【課題】積層された各半導体チップが備える導体ポスト同士の接合が、低温下の処理でも、導電性に優れ、かつ、高い寸法精度で強固に行われている信頼性の高い半導体装置、かかる半導体装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、インターポーザー２と、第１の電気配線３４および厚さ方向に貫通して設けられた第１の導体ポスト３３とを有する第１の半導体チップ３と、第２の電気配線４４および厚さ方向に貫通して設けられた第２の導体ポスト４３とを有する第２の半導体チップ４とを備える。第１の導体ポスト３３と第２の導体ポスト４３とは、接合膜４３３を介して接合されている。この接合膜４３３は、導電性を有し、かつ、所定の処理を施すことにより接着性を発現する特定の材料で構成されており、その表面に発現した接着性によって、これら導体ポスト３３、４３同士を接合している。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージを受けた低誘電率絶縁膜を回復剤に接触させて回復する際に、絶縁膜中での回復剤濃度を高めることができて、効率的に回復処理が進行でき、回復後の絶縁膜の特性も良好となる回復処理方法を得る。
【解決手段】プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜が存在する基板５をチャンバー１内に収め、チャンバー内に回復剤蒸気を導入し、チャンバー内部を加熱して、前記絶縁膜のダメージ回復処理を行う際に、チャンバー１の内壁の温度を基板の温度よりも高温とする。チャンバーの壁の温度を回復剤の沸点よりも高温にすることが好ましく、チャンバー内に回復剤蒸気を導入したのち、基板５の温度を昇温することも好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱プロセスを使用しないで、低誘電率材料である空隙を含む多層配線構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】誘電層１０５にトレンチを形成し、トレンチにコンフォーマル誘電バリア膜と金属拡散バリア膜を堆積する。トレンチに導電材料を充填し導電ライン１０９を形成する。誘電層と導電ライン上に多孔性バリア１１１を形成する。フォトレジスト１１２を生成し、そのホール１１３からエッチング液を多孔性バリアを介して誘電層に接触させ、誘電層をエッチング除去して空隙１１４を形成する。コンフォーマル誘電バリア膜が、ウェットエッチング化学薬品に対するバリアとして作用する。 （もっと読む）

【課題】エッチングされた所望のアスペクト比の提供。
【解決手段】構造を形成するための方法が、基板の表面にわたって少なくとも１つの特徴部を形成するステップを含む。少なくとも１つの特徴部の上には窒素含有誘電体層を形成する。少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の窒素含有層の第１の部分を、第１の速度で取り除き、少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する基板の上の窒素含有層の第２の部分を、第２の速度で取り除く。第１の速度は第２の速度よりも大きい。窒素含有誘電体層の上に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの不均一を改善することにより、プラズマダメージを抑え、得られる半導体素子の性能や製品歩留りの劣化を抑えることが可能な半導体製造方法と半導体製造装置を提供する。
【解決手段】反応室１１内に設けられた下部電極１３にウェハｗを載置し、反応室１１内にプロセスガスを導入し、ウェハｗの被処理面と離間するように磁場を印加し、下部電極１３と、下部電極１３と対向配置された上部電極１２間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、プラズマが安定化した後、磁場を除去し、ウェハｗをプラズマ処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置された金属材料層をエッチングすることにより、基板全体に亘って、望ましいプロファイルと均一な限界寸法（ＣＤ）でもってフィーチャーを形成するための方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、基板上に配置された材料層をエッチングするための方法は、その上に金属層を有する基板をエッチリアクタ内に設置し、少なくとも塩素含有ガスと不動態化ガスを含有するガス混合物をリアクタに流すことを含み、不動態化ガスは窒素ガスと不飽和炭化水素ガスを含み、窒素ガスと不飽和炭化水素ガスは、ガス流量比約１：３〜約２０：１を有しており、本方法は、ガス混合物から形成したプラズマを用いて金属層をエッチングすることを更に含む。 （もっと読む）

【課題】貫通孔とエアギャップとのミスアライメントが生じた場合においても貫通孔とエアギャップの連通を防止する。
【解決手段】酸化シリコン膜（第１絶縁膜）１０のうち配線頂部を覆うキャップ部位１０ａの側面からエアギャップ１６側にストッパー層１２の翼部位１２ｂが延設されており、エアギャップ１６の上方周縁部上に設けられている。したがって、層間絶縁膜１４、ストッパー層１２および酸化シリコン膜１０を上方から貫いて配線６に繋がるように貫通孔１８を形成する際、貫通孔１８の形成位置が予め設定された基準位置から多少ずれたとしてもストッパー層１２により貫通孔１８のエアギャップ１６への到達が阻止されて両者の連通が防止される。 （もっと読む）

【課題】製造工程を減らして生産性を向上させることができると共に開口度が大きくて明るい表示が可能なＦＦＳモード等の横方向電界方式の液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置の製造方法は、パッシベーション膜１７の表面にコンタクトホール２１ａの形成予定位置に開口が形成された平坦化膜１８を形成すると共に表示領域の周縁部の平坦化膜は除去し、次いで、フッ素系のエッチングガスを用いて露出しているパッシベーション膜１７を除去する工程を備える。この方法を採用することによって、従来例よりもコンタクトホール２１ａの開口サイズが小さくなると共に製造工程数を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）

【課題】配線層のバリア膜の酸化を防ぎ、配線からのＣｕの漏れを防止する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態の半導体装置は、半導体基板（１）と、前記半導体基板上に形成されたＣｕを有する第１の絶縁膜（３）と、前記第１の絶縁膜に形成された溝に設けられた配線（５）と、前記配線と前記第１の絶縁膜との間に形成されたバリア膜（４）と、前記配線の上面に形成されるとともに、前記バリア膜の側部と前記第１の絶縁膜との間の中空部（３２１）に前記配線の厚さ未満の深さまで形成された第２の絶縁膜（６）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に対するストップ層の選択比を大きくすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】Ｃ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１とストップ層４２とを備え、該ストップ層４２は低誘電率層間絶縁膜４１に形成されたビアホール４６の底部において露出するウエハＷに施される半導体デバイス製造処理において、ＣＦ_４ガス及びＣＨ_２Ｆ_２ガスから生じたプラズマに低誘電率層間絶縁膜４１及びストップ層４２を晒して該ストップ層４２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】高精度のドライエッチング加工とＬＥＲの低減をともに実現することのできる被エッチング膜の加工方法を提供する。
【解決手段】被エッチング膜の上部に、下層より順に有機マスク層４０、シリコン含有層５０およびレジスト層７０を形成する工程と、フォトリソグラフィー法により前記レジスト層７０に所定のパターンを形成する工程と、前記レジスト層７０をマスクとして、第一エッチングガスを用いて前記シリコン含有層５０をエッチングする工程と、前記エッチングされたシリコン含有層５０をマスクとして、第二エッチングガスを用いて前記有機マスク層４０をエッチングする工程と、前記エッチングされた有機マスク層４０をマスクとして、第三エッチングガスを用いて前記被エッチング膜をエッチングする工程と、を含み、前記第一エッチングガスがＣＦ_３Ｉを含むことを特徴とする被エッチング膜の加工方法。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高アスペクト比のコンタクト開口部を形成するエッチング方法を提供する。
【解決手段】各コンタクト開口部の側壁上に導電性の高い薄膜を形成することでエッチプロファイルの湾曲又は屈曲を防止しながら高アスペクト比のコンタクト開口部をエッチングする。側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 （もっと読む）

【課題】塗布型のフォトレジストと安全性の高いガスを使用しながら、低コストでＩｎＰ基板にビアホールを形成することができるＩｎＰのドライエッチング方法およびビアホール形成方法を提供する。
【解決手段】半絶縁性ＩｎＰ基板１の第１の基板面上に上面電極５を形成する電極形成段階と、半絶縁性ＩｎＰ基板１の第１の基板面にサファイア基板６を貼り付ける貼り付け段階と、半絶縁性ＩｎＰ基板１を薄化する薄化段階と、半絶縁性ＩｎＰ基板１の第２の基板面上にレジストパターン８を形成するレジストパターン形成段階と、レジストパターン８をマスクとしてエッチングガスを用いて、半絶縁性ＩｎＰ基板１の第２の基板面側をエッチングするエッチング段階とを含み、エッチングガスがＨＩガスとＮ₂ガスとＨｅガスとを含み、全ガス流量に対するＮ₂ガスの流量が５％以上であり、かつ、ＨＩガスのＨｅガスに対するガス流量比が１未満である。 （もっと読む）

【課題】 画像読取装置において、下側のＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜と上側のＩＴＯ膜との間で良好なコンタクトを得ることができるようにする。
【解決手段】 例えば、ドレインライン用外部接続端子３１は、下から順に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜３１ａ、ＩＴＯ膜３１ｂ、ＩＴＯ膜３１ｃおよびＩＴＯ膜３１ｄの４層構造となっている。このうち、ＩＴＯ膜３１ｃは、トップゲート絶縁膜１０のコンタクトホール３２を介してＩＴＯ膜３１ｂに接続されている。ここで、トップゲート絶縁膜１０にコンタクトホール３２をドライエッチングにより形成すると、ＩＴＯ膜３１ｂの上面が露出されるが、その下の金属膜３１ａの上面は露出されず、金属膜３１ａの上面にドライエッチングに起因する変質層が形成されることはない。この結果、金属膜３１ａとＩＴＯ膜３１ｃとの間のコンタクトをその間のＩＴＯ膜３１ｂを介して良好とすることができる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることが可能な半導体装置とその製造方法、研磨装置、及び研磨パッドを提供すること。
【解決手段】シリコン基板３０の上にトランジスタTR₁〜TR₃を形成する工程と、シリコン基板３０とトランジスタTR₁〜TR₃の上方に層間絶縁膜４５、５５を形成する工程と、層間絶縁膜４５、５５のうち平坦化されていない部分を選択的に化学機械研磨して平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングにおけるパターンのＣＤの均一性を向上させることができ、ＣＤが均一で良好なエッチングマスクを形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】測定したフォトレジスト１０５ｂの線幅と、測定したＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅とから、フォトレジスト１０５ｂをマスクとして形成されるＳｉ₃Ｎ₄層１０２からなるマスクの線幅が、ＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフィードフォワード制御を行う。例えば、フォトレジスト１０５ｂの線幅が、ＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフォトレジスト１０５ｂの線幅のトリミング量の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】同一の反応室で複数の工程をＳＭＡＰ構造を有する基板に連続して行う場合に、下層の有機材料膜に肩やられやサイドエッチを発生させることなく安定した一括加工を実現する。
【解決手段】フルオロカーボン系の第１のガスを一括加工処理用製造装置３の反応室１１へ供給しつつ複数の高周波電力を基板載置台１３に印加して被処理基板Ｓ５に第１のドライエッチング処理を行い、その後、第２のガスを供給しつつ上記複数の高周波電力のうち少なくとも一つの高周波電力の基板載置台１３への印加を停止して被処理基板Ｓ５に生成する自己バイアス電圧を弱めて反応室１１内のフルオロカーボン系の堆積物を除去するとともに被処理基板Ｓ５に第２のドライエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の製造方法において、撮像領域では、遮光膜をプラズマダメージを光電変換素子に与えることなく異方性エッチングにより加工し、撮像領域の周辺に位置する周辺駆動配線領域では、遮光膜を配線間の短絡が生じないよう等方性エッチングにより加工することができ、しかも、撮像領域と周辺駆動配線領域とでエッチングを異方性から等方性に切り替えることによる工程増加を回避する。
【解決手段】固体撮像装置の製造方法において、撮像領域１００ａおよび周辺駆動配線領域１００ｂ上に形成した遮光膜１６を加工する際、最初のエッチングステップではバイアスパワーをコントロールして撮像領域の遮光膜の異方性エッチングにより必要な遮光膜開口を形成し、次のエッチングステップではバイアスパワーを１Ｗにすることで等方性エッチングを行い、周辺駆動配線領域の側壁部のエッチング残渣を除去する。 （もっと読む）

【課題】還元性物質による強誘電体キャパシタの劣化を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１の上方に第１絶縁膜１４を形成する工程と、第１絶縁膜１４の上に、下部電極２１ａ、強誘電体材料よりなるキャパシタ誘電体膜２２ａ、及び上部電極２３ａをこの順に積層してなるキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQを覆う酸化シリコンよりなる第２絶縁膜２８を形成する工程と、第２絶縁膜２８の上面を窒化する工程と、窒化された第２絶縁膜２８の上に、酸化シリコンよりなる第３絶縁膜３０を形成する工程と、第３絶縁膜３０の上面を窒化する工程と、第３絶縁膜３０の上面を窒化した後、該第３絶縁膜３０上に金属膜を形成する工程と、金属膜をパターニングして配線５０を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）