説明

Fターム[5F033PP26]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 導電膜の成膜方法 (14,896) | 塗布又は液体からの成膜 (5,037)

Fターム[5F033PP26]の下位に属するFターム

Fターム[5F033PP26]に分類される特許

81 - 100 / 1,083


【課題】銅の高原子価化合物から金属銅膜を製造する組成物、金属銅膜の製造方法、および金属銅膜を提供する。
【解決手段】銅化合物;直鎖、分岐または環状の炭素数1から18のアルコール類;VIII族金属触媒;バインダー樹脂;バインダー樹脂硬化剤および銅錯体から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス;水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。
また、銅化合物;直鎖、分岐または環状の炭素数1から18のアルコール類;VIII族金属触媒;バインダー樹脂;バインダー樹脂硬化剤;銅錯体およびレオロジー調整剤から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス;水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】高粘度の材料を射出して基板上にパターンを形成することができるパターン形成技術を提供する。
【解決手段】透明な基材41の表面に加熱により圧力を発生する圧力発生部材42を積層し、その層の上に複数の射出孔46を設けたノズルプレート45を接着している。複数の射出孔46には被射出材たる金属ペースト43を装填している。そして、レーザー光照射部60が基板Wに対して相対移動しつつ、レーザー光照射をオンオフして複数の射出孔46のうちの一部に対応する圧力発生部材42を加熱する。レーザー光照射によって加熱された圧力発生部材42の一部では、樟脳の昇華に起因した急激な体積膨張により圧力波が発生する。こうして発生した圧力により、射出孔46に装填された金属ペースト43を基板Wに向けて射出し、基板Wの表面に金属ペースト43のパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】印刷形成が可能である銅系粒子堆積層を、基板密着性、低体積抵抗率、基板ダメージがなく深部まで還元する処理方法であり、且つ印刷塗布部外への銅の析出を抑制した、金属銅膜の作製方法、及び、作製した印刷金属銅パターンを提供する。
【解決手段】基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、120℃以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤と混合ガスにより処理する、金属銅膜の作製方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、金属薄膜電極及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例による金属薄膜電極の製造方法は、基材上に金属粉末、有機バインダ及び有機溶媒を含む金属ペーストを塗布して金属薄膜を形成する段階と、金属薄膜を有機酸と水系液の比が10:90〜90:10の雰囲気で還元焼成する段階と、を含む。 (もっと読む)


【課題】少なくともフォトマスクの枚数を増加させることなく、積層構造の下部の導電層が露出するように該導電層上の絶縁膜に対する開口部の形成方法を提供する。
【解決手段】開口部が設けられる部分の積層構造の下部の導電層を、該開口部を形成するフォトマスクと同一のフォトマスクを用いて形成されたエッチングマスクにより予め露出させ、その後保護絶縁膜を形成し、前記積層構造の上部の導電層が開口部において露出されないように、保護絶縁膜に開口部を形成する。このような開口部の形成方法は、半導体装置の作製方法に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】機械的強度が比較的弱い材料を層間絶縁膜の材料として用いる場合であっても、集積度が高く、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】支持基板10と、支持基板上に形成され、絶縁層26,28,38,44,50,56,62,68を介して複数の配線36,42,48,54,60,66を積層して成る多層配線構造と、多層配線構造上に形成された電極パッド78と、多層配線構造を貫いて支持基板に達し、電極パッドを支持する構造物76であって、断面が十字形又はY字形である構造物とを有している。この構造物により電極パッドが支持されているため、ボンディングを行った際に電極パッドの下方に存在する構成要素に大きなストレスが加わるのを防止することができ、多層配線構造の一部に、機械的強度が比較的弱い層間絶縁膜を用いた場合であっても、微細な配線パターンの変形や断線等、トランジスタの破壊等を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上に形成するインダクタのインダクタンスを大きくすること。
【解決手段】半導体基板上に形成された少なくとも1層からなるコイル配線のコイル中央孔に別基板に形成されたコアを挿入する。コアをコイル中央孔に固定した後、別基板は分離する。コアは別基板に接合材を介してコア材(磁性体)の薄板を付着させて、パターニングする。半導体基板上に形成されたコイル中央孔は流動性接着剤が入っていて、コアを挿入した後に流動性接着剤が硬化してコアが固定される。コアが固定された後に接合剤の接着力を低下させて別基板を分離する。コア材はバルクと同じ高透磁率を有するので、非常に大きなインダクタンスを持つインダクタを形成できる。 (もっと読む)


【課題】浅いトレンチ分離および基板貫通ビアの集積回路設計への統合を提供すること。
【解決手段】ICを製造する方法は、第1の側、および第2の対向する側を有する基板を用意すること、基板の第1の側にSTI開口を形成すること、および基板の第1の側に部分的TSV開口を形成すること、および部分的TSV開口を延長することを含む。延長された部分的TSV開口は、STI開口より基板内への深さが深い。方法はまた、STI開口を第1の固体材料で充填すること、および延長された部分的TSV開口を第2の固体材料で充填することを含む。STI開口、部分的TSV開口、または延長された部分的TSV開口のいずれも、基板の第2の側の外面を貫通しない。少なくとも、STI開口および部分的TSV開口は同時に形成され、またはSTI開口および延長された部分的TSV開口は同時に充填される。 (もっと読む)


【課題】隣接デバイスの特性への悪影響を低減するTSV相互接続構造の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の主面S1を有する基板を設け、少なくとも一つのTSV穴部と、TSV穴部を囲み残りの基板材料によって分離されるトレンチ状構造3、とをエッチングにより同時に作製する。基板の第1の主面でトレンチ状構造の開口をピンチオフするためと、TSV穴部側壁を平滑にするために、誘電性のライナー2a、2bを堆積し、トレンチ状構造にエアギャップ4を作製する。TSV相互接続10を生成するためにTSV穴部に導体材料を堆積する。 (もっと読む)


【課題】インクジェット法により微細なパターンでショートさせることなく機能性膜を形成することができる機能性膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被印刷面上に、低表面エネルギー領域を隔てて隣接する高表面エネルギー領域231,241を有する表面において、高表面エネルギー領域231,241の形状及び機能液の着弾範囲に基づいて、高表面エネルギー領域231(241)に機能液を供給する際に該機能液が高表面エネルギー領域231(241)のみに触れるための滴下許容範囲231A(241A)を決定し、ついで滴下許容範囲231A(241A)内の任意の位置を高表面エネルギー領域231(241)に対する機能液の滴下位置231C(241C)として決定し、高表面エネルギー領域231(241)の滴下位置231C(241C)にインクジェット法を用いて選択的に機能液を供給して所定パターンの機能性膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの表面上に形成された複数の複合バンプを有する、半導体ダイを提供するステップであって、前記複合バンプは、可融性部分および非可融性部分を有する、ステップと、基板を提供するステップと、エスケープルーティング密度を増加させるための平面図から、伝導性トレースと平行な縁を有する相互接続部位を伴って前記基板上に複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記複合バンプは、前記相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記可融性部分が前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記複合バンプの前記可融性部分を前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記複合バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 (もっと読む)


【課題】150℃〜250℃の範囲に選択する温度で焼結処理を施すことで、膜厚が厚く、利用する金属の3倍以下の体積固有抵抗率を有する導電体層を高い再現性で作製する用途に十分に適合する、バインダー樹脂成分を含有していない、新規な構成の導電性金属ペーストを提供する。
【解決手段】導電性金属ペースト中に含有される、金属微細粉末の体積比率Vmetal-particle、金属ナノ粒子の体積比率Vnano-particle、その被覆剤分子層の形成に利用される被覆剤分子の体積比率Vcoating-molecule、分散溶媒の体積比率Vsolventについて、比Vmetal-particle:(Vnano-particle+Vcoating-molecule+Vsolvent)を1:1〜1:4.6の範囲に、比(Vnano-particle+Vcoating-molecule):Vsolventを1:0.7〜1:3の範囲に、比(Vmetal-particle:Vnano-particle)を90:10〜60:40の範囲に選択する。 (もっと読む)


【課題】材料コストが安く高周波特性が良好な貫通電極基板を簡便な工程で得ることができ、製造時間とコストの大幅な削減が可能な貫通電極基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向に形成された複数の貫通孔を有するガラス基板の前記貫通孔内に、導電性材料からなる貫通電極を有する貫通電極基板の製造方法であって、金属粒子を含む流動性の導電性組成物を前記ガラス基板上に塗布して、該導電性組成物を前記貫通孔内に充填する工程と、前記貫通孔内に充填された前記導電性組成物を加熱して、該貫通孔内に前記貫通電極を形成する工程を備える貫通電極基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハテスト後のウェーハ状態において所望の回路を印刷処理により容易に形成することが可能な半導体製造方法および半導体装置を提供することを課題する。
【解決手段】本発明に係る半導体製造方法は、ウェーハの被描画パターン形成領域に所定の深さを有する溝部を形成する工程、ウェーハに対してトリミング要否の検査を行う工程、前記ウェーハにおけるトリミング必要なウェーハの前記溝部に導電性溶剤を射出し描画パターンを描画する工程、描画パターンを描画した後、脱気および低温アニールする工程、脱気および低温アニールした成膜後、当該成膜表面を平坦化する工程、および平坦化した後、高温アニールする工程、を有する。 (もっと読む)


【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明によるパターン転写方法は、基板上にパターン物質を形成する第1段階と、パターン物質を固相状態に硬化させる第2段階と、硬化された固相状態のパターン物質にレーザー光を照射して、パターン物質をパターニングする第3段階と、パターニングされた固相状態のパターン物質と柔軟基板をお互いに突き合わせて加圧して、パターン物質から柔軟基板方向に、または柔軟基板からパターン物質方向にレーザー光を照射して、パターン物質と柔軟基板を突き合わせた部位で発生する柔軟基板の粘性力によって、パターン物質を柔軟基板に転写する第4段階と、を含む。 (もっと読む)


【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部300は、センサ部100に設けられた第1固定部と第2固定部とを電気的に接続したクロス配線部323を備え、クロス配線部323はキャップ部300の一面301に配置されたクロス配線322を備えている。また、キャップ部300は、キャップ部300を貫通し、一端がクロス配線322に電気的に接続され、他端がキャップ部300の他面302に配置された貫通電極344を備えている。これにより、貫通電極344を介してクロス配線322の電位、すなわち、センサ部100の第1固定部および第2固定部の電位をキャップ部300の他面302に取り出すことができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、簡易な製造工程で高精細なパターン状に導電性パターン等を効率よく形成可能なパターン形成体の製造方法、およびその方法により形成されたパターン形成体を用いた配線基板の製造方法や有機薄膜トランジスタの製造方法等を提供することを主目的としている。
【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、光触媒を含有する光触媒含有層および基体を有する光触媒含有層側基板の光触媒含有層と、撥水性を有する樹脂製基材とを対向させて配置し、パターン状にエネルギーを照射することにより、前記樹脂製基材上に水との接触角が低下した濡れ性変化パターンをパターン状に形成するエネルギー照射工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、1つのレジストマスクを用
いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。
【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露
光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金
属膜を形成する。以上により、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形
成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】印刷法にて、容易にヴィアホール等のパターンを形成する方法を提供する事。
【解決手段】基板上に設けられた第一高分子材料からなる第一薄膜をパターニングする際に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒とする。 (もっと読む)


81 - 100 / 1,083