【課題】 相互接続構造内にガウジング・フィーチャを導入することなくエレクトロマイグレーション耐性を向上させる相互接続構造を提供する。
【解決手段】 この構造は、バイア開口の底部に存在する金属界面層（または金属合金層）を含む。バイア開口は、第１の導電材料が埋め込まれた第１の誘電材料の上に位置する第２の誘電材料内に位置する。バイア開口の底部に存在する金属界面層（または金属合金層）は、第１の誘電体内に埋め込まれた下にある第１の導電材料と第２の誘電材料内に埋め込まれた第２の導電材料との間に位置する。また、エレクトロマイグレーション耐性が向上した相互接続構造を製造する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】 横方向（基板表面に平行な方向）にカーボンナノチューブを成長させるためには、側壁に平坦かつ微小な表面を持つ触媒膜を形成する必要がある。ところが、このような触媒膜を形成することは困難である。
【解決手段】 基板表面の相互に離隔した２つの縦配線領域に、第１の厚さの縦配線用触媒膜を形成し、１つの縦配線領域から他の縦配線領域まで連続する横配線領域に、第１の厚さよりも厚い第２の厚さの横配線用触媒膜を形成する。縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上に、カーボンを含む構造体を気相成長させる。気相成長の初期段階には、縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上にグラファイトが形成され、その後、縦配線領域の前記グラファイトと基板との間にカーボンナノチューブが成長し、横配線領域の前記グラファイトが、縦配線領域に成長したカーボンナノチューブによって中空に支持されるように第１の厚さ及び第２の厚さが設定されている。 （もっと読む）

【課題】表層部の銅を主体としてなる層の表面の結晶面の種類を低減することができ、それにより、銅配線本体の内部に存在する結晶粒界の密度を低減して、銅配線の電気抵抗を低減することができ、またＥＭ耐性やＳＭ耐性を改善して信頼性も向上することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層１０に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線を形成する銅配線形成方法において、絶縁層１０に開口部１１を設ける工程と、開口部の内周面に、銅より酸化されやすい金属元素を含む銅合金被膜１２を形成する銅合金被膜形成工程と、銅合金被膜に加熱処理を施して当該銅合金被膜からバリア層を形成するとともにその表面を構成する結晶面の種類を減じる加熱処理工程と、バリア層上に銅を被着させ、銅からなる配線本体を形成する配線本体形成工程と、を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ｐ電極にＴＣＯ膜を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子に関して、その高出力化および信頼性向上の少なくともいずれかを実現すること。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ系半導体層の上にＧａＮ系半導体からなる活性層とｐ型ＧａＮ系半導体層とを順次積層してなり、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の前記活性層側の主面とは反対側の主面上に形成されたＴＣＯ膜と該ＴＣＯ膜に接続されたｐ側ボンディングパッドとを含むｐ電極と、前記ＴＣＯ膜の前記ｐ型ＧａＮ系半導体層側とは反対側の主面上の一部に形成された抵抗制御膜と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層と前記ＴＣＯ膜との界面に形成されて前記抵抗制御膜の下方の領域において前記活性層を流れる電流を減少させる抵抗増加領域と、前記ｎ型層に接続されたｎ側ボンディングパッドと、を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比の貫通電極を有する半導体装置を低温プロセスによって製造する。
【解決手段】 半導体基板１の表面側に配置された第１の電極３と裏面側の第２の電極６は、接続孔４に充填された導電物７と、接続孔４内に延在する第２の電極６の延在部６ａとによって電気的に接続される。接続孔４が高アスペクト比であっても、第２の電極６を接続孔４の底部まで形成する代わりに導電物７を用いることで、低温プロセスによる成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低下させて、均一かつ確実に動作させる透明薄膜トランジスタ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】実質的に透明な基板と、基板上に実質的に透明な導電材料の第１の薄膜と金属材料の第２の薄膜とを２層以上積層して形成されたゲート配線と、ゲート配線上に形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体活性層と、実質的に透明な半導体活性層を挟んで離間して形成された実質的に透明な導電材料の第５の薄膜と金属材料の第６の薄膜とを２層以上積層して形成されたソース配線と、実質的に透明な半導体活性層を挟み、ソース配線に離間して実質的に透明な導電材料の第７の薄膜で形成されたドレイン電極と、を備えることを特徴とする透明薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】銅配線本体の開放表面に形成されるマンガンを含むバリア層に最適な内部構成を持たせて、そのバリア機能を充分に発揮させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】銅配線１は、電気絶縁層３に銅からなる配線本体８を備える。配線本体の外周８１は、電気絶縁層に対向している第１の外周８ａと電気絶縁層との間に形成された第１のバリア層７ａと、配線本体の外周のうち電気絶縁層に対向していない第２の外周８ｂに接して形成された第２のバリア層７ｂとを備える。第１および第２のバリア層はそれぞれマンガンを含む酸化物層からなるとともに、各バリア層内の厚さ方向でマンガンの原子濃度が極大となる位置を有する。 （もっと読む）

【課題】 ソフトエラーを低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電極パッドを有する半導体チップが形成される半導体基板と、前記電極パッドに設けられる内部接続端子と、前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように設けられる絶縁層と、前記絶縁層を挟んで前記内部接続端子と接続される配線パターンと、を有する半導体装置であって、前記絶縁層は、ポリイミド及び／又はポリイミド系化合物等のα線を遮蔽する材料を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【解決手段】マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板及びその作製方法に関する。また、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接している半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜とＣｕ配線の界面に、ＴｉＯ₂層とは異なるバリア層をＣｕ配線の電気抵抗率を高めることなく形成した半導体配線を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Ｔｉを含有するＣｕ配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Ｃｕ配線の間に、ＴｉＣ層を形成すればよい。前記絶縁膜は、ＳｉＣＯまたはＳｉＣＮとすればよい。前記ＴｉＣ層の厚みは、３〜３０ｎｍとすればよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少なくとも二つのボンディングパッド間に水平方向の電気接続を確立することを可能にする装置に関する。
【解決手段】本装置はボンディングパッドの垂直壁を接続する水平なカーボンナノチューブを備え、ボンディングパッドは少なくとも二つの物質を積層させることによって形成されていて、その一つはナノチューブ成長に触媒作用をもたらし、他の一つはナノチューブ成長に触媒作用をもたらす物質の層間のスペーサとして機能する。 （もっと読む）

【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】バリア層をさらに薄くしても、配線本体側からの銅の拡散や、絶縁膜側からの珪素の拡散に対する障壁作用を十分に保持して、絶縁膜の絶縁性確保、また配線の低抵抗化を実現することができ、それによって配線の線幅を減少させることができ、ＬＳＩの集積度も向上させることができるようにする。
【解決手段】この発明の銅配線は、シリコン基板の表面上に設けられ、珪素と酸素と炭素とを炭化水素基の形態で含むＳｉＯＣ絶縁層１０と、ＳｉＯＣ絶縁層１０上に形成され、添加元素の酸化物を含む銅合金からなるバリア層１５と、そのバリア層１５に接して形成され、銅を主成分としてなる配線本体１６とを備え、バリア層１５は、添加元素と炭素と水素とを含む酸化物からなり、その添加元素の原子濃度が最大となる当該バリア層内の厚さ方向の位置で、炭素と水素の各原子濃度が極大となる。 （もっと読む）

【課題】材料にガラスを用いた基体上にＴａＮ（６方晶）、αＴａ、銅がこの順形成された溝配線構造の場合、配線と基体との間で十分な密着強度が得られない場合があった。
【解決手段】本発明は、ガラスからなる基体上に銅配線が形成された、配線基板であって、銅配線が、Ｔａ₂Ｎ膜、αＴａ膜、および、銅あるいは銅を主成分とする合金からなる膜がこの順に形成された積層構造であることを特徴とする配線基板である。 （もっと読む）

【課題】線幅精度を低下させることなく、モールド押し付け後の残渣を除去することができ、高精度の微細パターンを形成することのできる微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にシロキサン結合を有する塗布膜（第１の膜１２）を形成し、この第１の膜１２に対して、室温で、モールド１３を押し付けて微細パターンを転写する。第１の膜１２を硬化させて薄膜（第２の膜１４）を形成し、モールド１３を取り外した後、斜め蒸着法によりパターンの凸部１４ａの上にのみ金属薄膜１５を形成し、この金属薄膜１５をマスクとして凹部１４ｂのエッチングを行い、残渣を除去する。 （もっと読む）

【課題】積層された各半導体チップが備える導体ポスト同士の接合が、低温下の処理でも、導電性に優れ、かつ、高い寸法精度で強固に行われている信頼性の高い半導体装置、かかる半導体装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、インターポーザー２と、第１の電気配線３４および厚さ方向に貫通して設けられた第１の導体ポスト３３とを有する第１の半導体チップ３と、第２の電気配線４４および厚さ方向に貫通して設けられた第２の導体ポスト４３とを有する第２の半導体チップ４とを備える。第１の導体ポスト３３と第２の導体ポスト４３とは、接合膜４３３を介して接合されている。この接合膜４３３は、導電性を有し、かつ、所定の処理を施すことにより接着性を発現する特定の材料で構成されており、その表面に発現した接着性によって、これら導体ポスト３３、４３同士を接合している。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層配線の形成方法は、シロキサン構造を含むビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４を金属配線４１ａ上に形成する第一の工程（図１［１］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の一部に金属配線４１ａに達する凹部としてのデュアルダマシン溝４８を形成する第二の工程（図１［２］〜図２［２］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４とデュアルダマシン溝４８内で露出した金属配線４１ａとに水素プラズマ処理を施すことにより、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の表面に改質層４９を形成するとともに金属配線金属配線４１ａの表面を還元する第三の工程（図３［１］）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線に十分なＥＭ耐性を確保しつつ、配線層間・線間リークを低減しかつＴＤＤＢ寿命を向上することができるとともに、ビアエッチの際に高選択比を確保して高信頼性な配線を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上の第１の絶縁膜１に形成された配線溝Ｍ１と、配線溝Ｍ１側壁及び底部に形成されたタンタル系バリアメタル２ａと、タンタル系バリアメタル２ａに沿って配線溝Ｍ１を埋め込むように形成されたＣｕ膜２ｂと、Ｃｕ膜２ｂ表面に形成された銅とシリコンの合金層または銅とシリコンと窒素のＣｕＳｉＮ層３ａと、ＣｕＳｉＮ層３ａの上及び第１の絶縁膜１の上に形成され第１の絶縁膜１より高密度なＳｉＮｘ膜３ｄとを有する。 （もっと読む）

【課題】低コストでメタルキャップ膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜１ｂに配線溝及び配線孔を形成し、バリアメタル２ｂを成膜した後、銅層３ｂを配線溝及び配線孔に埋め込むように形成する。次に、ＣＭＰ法により表面を平坦化して銅配線層を形成する。この際、ＣＭＰ用のスラリーに異種金属を有する水溶性金属化合物を添加してＣＭＰを行う。次に、不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で熱処理を行うことにより、銅配線層の表面に、異種金属が添加された銅層９ｂを形成する。その後、異種金属が添加された銅層９ｂを覆うようにバリア絶縁膜５ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの温度サイクル（ＴＣ）信頼性試験において、金属線がチップ表面からリフトオフされてチップが剥がれてしまわない固定用構造及び嵌合構造を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの金属構造２１０のための固定用構造は、オーバーハング形状の側壁２３０を少なくとも１つ含んだ固定用凹部構造２２０を含んでいる。上記金属構造２１０は、少なくとも部分的に上記固定用凹部構造２２０内に配置されている。 （もっと読む）