【課題】ゲート配線が保護膜に覆われた構造において、保護膜に発生するクラックがゲート配線に到達することを防止することにより、ゲート−エミッタ間のショート不良を防止する。
【解決手段】半導体素子の第１領域と接続される表面電極１７、および通路１２の少なくとも一部に、半導体素子の第２領域と接続される第１金属配線１８を形成する。その後、はんだ２９が実装されない通路１２ｂに形成する第１保護膜２５の高さが、はんだ２９が実装される通路１２ａに形成する第１保護膜２５の高さよりも高くなるように、注入器３２を用いて第１保護膜２５を通路１２に塗布する。続いて、表面電極１７および第１保護膜２５の上に金属層２７、２８を形成してはんだ２９が実装されない通路１２ｂに形成した第１保護膜２５が金属層２７、２８から露出するように、はんだ２９が実装されない通路１２ｂに形成した第１保護膜２５の一部および金属層２７、２８を切削する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が比較的弱い材料を層間絶縁膜の材料として用いる場合であっても、集積度が高く、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】支持基板１０と、支持基板上に形成され、絶縁層２６，２８，３８，４４，５０，５６，６２，６８を介して複数の配線３６，４２，４８，５４，６０，６６を積層して成る多層配線構造と、多層配線構造上に形成された電極パッド７８と、多層配線構造を貫いて支持基板に達し、電極パッドを支持する構造物７６であって、断面が十字形又はＹ字形である構造物とを有している。この構造物により電極パッドが支持されているため、ボンディングを行った際に電極パッドの下方に存在する構成要素に大きなストレスが加わるのを防止することができ、多層配線構造の一部に、機械的強度が比較的弱い層間絶縁膜を用いた場合であっても、微細な配線パターンの変形や断線等、トランジスタの破壊等を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン酸や酸化剤からなるエッチング液において、高微細パターンのエッチング入りを向上させ、エッチング残りおよびオーバーエッチングのない恒常的に安定して高精細・高輝度のフラットディスプレイに対応した高微細精度の透明導電膜の回路パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも下記（ａ）群から選ばれる少なくとも１種のハロゲン酸および／または下記酸化剤（ｂ）とを水に含有してなる透明導電膜用エッチング液において、下記の一般式（１）で表される化合物（Ｗ）を含有することを特徴とする透明導電膜用エッチング液。
・（ａ）群；塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸
・酸化剤（ｂ）；塩化第二鉄または硝酸
（Ｒｆ１ＳＯ₂）（Ｒｆ２ＳＯ₂）ＮＸ （１） （もっと読む）

【課題】 配線材料の層間絶縁膜への拡散を抑制する拡散抑制膜による多層配線構造を設けた光電変換装置において、工程を増加させることなく、受光効率を高める。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、最上配線層の上部に、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する拡散抑制膜が配され、前記拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、前記拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３次元的に積層された複数の半導体チップを有する半導体装置の製造歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の第２面１ｂからパッド３に達する貫通電極１７が形成されている。貫通電極１７の内部にある貫通空間は、第１孔７および第１孔７よりも孔径の小さい第２孔１１によって構成されている。半導体基板１の第２面１ｂから半導体基板１を貫通して層間絶縁膜２の途中まで第１孔７が形成されている。そして、第１孔７の底部から層間絶縁膜２を貫通してパッド３に達する第２孔１１が形成されている。このとき、半導体基板１の第１面１ａに形成されている層間絶縁膜２は、第１孔７の底面と半導体基板１の第１面１ａとの段差を反映して段差形状になっている。すなわち、第１孔７の底面とパッド３間に存在する層間絶縁膜２の膜厚がその他の場所の層間絶縁膜２の膜厚よりも薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体構造同士を直接結合する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態は、半導体構造同士を直接結合する方法を含む。いくつかの実施形態では、半導体構造の直接結合された金属フィーチャ間の境界面に、キャップ層を提供することができる。いくつかの実施形態では、半導体構造の直接結合された金属フィーチャ内に、不純物が提供される。そのような方法を使用して、結合された半導体構造が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成するインダクタのインダクタンスを大きくすること。
【解決手段】半導体基板上に形成された少なくとも１層からなるコイル配線のコイル中央孔に別基板に形成されたコアを挿入する。コアをコイル中央孔に固定した後、別基板は分離する。コアは別基板に接合材を介してコア材（磁性体）の薄板を付着させて、パターニングする。半導体基板上に形成されたコイル中央孔は流動性接着剤が入っていて、コアを挿入した後に流動性接着剤が硬化してコアが固定される。コアが固定された後に接合剤の接着力を低下させて別基板を分離する。コア材はバルクと同じ高透磁率を有するので、非常に大きなインダクタンスを持つインダクタを形成できる。 （もっと読む）

【課題】 三次元積層構造を持つ半導体装置において、積層された半導体回路層間の積層方向の電気的接続を、埋込配線を使用して容易に実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１半導体回路層１ａの半導体基板１１の表面に、絶縁膜１４で内壁面が覆われたトレンチ１３を形成し、トレンチ１３の内部に導電性材料を充填して導電性プラグ１５を形成する。次に、トレンチ１３とは重ならないように所望の半導体素子を基板１１の表面または内部に形成し、その上に層間絶縁膜１９を介して多層配線構造３０を形成してから、多層配線構造３０の表面にプラグ１５に電気的に接続されたバンプ電極３７を形成する。そして、電極３７を用いて基板１１を支持基板４０に固定してから基板１１をその裏面側から選択的に除去し、絶縁膜１４を基板１１の裏面側に露出させる。基板１１の裏面側に露出せしめられた絶縁膜１４を選択的に除去してプラグ１５を露出させ、その端に電極４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を削減し、電気抵抗値のバラツキを低減して歩留まりを向上させる。
【解決手段】まず、半導体基板１の平面１ａに、開口部を有するマスク層を形成し、次いで、半導体基板１に、マスク層の開口部から電極パッド層４に達するビアホール６を形成した後、マスク層を除去する。次に、金属層形成工程において、半導体基板１に形成したビアホール６の底部６ａとなる電極パッド層４上に、電極パッド層４よりも絶縁材料の密着性が低い金属層８を形成する。次に、絶縁層形成工程において、化学気相成長法にて金属層８を除く部分、即ちビアホール６の側壁部６ｂに絶縁材料からなる絶縁層９を形成する。そして、導電膜形成工程において、半導体基板１の平面１ａ及びビアホール６の内部に導電層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 相互接続ラインを形成するための新規な方法を提供する。
【解決手段】 細線相互接続部（６０）は基体（１０）の表面内又はその上に形成された半導体回路（４２）の上に位置する第１の誘電体層（１２）内に設けられる。パシベーション層（１８）は誘電体層の上に付着され、第２の厚い誘電体層（２０）はパシベーション層の表面上に形成される。厚くて幅広い相互接続ラインは第２の厚い誘電体層内に形成される。第１の誘電体層はまた、基体の表面上に付着されたパシベーション層の表面上に幅広くて厚い相互接続ネットワークを形成するように、省略することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの表面上に形成された複数の複合バンプを有する、半導体ダイを提供するステップであって、前記複合バンプは、可融性部分および非可融性部分を有する、ステップと、基板を提供するステップと、エスケープルーティング密度を増加させるための平面図から、伝導性トレースと平行な縁を有する相互接続部位を伴って前記基板上に複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記複合バンプは、前記相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記可融性部分が前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記複合バンプの前記可融性部分を前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記複合バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面から貫通孔絶縁層が後退した場合においても、半導体層と貫通電極との絶縁性を確保する。
【解決手段】貫通孔６には、貫通孔絶縁層７、８を介して貫通電極９が埋め込まれ、貫通孔絶縁層７、８は、半導体層３の表面から後退するようにして形成され、半導体層３と貫通電極９との間には、貫通孔絶縁層７、８の後退部分の対応した凹部１０が形成され、貫通電極９の側壁には、凹部１０に埋め込まれたサイドウォール絶縁膜１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】装置特性の低下を防止するとともに、半導体基板と貫通電極の短絡を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１面と、第１面と対向してトレンチが形成された第２面とを有する基板と、基板内に形成されたビアホールを充填し、ビアホールの内壁から順にビアホール絶縁膜、障壁膜、および導電性接続部を有してなる貫通ビアと、第２面上に形成されて貫通ビアの一部領域を露出する開口部を有する絶縁膜と、トレンチ内に埋め込まれ、貫通ビアと電気的に接続される再配線と、を有し、絶縁膜は導電性接続部の一部領域と重複する。 （もっと読む）

【課題】工程数の増大を抑制しつつ、チップ上に形成された再配線または突出電極の信頼性を向上させる。
【解決手段】配線２ｂおよびパッド電極２ａが形成された半導体基板と、半導体基板上に形成された応力緩和層４と、応力緩和層４上に合金シード膜５を形成した後、応力緩和層４と合金シード膜５とを熱処理にて反応させることで、応力緩和層４と合金シード膜５との間に反応性バリア絶縁膜６を形成する。再配線８または突出電極は合金シード膜５上に形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極のための開口部を形成する時に、上部配線層の配線とのミスアラインメント問題が発生しない半導体装置を製造する方法の提供。
【解決手段】第１面及び第１面の反対側に第２面を有する基板を準備する段階と、基板の第１面から基板の厚さ方向に延長して貫通電極が形成される領域に犠牲膜パターンを形成する段階と、基板の第１面上に形成され、犠牲膜パターン上に位置する配線を有する上部配線層を形成する段階と、基板の第２面を部分的に除去して犠牲膜パターンを露出させる段階と、犠牲膜パターンを基板の第２面から除去して配線を露出させる開口部を形成する段階と、開口部内に配線と電気的に接続される貫通電極を形成する段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】水素又はカルボン酸を用いたリフロー時の導電部と絶縁層の密着力低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板の上に設けられた第１導電部上に絶縁層を形成し（ステップＳ１）、その絶縁層を被覆するようにバリア層を形成した後（ステップＳ２）、そのバリア層の上に第２導電部を形成する（ステップＳ３）。そして、第１導電部上の絶縁層がバリア層で被覆されている状態で、第２導電部を水素又はカルボン酸を含む雰囲気中で溶融し（ステップＳ４）、その後、その第２導電部をマスクにして、絶縁層の上からバリア層を除去する（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】電子部品の貫通電極において、基板の両面から貫通電極に接触することが必要であることに起因して高度な検査技術が必要である貫通電極の検査を容易にすることができる、マザー基板、電子部品の検査方法、電子部品、及び電子部品の製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、マザー基板に区画形成された電子部品の製造方法であって、基板の第１面における複数の区画領域に回路を形成する回路形成工程と、区画領域にて、第１面と第１面の反対面である第２面とを電気的に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、互いに異なる区画領域に位置する貫通電極を第１面にて連結配線で電気的に接続する連結配線形成工程と、第２面にて、連結配線形成工程で電気的に接続された複数の貫通電極に検査プローブを電気的に接続させることによって、貫通電極の機能を検査する機能検査工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】エアブリッジの強度低下抑制、半導体素子の特性悪化抑制およびスペーサ材料残りの問題の回避を達成しつつ、被覆面積の大きなエアブリッジを製造することができるエアブリッジの製造方法を提供する。
【解決手段】レジスト層１００の上に、二層目のレジスト層であるレジスト層１０２を塗布する。レジスト層１０２についても、一層目（レジスト層１００）と同様に、所定の寸法Ｗ_２を残すように露光現像を行い、その後、三層目のレジスト（レジスト層１０４）を塗布する。三層目（レジスト層１０４）においても所定の寸法Ｗ_３を残すように露光現像を行う。形作られたレジスト層１０２、１０４、１０６の積層構造上に、エアブリッジ１０を形成する材料の層１０６を積層することにより、エアブリッジ１０の形成を行う。レジスト除去を行うことにより、断面形状が階段形状であるエアブリッジ１０が完成する。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法によって、Ｍ（ＢＨ_４）_４（Ｍは、Ｚｒ又はＨｆを意味する）を原料としてＭ／Ｚｒ比が適正範囲内で良質なＭＢ_ｘ膜（Ｍは前記と同じ意味を有し、ｘは１．８〜２．５の数を意味する）を成膜する。
【解決手段】ガス供給源１９から、ガス供給配管１５ａを介してＨ_２ガスを原料容器２１内に供給する。原料容器２１内では、導入されたＨ_２ガスとの接触によって、固体原料のＺｒ（ＢＨ_４）_４が気化する。そして、成膜ガスとしてのＨ_２ガスとＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスの混合ガスが、ガス供給配管１５ｃ，１５ｃ１、シャワーヘッド１１のガス拡散空間１２及びガス吐出孔１３を介して処理容器１内に導入され、ウエハＷ上の絶縁膜の表面を覆うように、ＺｒＢ_ｘ膜の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】プローブ針の先端を研磨する時間を短縮することと接触抵抗を低く安定させること。
【解決手段】半導体基板上に形成された電子回路と、前記半導体基板上に形成され、前記電子回路と電気的に接続し、金属膜３４と前記金属膜より硬い材料の層３６とを備え、上視した場合前記層と前記金属膜とが配置された第１領域４０と、前記金属膜が配置され前記層が形成されない第２領域４２とを備えるパッド１６と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）