出するようメタルマスク１００を基板１に被せ、イオンプレーティング法により金属導体を形成した後、メタルマスク１００を剥離することによって、基板１の一部表面に形成された金属導体からなる配線層２１を形成する。これにより、フォトリソグラフィー法を用いることなく、基板上に配線層２１を直接形成することができるため、生産性が高く低コストな回路基板を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】駆動安定性を高め、積層工程での歩留まりを向上させ、実装形態での長期信頼性を向上させた薄型半導体チップの積層パッケージを実現する。
【解決手段】チップ表面に半導体素子１１０と、半導体素子１１０に信号を供給する配線と信号用電極と電源用電極とグランド用電極を有し、チップ裏面に信号用電極と電源用電極とグランド用電極を有し、チップ表面の電極とチップ裏面の電極とを電気的に接続する貫通配線を有し、チップの裏面を覆い、グランド用電極と接続した導体層１２０が形成されている複数の半導体チップ５００、５０１とインターポーザ５０２とが積層されている半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングにより形成される配線の線幅のばらつきが抑えられた半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、半導体層１４上に電極１１を形成する工程と、半導体層１４上に、電極１１に達する配線接続孔１２ａを有し、配線接続孔１２ａの周りに凹部１２ｂが形成された層間絶縁膜１２を形成する工程と、層間絶縁膜１２上から配線材料１８を堆積する工程であって、層間絶縁膜１２の凹部１２ｂに対応して配線材料１８に凹部１８ａが形成される工程と、配線材料１８上に、電極１１に配線接続孔１２ａを介して接続される配線１３を形成するためのレジスト膜１９を、配線材料１８に形成された凹部１８ａを覆うように形成する工程と、レジスト膜１９をマスクとしてウェットエッチングを行い、配線材料１８を選択的に除去して配線１３を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

半導体基板のスルーインターコネクトを製造する方法は、基板の第１側部上に基板を部分的に通るビアを形成するステップと、第１側部上及びビア内に電気絶縁層を形成するステップと、絶縁層上にビアを少なくとも部分的にライニングする導電層を形成するステップと、ビア内の導電層上に第１コンタクトを形成するステップと、ビア内の、少なくとも絶縁層まで基板の第２側部から基板を薄層化するステップとを含む。また、本方法は、第１コンタクトと電気接続状態にある第２コンタクトを基板の第２側部に形成するステップをも含み得る。本方法は、ウエハスケールのインターコネクト要素を形成するように半導体ウエハ上で実行可能である。さらに、インターコネクト要素を、発光ダイオード（ＬＥＤ）システムのような半導体システムを構築するのに使用可能である。 （もっと読む）

【課題】電界メッキ法やＣＭＰ法を使わないことで製造コストを落として配線を形成する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上にマスクを形成する工程と、選択的にエッチングして絶縁膜に開口部を形成する工程と、マスク上および開口部に第１導電膜を形成する工程と、液滴吐出法により開口部の第１導電膜上に導電材料を含む液滴を滴下する工程と、レーザー光を選択的に照射して導電材料を加熱して第２導電層を形成する工程と、マスク上および第２導電層上に第３導電膜を形成する工程と、マスクを除去すると同時にマスク上に形成された第１導電膜および第３導電膜を除去し、第１導電層および第３導電層を形成する工程とを有する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、半導体基板が樹脂層により被覆されない構造のため、半導体基板端部が欠け易い問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置１では、シリコン基板２上面に配線層１３が形成され、配線層１３を被覆するように樹脂層１４が形成される。配線層１３上には樹脂層１４の開口領域１５を介してバンプ電極１８が形成される。また、保護シート１９は、シリコン基板２の裏面及びシリコン基板２の側面２０の一部を被覆する。この構造により、シリコン基板２の裏面側では、保護シート１９が緩衝材として機能し、シリコン基板２のチッピングが防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の再配線層において配線を狭ピッチ化して隣接する配線間距離が著しく近接しても、配線間でイオンマイグレーションを効果的に抑制する。
【解決手段】一方の主面１１ａに半導体デバイスおよび電極１１ｃが設けられた半導体基板１１と、一方の主面１１ａの上に形成された層間絶縁層１２と、層間絶縁層１２上において個々の配線パターンに沿って複数形成されたポリイミドからなる樹脂パターン部１３と、樹脂パターン部１３の上にそれぞれ形成された再配線層１４と、再配線層１４の上を封止する封止絶縁層１５とを有し、樹脂パターン部１３の側面１３ａが、配線パターンの長手方向に垂直な断面において凹凸状とされている。 （もっと読む）

【課題】画素における光のクロストーク等の光学特性を改善することにより、画素の微細化を実現することができる固体撮像装置を提供することである。
【解決手段】半導体基板に配され、光を電荷に変換する複数の光電変換素子（１１）と、半導体基板に配され、光電変換素子により変換された電荷を電圧に変換する第１の半導体領域（１３）と、第１の半導体領域に接続されたゲート電極を有し、第１の半導体領域により変換された電圧を増幅する増幅ＭＯＳトランジスタと、半導体基板を覆う絶縁膜（２３）と、絶縁膜上に配される金属配線層（４２）と、第１の半導体領域及び増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電極とを金属配線層を介さず接続する第１の導電体（２１）と、半導体基板に配され、第１の半導体領域とは異なる第２の半導体領域（１８）と、第２の半導体領域と金属配線層の少なくとも一部とを接続する第２の導電体とを有する固体撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する際に、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させることにより上記第２金属含有膜を効率的に形成する。
【解決手段】底面に金属層３が露出する凹部２を有する絶縁層１が表面に形成された被処理体に対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属を含む第１金属含有膜を形成する第１金属含有膜形成工程と、前記第１金属含有膜形成工程の後に行われ、前記凹部に埋め込まれる埋め込み金属に対してバリヤ性を有する第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する第２金属含有膜形成工程とを有する。これにより、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させて上記第２金属含有膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】良質な配線構造、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】第１の導電材及び第１の絶縁層を有する第１の配線層と、前記第１の絶縁層上の第２の配線層とを備え、前記第２の配線層は第２の絶縁層と、ヴィア及びトレンチを有する開口部とを有し、前記開口部は、第２の導電材と、前記第２の導電材と、前記第２の絶縁層との間の２層以上のバリア層とを有し、前記第２の導電材は、前記第１の導電材と電気的に接続され、前記２層以上のバリア層は、前記開口内の前記第２の絶縁層と第１のバリア層とが接触し、且つ前記第１のバリア層とＭｎＯ_ｘ含有バリア層とが接触する領域と、前記第２の絶縁層と前記ＭｎＯ_ｘ含有バリア層が接触する領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化が進展しても、広いキャパシタ面積を確保し、容量を増大させることが可能なキャパシタを備える、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１１と、基板上に、第１の電極材で形成された複数の第１の電極層と、第１の電極材と異なる第２の電極材で形成された複数の第２の電極層とが、キャパシタ絶縁膜を介して交互に積層されたキャパシタ１０２と、第１及び第２の電極層の側方に形成されており、第１の電極層と電気的に接続され、第２の電極層と電気的に絶縁されている、１つ以上の第１のコンタクトプラグ１７１Ａと、第１及び第２の電極層の側方に形成されており、第２の電極層と電気的に接続され、第１の電極層と電気的に絶縁されている、１つ以上の第２のコンタクトプラグ１７１Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板１００は、表裏を貫通する貫通孔１０４を有する基板１０２と、貫通孔１０４内に充填される金属材料を含む導通部１０６と、を備え、導通部１０６の一端は、導通部１０６の他端より面積重み付けした平均結晶粒径が大きい金属材料を少なくとも含む。また、導通部１０６は、結晶粒径が１３μｍ以上の金属材料を含む。 （もっと読む）

【目的】キャップ成膜時に起因するｌｏｗ−ｋ膜の絶縁性劣化を低減する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜上に絶縁材料を用いたキャップ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、前記キャップ膜を形成した後に、前記キャップ膜を介して前記前記キャップ膜の下層のシリル化処理を行なう工程（Ｓ１０８）と、前記シリル化処理の後、エッチング法を用いて、前記キャップ膜上から前記絶縁膜内へと続く開口部を形成する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部に導電性材料を堆積させる工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）