【課題】キャパシタの誘電体膜を構成する強誘電体又は高誘電体の結晶性が良好であり、キャパシタのスイッチング電荷量が高く、低電圧動作が可能で信頼性が高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１０にトランジスタＴ１、Ｔ２を形成した後、ストッパ層１２０及び層間絶縁膜１２１を形成する。そして、層間絶縁膜１２１にコンタクトホールを形成し、層間絶縁膜１２１上に銅膜を形成してコンタクトホール内に銅を埋め込む。その後、低圧ＣＭＰ研磨又はＥＣＭＰ研磨により層間絶縁膜１２１上の銅膜を除去して表面を平坦化し、プラグ１２４ａ，１２４ｂを形成する。次いで、バリアメタル１２５、下部電極１２６ａ、強誘電体膜１２７及び上部電極１２８ａを形成する。このようにして、強誘電体キャパシタ１３０を有する半導体装置（ＦｅＲＡＭ）が形成される。 （もっと読む）

【課題】任意の方向に傾斜した開口部を形成可能な基板の製造方法、半導体装置の製造方法、およびこれを適用した半導体装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】本適用例の素子基板１０１の製造方法は、素子基板１０１上に設けられた半導体装置としてのＴＦＴ１１０を覆うと共に第１開口部としての孔１０４ａが設けられた第２絶縁膜としての層間絶縁膜１０４をマスクとして、素子基板１０１の面法線１０１ａと交差する一の方向からドライエッチングを第１絶縁膜としてのゲート絶縁膜１０３に施して、孔１０４ａに連通すると共にＴＦＴ１１０のドレイン電極１１０ｄに開口する第２開口部としての孔１０３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高精細なパターニングが可能なパターン形成体の効率的な製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に形成され、表面が疎水性を示す疎水性層上にフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、上記フォトレジストパターンが形成された上記疎水性層の表面にエネルギーを照射して親水化し、親水性領域を形成する親水化工程と、上記フォトレジストパターンを剥離し、上記疎水性層表面に、上記親水性領域と上記親水化工程にて上記フォトレジストパターンで覆われていた疎水性領域とがパターン状に形成された親疎水パターンを形成するフォトレジストパターン剥離工程とを有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】微細電子回路を安価かつ簡便に作製する方法を提供することを課題とする。特に従来法では困難であった印刷法を利用する高精細な回路描画を達成することを課題とする。
【解決手段】特定の窒素原子含有オリゴマー鎖がπ共役縮合芳香環に結合した化合物を薄膜化し、光照射することにより、導電性またはキャリア移動特性を付与する。光照射をレーザー光線による走査あるいはフォトマスクを利用して実施することにより、微細回路を印刷法で形成可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの薄型化工程および分割工程における半導体デバイスの歩留まり低下を抑制し、基板両面に配線層を有する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス１１０の製造方法は、基板１０１の一方の面に第１の半導体素子１０２を形成する工程と、第１の半導体素子１０２上に第１の配線層１０４を形成する工程と、支持基板上に保護樹脂層を形成する工程と、第１の配線層１０４と保護樹脂層とが接触するように、支持基板を基板１０１に支柱を介して固定する工程と、基板１０１の他方の面側に第２の配線層４０４を形成する工程と、基板１０１の一部及び支柱の一部又は全部を除去して基板１０１と支持基板とを分離する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 銅からなる配線上に半田ボールが設けられた半導体装置において、半田ボール中の錫が配線に拡散するのをより一層抑制することができるようにする。
【解決手段】 配線７のランド上面には錫拡散抑制層１２が設けられ、この錫拡散抑制層１２上に半田ボール１３が設けられている。この場合、錫拡散抑制層１２は、銅含有率が高い非共晶組成の錫銅系鉛フリー半田によって形成され、リフロー時の加熱温度１８０℃以上２８０℃以下で溶融して固化した後同じ加熱温度１８０℃以上２８０℃以下で再溶融しないものからなっている。そして、この半導体装置が大きな電流を扱う電源ＩＣ等であっても、錫拡散抑制層１２の存在により、半田ボール１３中の錫が配線７に拡散するのをより一層抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における高周波伝送特性に優れ、コストが安価で、しかも、化学的安定性、電気絶縁性、耐熱衝撃性及び耐熱変形性に優れた絶縁構造を有する電子デバイス用基板及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】環状絶縁部３は、ガラスを主成分とする無機絶縁層３３を含み、無機絶縁層３３は、縦導体２を取り囲んで、半導体基板１に設けられた環状溝３０の内部に充填されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板２に形成した貫通電極６の導電率及び熱伝導率を向上させる。
【解決手段】電子デバイス１は、表面に窪み４を有し、この窪み４の底面から裏面に貫通する貫通孔３が形成された絶縁基板２と、貫通孔３に充填され、ナノ金属粒子と１０μｍ以下の平均粒径導電性フィラーを混合した金属ペーストの熱処理により形成された貫通電極６と、窪み４に収納され、貫通電極６に電気的に接続される電子部品７と、この電子部品７を封止する封止部９とを備えており、貫通電極６の導電率及び熱伝導率を向上させた。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により形成した微細な導電層の積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリックス基板、画像表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成し、その一部にエネルギーを付与して、低表面エネルギー部を隔て互いに近接した第１の領域４３と第２の領域４４を含む高表面エネルギー部を形成し、導電性材料を含有する機能液６１を第１の領域４３にインクジェット法を用いて選択的に滴下し、機能液６１を乾燥させて高表面エネルギー部上に導電層を形成する。その際、第１の領域４３の中心位置と機能液６１の滴下中心位置の距離Ｘは、機能液の飛翔時の直径Ｄ、機能液の着弾位置ばらつきα、第１の領域の幅Ｌ、第１の領域と第２の領域との間隔Ｓとして、Ｘ＜±（Ｌ＋２Ｓ−Ｄ−２α）／２（但し、Ｌ＋２Ｓ＞D＋２α）、及び、Ｘ＜±（Ｌ＋Ｄ−２α）／２（但し、Ｌ＋２Ｄ＞D＋２α）で表される。 （もっと読む）

【課題】 合成樹脂基板及び電極の両方に対するレベリング性に優れ、平滑性及び絶縁性に優れた硬化膜が得られる紫外線硬化型インクジェット記録用インク、それから得られた絶縁膜、電子素子及び電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 エネルギー線硬化性化合物、光重合開始剤、及び表面張力調整剤を含有し、硬化性を有さないポリマーを含まず、２５℃における粘度が１００ｍＰａ・ｓｅｃ以下、表面張力が２２〜３５ｍＮ／ｍ、かつインク硬化膜の体積抵抗率１０^１３Ω・ｃｍ以上であり、絶縁破壊強度１．２MV／ｃｍ^２以上である、絶縁膜を形成するためのソルベントフリー紫外線線硬化型インクジェット記録用インク、それを硬化してなる絶縁膜等を提供する。 （もっと読む）

【課題】エッジ配線を用いた３次元半導体集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】３次元半導体集積回路の製造方法は、第１の半導体チップ１０の少なくとも一つのエッジを含む表面にインクジェット機構３０を用いて第１の配線１４を形成する工程と、第２の半導体チップ２０の少なくとも一つのエッジを含む表面にインクジェット機構３０を用いて第２の配線２４を形成する工程と、第１及び第２の配線１４，２４の位置に基づき第１の半導体チップ１０と第２の半導体チップ２０とを積層することにより、第１の配線１４と第２の配線２４とを導通させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 プリント配線基板等の基板上に描画済の配線パターンの変更を簡易に行ない、生産性を向上すること。
【解決手段】 基板１０上に描画済の既設配線を修正する基板１０の配線修正装置１００であって、第１の既設配線１１を設定された切断位置においてレーザにより切断するレーザ切断装置１４０と、第１の既設配線１１における接続予定部と第２の既設配線１２における接続予定部とをつなぐ再配線３０を描画する配線用インクジェット塗布装置１５０を有するもの。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出法により吐出する液滴の着弾精度を飛躍的に向上させ、微細でかつ精度の高いパターンを基板上に直接形成することを可能にする。もって、基板の大型化に対応できる配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。また、スループットや材料の利用効率を向上させた配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液滴吐出法による液滴の吐出直前に、所望のパターンに従い基板表面上の液滴着弾位置に荷電ビームを走査し、そのすぐ後に該荷電ビームと逆符号の電荷を液滴に帯電させて吐出することによって、液滴の着弾位置の制御性を格段に向上させる。 （もっと読む）

【課題】スループットが向上し、且つ少ない液滴量でも第１の電極と第２の電極とを導通性を確保する。
【解決手段】基体１０の表面１０ａに形成された微細穴２の底部２ａとなる下面電極３と、基体１０の表面１０ａであって微細穴２の内壁部２ｂの上端近傍に配置された上面電極５とを導通させる導電層１２を形成する。この導電層１２の形成において、まず、金属ナノ粒子１１を分散させるためのクリアインク８を微細穴２に充填する。次に、微細穴２に金属ナノ粒子１１を含有する液滴を供給し、金属ナノ粒子１１を微細穴２内のクリアインク８で分散させる。次に、微細穴２内のクリアインク８を揮発させることで、微細穴２の底部２ａ及び内壁部２ｂに析出した金属ナノ粒子膜１１Ａを有する導電層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】焼結工程および浸漬処理が不要であり、優れた導電性が得られる銀超微粒子含有組成物および導電性パターン作製方法を提供する。
【解決手段】水性媒体中に、平均粒径が０．１μｍ以下の銀超微粒子、ポリマーラテックス、および水溶性ハロゲン化物を含有することを特徴とする銀超微粒子含有組成物。およびこの銀超微粒子含有組成物を基材表面に塗布・乾燥させることによりパターンを作製し、該パターンに紫外線の照射および／または水分の再付与を行う導電性パターン作製方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜材料となる微粒子を分散した液体を、被処理部材の表面に塗布して薄膜を製造する方法であって、均一な薄膜を製造する方法の提供を目的とする。
【解決手段】金属または半導体を含む薄膜の製造方法であって、溝（または凹部）４を有する被処理部材１０の表面に、金属の微粒子、半導体の微粒子、金属の酸化物を含む微粒子、および半導体の酸化物を含む微粒子、のうちの少なくともいずれかを溶媒中に分散した液体８を塗布する塗布工程と、被処理部材１０の表面に塗布した液体８の溶媒を揮発させる第１の熱処理工程と、マイクロ波を照射することにより、溶媒を揮発させた液体８に分散された微粒子を加熱し、液体８に含まれる微粒子または液体８に含まれる微粒子の成分で溝（または凹部）４を埋める第２の熱処理工程と、を備えたことを特徴とする薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】配線間のリーク電流が発生することを抑制し、配線間容量の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、絶縁膜２にダマシン配線を形成する工程（Ａ）を含む半導体装置１００の製造方法であって、基板１上に形成された絶縁膜２の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜２中の水分を脱離する工程（Ｂ）と、シリル化ガスを含む雰囲気中でアニール処理を行い、絶縁膜２をシリル化する工程（Ｃ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】工程時間を短縮し、平坦度(又は、ボンディングの均一性)を高め、絶縁層(絶縁基板)とチップとの間の接着力が向上したパッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパッケージは、パターニング層上に形成された第１導電層と、前記パターニング層上に前記第１導電層を埋め込むように形成された絶縁層と、前記絶縁層の外面に形成された第２導電層と、前記第１導電層と第２導電層とを電気的に接続するように前記絶縁層の内部に形成された第３導電層とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保し得る導電性組成物を提供すること。
【解決手段】第１の金属粒子１は、平均粒径が、微細サイズ効果を生じ融点よりも低い温度で溶融可能なｎｍ領域にある。第２の金属粒子２は、第１の金属粒子１の溶融により溶融する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等のパターンを作製する方法、さらには、層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等の絶縁膜、配線、電極、端子等の導電膜、半導体膜等の半導体素子の各部位の膜、良好なマスクパターン、及びコンタクトホールを形成する方法を提案し、更には低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一は、膜上にぬれ性の低い１のマスクパターンを形成した後、第１のマスクパターンを介して、膜上にぬれ性の高い材料を塗布又は吐出して第２のマスクパターンを形成し、第１のマスクパターンを除去して、第２のマスクパターンをマスクとして第１の膜の一部を除去する。 （もっと読む）