【課題】 貫通電極を細くすると、基板に形成した貫通孔を金属材料で埋め込むことが困難になる。また、体積の大きな金属部材が基板内に埋め込まれると、熱膨張係数の差に起因して、機械的な破壊が生じやすくなる。
【解決手段】 基板の第１の表面に、第１の導電膜を含む積層膜が形成されている。基板の、第１の表面とは反対側の第２の表面から内部に向かって、第１の表面までは達しない凹部が形成されている。凹部の底面から第１の表面まで達する貫通孔が形成されている。この貫通孔は、凹部よりも細い。貫通孔内に第２の導電膜が埋め込まれている。第２の導電膜は、第１の導電膜に接続され、凹部の側面及び底面を覆うが、凹部を完全には埋め尽くしていない。 （もっと読む）

【課題】超高周波帯におけるシリコン基板による損失を低減すると共に、貫通配線のインダクタンス成分の影響を小さくした半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、回路素子１０５が形成された半導体基板１００と、半導体基板１００の主面の上に形成された第１の誘電体層１２１と、第１の誘電体層１２１の上に形成された第２の誘電体層１３１と、第１の誘電体層１２１を貫通し、回路素子１０５と接続された第１の貫通配線１２２と、第２の誘電体層１３１を貫通し、第１の貫通配線１２２と接続された第２の貫通配線１３２とを備えている。第２の貫通配線１３２は、第１の貫通配線１３２よりもインダクタンスが小さい。 （もっと読む）

【課題】容量コンタクトパッドと容量コンタクトプラグが一体となった構造を形成する。これにより、従来は２回、必要だったフォトリソグラフィ工程を１回に削減して、製造コストを低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、層間絶縁膜上に、開口を有するマスクパターンを形成する。このマスクパターンを用いて、層間絶縁膜をエッチングすることにより、開口の下の層間絶縁膜内に容量コンタクトホールを形成する。湿式エッチングにより、マスクパターン内の開口を大きくした後、開口内に導電材料を埋め込むことにより、それぞれ容量コンタクトプラグ及び容量コンタクトパッドを形成する。この後、容量コンタクトパッド上にキャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】リークパスを確実に防止することができる、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ゲート絶縁膜を介して半導体基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の側部に設けられた側壁絶縁膜と、前記半導体基板内における前記ゲート絶縁膜を挟むような位置に形成され、前記側壁絶縁膜により覆われた被覆領域と前記側壁絶縁膜により覆われていない露出領域とを有する、ソース又はドレイン領域と、前記ゲート電極及び前記側壁絶縁膜を覆うように形成された、エッチングストッパ膜と、前記半導体基板上に、前記エッチングストッパ膜を埋め込むように設けられた、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するように設けられ、前記露出領域に接続される、第１セルコンタクトプラグとを具備する。前記エッチングストッパ膜は、前記被覆領域と前記露出領域との境界部分が完全に覆われるように、前記露出領域の一部を覆っている。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体膜上に接して、酸化ガリウムを含む第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に接して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホールを介して、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグを、配線のバリア層に安定して接続できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、バリア層を介して配線に接続されたコンタクトプラグ、第1及び第２の絶縁膜を有する。第１の絶縁膜は、配線及びバリア層の側面を覆い少なくともバリア層よりも上方で配線が延在する方向と直交する方向の幅が狭まる傾斜面を有し、バリア層の上面の一部を露出すると共に配線及びバリア層の側面を露出させないように形成された開口部を備える。第２の絶縁膜は、開口部の内側を除き第１の絶縁膜上に形成され、かつ開口部を備える。 （もっと読む）

【課題】配線回路基板において、コンタクト抵抗の上昇を抑制し、熱応力による断線を防止することのできるコンタクト構造を提供する。
【解決手段】 配線回路基板は、第１配線層（５）、第２配線層（７）、及び前記第１配線層と前記第２配線層を電気的に接続するコンタクト配線（６）を有する。前記コンタクト配線は、前記第１配線層のコンタクト面を被覆する第１被覆部（６ａ）と、前記第２配線層のコンタクト面を被覆する第２被覆部（６ｃ）と、前記第１被覆部と前記第２被覆部の間に延びるプラグ部（６ｂ）を有する。前記第１被覆部、前記プラグ部、及び前記第２被覆部は、同一の導電性材料で一体的に形成された内部に界面のないコンタクト配線である。 （もっと読む）

【課題】配線破断を軽減する構造を有する液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート配線及び信号配線、ゲート絶縁膜、半導体パターン、データ配線、保護膜、ドレーン電極を露出させる第１接触孔及び信号配線を露出させ、側辺の長さが幅より大きく形成される複数の第２接触孔、第１及び第２接触孔を通じてドレーン電極に連結される画素電極及び信号配線に連結される信号配線補助パッドを形成する液晶表示装置の製造方法であって、信号配線を形成する段階では、信号配線に一対一に対応する複数の信号リードを有する信号伝送用フィルムを含み、信号伝送用フィルムには複数の信号リードのうちの高電圧信号を伝送する第１信号リードと低電圧信号を伝送する第２信号リードとの間にダミーリードが形成され、ダミーリードに対応するダミー配線が基板に形成され、ダミー配線は信号配線より酸化傾向が小さい特性を有する導電物質で形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明ではフォトリソグラフィー技術解像限界付近のパターン形成を安定して形成すると共に、コンタクトプラグなどの構造物における目合わせずれや接触面積の縮小による接触電気抵抗の増大や接続不良を解決する。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁材料層１００に、第１の方向に延在し、底部の幅Ｗ１より上部の幅Ｗ２が広い第１の溝１０１を形成する工程と、第１の溝１０１内に、溝の上端より低い位置まで埋め込み層１０２を形成する工程と、埋め込み層１０２上に露出している第１の溝１０１の側壁を覆うサイドウォール１０３を形成する工程と、サイドウォール１０３をマスクとして埋め込み層１０２をエッチングして第１の方向に分離する工程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタクト電極の形状を改善し、コンタクト抵抗を低くすることがで
きる。
【解決手段】 半導体基板１０と、半導体基板上１０に形成されたゲート絶縁膜１１と、
半導体基板１０上にワード線方向に沿って配置され、ゲート絶縁膜１１を介して形成され
た浮遊ゲート電極１２と、浮遊ゲート電極１２上に第１ゲート間絶縁膜１３を介して形成
された制御ゲート１４を有する複数のメモリセルトランジスタＭＣと、ゲート絶縁膜１１
上に形成されたボトム電極３２と、ゲート絶縁膜１１及びボトム電極３２に形成された開
口ＥＩＩを通じて半導体基板１０に接するトップ電極３３と、開口ＥＩＩの下に形成され
、半導体基板１０と逆の不純物濃度の型である接続拡散層３１とを有するビット線コンタ
クトＢＣとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と第１のコンタクトプラグとが接触する接触幅を充分に確保する。
【解決手段】半導体基板１０の上に、エッチングストッパー膜１７、第１の層間絶縁膜１８及び第２の層間絶縁膜１９を順次形成する。次に、第１，第２の層間絶縁膜１８，１９を貫通し、且つ、エッチングストッパー膜１７を露出する第１のホール２３を形成する。次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。次に、第１の変質層２５を除去して、第２のホール２７を形成する。次に、エッチングストッパー膜１７における第２のホール２７に露出する部分を除去して、第１のコンタクトホール２９を形成する。次に、第１のコンタクトホール２９に、第１のコンタクトプラグ３２Ａを形成する。 （もっと読む）

マスク層の下にアンダーカット形状を形成するエッチングプロセスによって基板にビアが形成される。ビアはコンフォーマルな絶縁層で覆われ、この構造にエッチングプロセスを実施して水平面から絶縁層を取り除くと共にビアの垂直な側壁の絶縁層を残す。ビアの上部領域はエッチバックプロセスの際、アンダーカットハードマスクによって保護される。
（もっと読む）

【課題】上層の電極のコンタクトホール内でのカバレージを向上させること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第１エッチング工程で形成されるコンタクトホール３００ａの上部領域３００Ｕａの中心部分からずれた位置に、第２エッチング工程で形成されるコンタクトホールの下部領域３００Ｄａが形成される。これにより、上部領域３００Ｕａの下底部分に水平領域が存在し、その近くにおいては、第２電極３０のオーバハング３０ｈが生じにくくなり、カバレージが向上する。 （もっと読む）

【課題】配線及び半導体素子等を自由に配置できない領域を減少させる。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子３が形成されている第１面及び第１面とは反対側の第２面を有する半導体基板１と、半導体基板１の上に形成され、且つ、第１のビア７を有する層間絶縁膜と、半導体基板１内に形成され、且つ、第１のビア７と接続する第２のビア１３とを有し、第１のビア７の径は、第２のビア１３の径よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の基板からの抜け落ちを防止する。
【解決手段】半導体装置は、基板８０と、基板８０に設けられた１又は複数のビアホール９１と、１又は複数のビアホール９１内にそれぞれ設けられた貫通電極ＴＳＶとをそれぞれ有する複数のコアチップと、貫通電極ＴＳＶを通じて各コアチップと電気的に接続するインターフェースチップとを備え、ビアホール９１は、両端部の径ｒ１，ｒ３に比べて中央部ｒ２の径が大きいボーイング形状部分９１ａを有する。 （もっと読む）

【課題】 今後の素子の微細化に対応できる、貫通電極を備えた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１の主面および該第１の主面に対向する第２の主面を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の主面上に設けられた電極パッド２６と、半導体基板１０の前記第１の主面と前記第２の主面との間を貫通する貫通孔１００内に設けられ、電極パッド２６と接続する貫通電極２３とを具備してなり、貫通孔１００の前記第１の主面側には、電極パッド２６と貫通電極２３とが直接的に接続する第１の接続部と、電極パッド２６と貫通電極２３とが間接的に接続する第２の接続部とを含み、前記第１の主面上に電極パッド２６を形成する工程と、半導体基板１０を加工し、貫通孔１００を形成する工程であって、貫通孔１００内において電極パッド２６の一部が露出する前記工程と、貫通孔１００内に貫通電極２３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】深さの異なる複数のコンタクトホールの底部径のばらつきを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、複数の導電層ＷＬ１〜ＷＬ４が階段状に加工された階段構造部を有する積層体と、階段構造部を覆って設けられた層間絶縁層４３と、層間絶縁層４３を貫通し、それぞれが対応する各段の導電層ＷＬ１〜ＷＬ４に達して形成された複数のコンタクトホール６１〜６４の内部に設けられたコンタクト電極６０とを備え、複数のコンタクトホール６１〜６４の底部の孔径は略同じであり、下段側の導電層に達するコンタクトホールは、上段側の導電層に達するコンタクトホールよりも深く、上端部の孔径が大きい。 （もっと読む）

【課題】多層配線の下地半導体基板への配線引き出し部のコンタクト抵抗均一化を図った半導体集積回路装置の提供。
【解決手段】半導体集積回路装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に複数層積層形成された配線と、前記配線の引き出し領域に前記配線の延長部として形成されて、所定幅のスペースを介して対向するメタル片対により構成されるフックアップ部７３と、前記フックアップ部のメタル片対のスペースを貫通するように埋め込まれたコンタクト導体７２とを有し、前記配線の少なくとも２層の間で前記フックアップ部のメタル片対のスペース幅を異ならせた。 （もっと読む）

【課題】多層化した配線間の接続不良や接続抵抗上昇の原因となる、ドライエッチングの反応生成物を抑制する集積回路装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属層上に形成された絶縁膜に異方性エッチングを施して、上記金属層に達する第１の孔を形成する第１の工程と、上記絶縁膜に上記異方性エッチングを施して、上記第１の孔を含む大きさの第２の孔を形成する第２の工程とを有し、上記第２の工程では、上記第１の孔に対応する第１の領域を除く上記第２の孔に対応する第２の領域で、上記第２の孔が上記金属層の上部に達する前又は達した時点で、上記異方性エッチングを終了すること。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の面積を縮小することなく、光電変換部から電荷電圧変換部への信号電荷の転送性を改善することができる仕組みを提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、光電変換部に蓄積された信号電荷を電荷電圧変換部２６に転送する転送ゲート３２と、電荷電圧変換部２６で生成された信号電圧を出力するための配線４２と、電荷電圧変換部２６と配線４２との電気的な接続を中継する中継電極３８とを備える。中継電極３８は、電荷電圧変換部２６に電気的に接続するコンタクト部３８ｃと、プラグ４１を介して配線４２に電気的に接続するコンタクト部３８ｆと、転送ゲート３２の上面に絶縁膜３５を介して対向することにより当該転送ゲート３２と容量的に結合する容量結合部３８ａ，３８ｂとを有する。 （もっと読む）