【課題】アルミニウム膜の流動性の低下を抑制しつつ、耐熱性を向上させる。
【解決手段】イオンビームデポジションなどの方法にて高純度アルミニウム膜１５を絶縁層１３上に形成した後、イオンビームデポジション法にて、添加元素１７を含む添加元素膜１６を高純度アルミニウム膜１５上に形成し、添加元素膜１６の熱処理を行うことで、添加元素膜１６に含まれる添加元素１７を高純度アルミニウム膜１５に拡散させ、高純度アルミニウム膜１５に添加元素１７を添加する。 （もっと読む）

【課題】配線溝や層間接続路表面に形成されたＴａＮからなるバリア層との密着性が良好なＣｕ配線と、このＣｕ配線を製造できる方法を提供する。また、半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝や層間接続路の幅が狭く、深い場合でも、バリア層との密着性が良好で、配線溝や層間接続路の隅々に亘って埋め込まれているＣｕ配線と、このＣｕ配線を製造できる方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路に埋め込まれたＣｕ配線を、（１）配線溝側または層間接続路側に形成されたＴａＮからなるバリア層と、（２）Ｐｔ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｆｅ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｒｕ、ＲｅおよびＯｓよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５〜３．０原子％含有するＣｕからなる配線本体部とで構成する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた配線構造を備える電子デバイスの製造方法について、炭素元素円筒型構造体からなるビアを歩留まり良く形成すること。
【解決手段】基板１上の第１絶縁膜２上に導電パターン５を形成する工程と、第１絶縁膜２と導電パターン５を覆う第２絶縁膜７を形成する工程と、第２絶縁膜７のうち導電パターン５の上にホール７ａを形成する工程と、少なくともホール７ａ内の底面と第２絶縁膜７の上面に金属膜９を形成する工程と、金属膜９の表面に触媒粒子又は触媒膜からなる触媒面１０を形成する工程と、触媒面１０から炭素元素円筒型構造体１１の束を成長する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１０の間隙に埋込膜１２を形成する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１１及び埋込膜１２及び金属膜９を研磨して第２絶縁膜７の上面から除去するとともに、埋込膜１２及び炭素元素円筒型構造体の束１１をホール７ａ内に残してビア１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造の作製において、すべての多層配線用ビア・配線・電極および放熱用ビアなどを、相互の接続特性を良好に保って、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束により形成する半導体装置を提供する。
【解決手段】電導素材である、柱状構造をもったカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束２の少なくとも一つの表面に、Ａｕ膜など金属膜を形成後、下地層を積層し、その上に触媒金属層を形成して、ＣＶＤ法により柱状構造をもったカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束７を成長することで、二つの柱状構造体カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束を低抵抗で接続して形成する。この基本構成方法の組合せで、多層配線用の各種電導構成要素を作製する。また、成長条件によりＣＮＴの成長先端部が平坦となることを用いて、Ａｕ膜など金属膜を利用せずに、成長方向に多段に、長いカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束を作製でき、特に放熱用ビアなどへの適用が可能である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上にパワー素子と非パワー素子とが形成された複合集積回路において、アスペクト比が高い配線を形成するとともに、配線材料が層間絶縁膜中に拡散してデバイス特性の変動などが生じない信頼性の高い配線形成方法を実現する。
【解決手段】 層間絶縁膜形成工程により層間絶縁膜１２を形成し、配線溝形成工程により層間絶縁膜１２をエッチングして配線溝１３を形成し、配線形成工程により配線溝１３の内部にＡｌ−Ｃｕ合金を充填し、配線１８を形成する。これにより、ＣＭＯＳ部３１に要求される微細配線とＬＤＭＯＳ部３２に要求される厚い配線とを両立するアスペクト比が高い配線１８を形成することができる。配線１８にＡｌ−Ｃｕ合金を用いるため、高温環境下で使用しても配線材料が層間絶縁膜１２中に拡散して不具合を生じることがない信頼性の高い配線１８を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗が比較的小さく、信頼性が高い金属配線を形成する。
【解決手段】第１の表面１０ａから反対側の第２の表面１０ｂに貫通する貫通穴１３と、第１の表面１０ａ上に形成されたアルミ電極１１と、第２の表面１０ｂと貫通穴１３の内周面とに跨って形成されアルミ電極１１に電気的に接続された金属配線１７とを有する。そして、金属配線１７は、貫通穴１３の内周面に形成された一部が、第２の表面１０ｂ側に形成された部分よりも厚くされている。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子の電気的接続構造物の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に第１絶縁層２００を形成し、第１絶縁層に開口を形成する。開口の側壁を不均一の窒素濃度を有する窒化第１金属層３１２でライニングする。開口の内部に導電パターン４１０が形成される。導電パターンと窒化第１金属層との間に第２金属窒化膜３２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの低抵抗化を図る。
【解決手段】シリコン基板１のソース／ドレイン領域７に接続するコンタクトプラグ１４を、下層プラグ１５としてタングステン層を用い、上層プラグ１６として銅層を用いる構成である。下層プラグ１５の高さをコンタクトホール１３の１／３以下で、５０ｎｍ程度とすることで、抵抗値を低下させつつも上層プラグ１６の銅がシリコン基板１側に拡散するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】金属粒子の粒径のバラツキが少なく、かつその粒径の制御が容易なナノ金属粒子の形成方法及びナノオーダの配線の形成方法の提供。
【解決手段】ナノオーダの平坦性を持ち、かつ表面に化学的な結合手が極めて少ない材料からなる基板上に金属材料を真空蒸着する際に、その真空蒸着雰囲気下で基板を４００℃から金属材料の融点未満までの範囲の温度に加熱した状態で、金属材料の蒸着量をナノオーダで制御して蒸着せしめ、径の制御されたナノ金属粒子又はナノオーダの配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜の構造を工夫することで、銅配線と絶縁膜との密着性を向上させることを可能とする。
【解決手段】基板１１上の第１絶縁膜１２に形成された第１配線１７を被覆する第２絶縁膜２１と、前記第２絶縁膜２１に形成された配線溝２５と、前記配線溝２５の底部の前記第２絶縁膜２１に形成されたもので前記第１配線１７に通じる接続孔２６と、前記接続孔２６底部を除く前記配線溝２５と接続孔２６との内面に形成された第１バリア膜３１と、前記接続孔２６底部の前記第１絶縁膜１２上に形成された第２バリア膜３４と、前記第１バリア膜３１および第２バリア膜を３４介して前記配線溝２５および前記接続孔２６に埋め込まれた第２配線３５（含むプラグ３６）とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送特性を向上させることができるとともに、高周波ノイズの放射を低減することができる回路基板、及び当該回路基板を備える電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板は、電気回路の信号線Ｓ１〜Ｓ５と電気的に接続されており、回路基板の表面と裏面との間であって回路基板の表面に対して交差する方向に延びるスルーホールＴ１０〜Ｔ１２と、スルーホールＴ１０〜Ｔ１２に対して隣接して設けられており、電気回路の基準電位を定めるグランド線Ｇ１〜Ｇ６に接続され、回路基板の表面に対して交差する方向に延びるスルーホールＴ２０，Ｔ２２，Ｔ２３，Ｔ３０〜Ｔ３２を備え、スルーホールＴ１０〜Ｔ１２の各々は、少なくとも一つ以上のスルーホールＴ２０，Ｔ２２，Ｔ２３，Ｔ３０〜Ｔ３２と隣接して配置される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に形成された溝にタングステン膜を埋め込むことによりプラグあるいは埋め込み配線を形成する際、層間絶縁膜上に形成された不要なタングステン膜を除去する工程で生ずるエロージョンあるいはシニングを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】酸化シリコン膜３の研磨速度に対してタングステン膜５ｂの研磨速度が速い第１研磨液を用いて、タングステン膜５ｂの研磨を酸化シリコン膜３が露出する前に終了する。その後、第１研磨液と、タングステン膜５ｂの研磨速度に対して酸化シリコン膜３の研磨速度が速い第２研磨液とを混合した第３研磨液を用いて、残りのタングステン膜と酸化シリコン膜の一部を研磨する。ここで、第３研磨液において、酸化シリコン膜３の研磨速度に対するタングステン膜５ｂの研磨速度の比を示す選択比が０．７以上１．５以下であるようにしている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、空隙を含む複数レベルの相互接続構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】空隙を含む複数レベルの相互接続構造は、散在したライン・レベル及びビア・レベルの集合を含み、ビア・レベルは、１つ以上の誘電体層に埋め込まれた導電性ビアを含み、ビア・レベルの誘電体層は、隣接レベルのライン機構の上下に位置する固体であり、ライン機構の間でミシン目が入れられている。ライン・レベルは導電性ラインと、空隙を含む誘電体とを含む。導電性接点を含み、有孔誘電体層内に充填することによって形成された固体誘電性ブリッジ層は、散在したライン及びビア・レベルの集合上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法が提供される。本発明の相互接続構造体は、従来のＰＶＤプロセス、従来のイオン化プラズマ堆積、ＣＶＤ、又はＡＬＤによってバリア材料が形成される従来技術の相互接続構造体と比べると、半導体業界のための改善された技術拡張性を有する。本発明によると、構造底部のバリア材料厚（ｈ_ｔ）より厚い、構造側壁のバリア材料厚（ｗ_ｔ）を有する相互接続構造体が提供される。すなわち、本発明の相互接続構造体において、ｗ_ｔ／ｈ_ｔ比は、１００％に等しいか又はそれより大きい。 （もっと読む）

【課題】高度に微細化が進んでもコンタクト抵抗、バリア性及び金属埋め込み特性の三者を同様に満足のいくものとする高信頼性のコンタクトプラグ構造を有した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層と上層の電気的接続をするため絶縁膜４１にコンタクトホール４２を形成し、コンタクトホール４２内に第１の高融点金属膜４３を堆積し、第１の高融点金属膜４３の表面を窒化し、第１の高融点金属膜の窒化表面４４上に第２の高融点金属膜４５を堆積し、第２の高融点金属膜４５を熱処理により窒化物４６に変化させる。 （もっと読む）

本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および／または熱の散逸体に適切である。
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【課題】 アルミニウム合金層と透明電極層とがコンタクトホールを介して直接接合された構造を有する表示デバイスにおいて、そのコンタクト抵抗値を増加させることのない、表示デバイスの製造技術を提案する。
【解決手段】 基板に形成されたアルミニウム合金層上に、絶縁層を形成し、該絶縁層にレジストを被覆してドライエッチングにてコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを介して透明電極層と前記アルミニウム合金層とを直接接合させる工程を備える表示デバイスの製造方法において、コンタクトホールの形成に用いるドライエッチングガスは無機ハロゲンガスとし、レジストを剥離する剥離液にはグリコール類含有の水系溶液を用いることとした。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ合金が埋め込まれた半導体配線を製造するに当たり、凹部にＣｕ合金を埋め込むことができ、しかも配線の電気抵抗率を上げることなく絶縁膜とＣｕ配線の界面にバリア層を形成することができる配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた、最小幅が０．１５μｍ以下で、該最小幅に対する深さの比［深さ／最小幅比］が１以上である凹部の表面に、Ｔｉを０．５〜３原子％とＮを０．４〜２．０原子％含有するＣｕ合金を形成した後、２００℃以上、５０ＭＰａ以上に加熱加圧して前記凹部内に前記Ｃｕ合金を埋め込むことによって半導体配線を形成すればよい。 （もっと読む）

【課題】配線を低抵抗化するとともに、配線材料と層間絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成された第１の銅含有導電膜１２４と、第１の銅含有導電膜１２４上に形成され、第１の銅含有導電膜１２４に達する凹部が形成された絶縁膜（１０８、１１０、１１２、１１４）と、これら絶縁膜の凹部側壁を覆うように形成され、銅の拡散を防止する材料により構成された第２のバリア絶縁膜１２８と、凹部の底面で第１の銅含有導電膜１２４に接するとともに凹部の側壁で第２のバリア絶縁膜１２８に接して凹部内壁を覆うように形成された銅と銅とは異なる異種元素との第２の接着合金膜１３０と、銅を主成分として含み、第２の接着合金膜１３０上に第２の接着合金膜１３０に接して凹部を埋め込んで形成された第２の銅含有導電膜１３２とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン−ゲルマニウム立体構造ＣＭＯＳにおいて、シリコンＣＭＯＳ素子とゲルマニウムＣＭＯＳ素子との間の局所配線を容易に形成する。
【解決手段】シリコンＣＭＯＳ素子を有するシリコン基板を準備し（１２）、該素子の上部に絶縁層を形成する（１４）。上記絶縁層を部分的に開口し（１６）、その上にゲルマニウム薄膜を形成する（１８）。アニール処理により、上記薄膜のゲルマニウムを流動化する（２４）。これにより、開口部に上記ゲルマニウムが流れ込み、該ゲルマニウムと上記シリコン基板および上記シリコンＣＭＯＳ素子との間に接点が形成される。さらに冷却することで、上記ゲルマニウムがＬＰＥ成長により結晶化される（２６）。そして、単結晶のゲルマニウム上にゲルマニウムＣＭＯＳ素子を形成する。 （もっと読む）