【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部を形成する基板処理方法において、マスク層の厚さを増大させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ膜５１、ＢＡＲＣ膜５２及びフォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト膜５３はＢＡＲＣ膜５２の一部を露出させる開口部５４を有するウエハＷを処理する基板処理方法であって、デポ性ガスであるＣＨ_３ＦガスとＳＦ_６ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって開口部５４を有するフォトレジスト膜５３の上部表面にデポを堆積して厚さを増大させるマスク層厚さ増大ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、封止膜が配線の表面および柱状電極の外周面から剥離しにくいようにし、且つ、配線間でショートが発生しにくいようにする。
【解決手段】 銅からなる配線７の表面および銅からなる柱状電極１０の外周面には針状構造の酸化銅膜１１が設けられている。これにより、酸化銅膜１１が無い場合と比較して、エポキシ系樹脂等からなる封止膜１２が配線７の表面および柱状電極１０の外周面から剥離しにくいようにすることができる。また、酸化銅膜１１を形成する前に、配線７下以外の領域における導電性を有する変質層Ｃを完全に除去することにより、変質層Ｃに起因する配線７間でのショートの発生を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程で生成される反応生成物による配線信頼性の低下を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極の側壁にスペーサを有する半導体装置の製造方法であって、電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、電極の側壁にスペーサを形成するために絶縁膜にドライエッチングを行う工程と、水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により、ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程と、反応生成物を除去した後、少なくとも絶縁膜にオーバーエッチングを行う工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体加工において有機化合物含有絶縁層に小さな穴を形成する方法を提供する。
【解決手段】有機化合物含有絶縁層１２を、この有機化合物含有絶縁層１２上に形成されたレジストハードマスク層１３とこのレジストハードマスク層１３上に形成されたレジスト層１４からなる２重層で覆い、次に、この２重層をパターニングする。そして、反応チャンバー内に、自然エッチングが実質的に避けられるように選ばれる、あらかじめ決められた割合で存在する酸素ガスと窒素ガスとからなる混合気体を流入し、有機化合物含有絶縁層１２をプラズマエッチングする。これにより、レジスト層１４を部分的に除去しつつ少なくとも一つの穴を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの配列ピッチが狭くなっても、隣接するコンタクトプラグ同士の短絡を防止し、コンタクトプラグ及びそれに接続する配線パターンを容易に形成することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極１１、ソース領域及びドレイン領域１２を有するトランジスタと、トランジスタを覆う層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４を貫通して設けられ、ソース領域及びドレイン領域１２の一方に接続されたコンタクトプラグ１５と、コンタクトプラグ１５を覆う層間絶縁膜２６と、層間絶縁膜２６にゲート電極１１の延在方向と同一方向に延在し、底部にコンタクトプラグ１５の上面を露出する溝２７と、コンタクトプラグ１５に接続され溝２７内に設けられたコンタクトプラグ２８ｃと、コンタクトプラグ２８ｃと一体化して層間絶縁膜２６上に溝２７を横切るように延在する配線パターン２８ｗとを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層に形成したキャップメタル層による層間絶縁膜上への拡散を抑制でき、かつ、接続抵抗の上昇を抑制できる埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】Ｃｕ配線部ＣＬ１及びシリサイド領域６ｓ及び非シリサイド領域６ｎよりなるキャップメタル層６上に形成される接続孔８の底面において、Ａｒスパッタ処理により、バリアメタル層１３ａ及びキャップメタル層６のシリサイド領域６ｓを選択的に除去する。この際、Ａｒのスパッタ時間を調整することにより、接続孔８の底面において、キャップメタル層６の非シリサイド領域６ｎは残留するようにする。その後、バリアメタル層の再成膜処理、Ｃｕシード層及びＣｕめっき層を形成し、最終的に接続孔８及び配線用溝９内に埋め込まれる第２のＣｕ配線部を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール側壁に付着した有機膜の抵抗値を簡単且つ的確に測定する。
【解決手段】基板２０上に形成された下部電極であるポリＳｉ膜２２ａと、このポリＳｉ膜２２ａ上にＢＰＳＧ膜２３を介して形成された中間電極であるポリＳｉ膜２４ａと、このポリＳｉ膜２４ａ上にＢＰＳＧ膜２５を介して選択的に形成されたホトレジスト膜からなるホールパターン２６ａと、このホールパターン２６ａをマスクにしてプラズマエッチングにより形成され、ポリＳｉ膜２４ａ，２２ａを貫通するコンタクトホール２７と、このコンタクトホール２７の形成時に、コンタクトホール側壁に付着する有機膜２８と、を有する半導体装置を用意する。そして、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上に有機膜・レジスト膜２６ｂが被着された状態で、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上から、プローブ針３１により複数回コンタクトを実施し、有機膜２８の抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線上面部からの金属拡散を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、半導体基板上の第一層間膜１内に形成された溝２内に、銅と第一金属元素とを含有する銅シード膜４を形成する。その後、銅メッキ処理を施す。その後、銅層の酸化が行われない第一雰囲気中にて第一熱処理を行う。そして、余分な銅合金金属層を除去し、溝２内に銅合金配線６を形成する。その後、酸素を含有する第二雰囲気中にて第二熱処理を行うことにより、銅合金配線６表面に、第一金属元素の酸化物である酸化物層７を形成する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜上に金属膜及び多結晶Ｓｉを堆積した構造の半導体を垂直にかつ微細に加工する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に並置して形成された互いに仕事関数が異なる第１および第２の金属膜１０３，１０４、該第１および第２の金属膜上に堆積して形成した多結晶シリコン膜１０５を有し、該多結晶シリコン膜上に形成したレジスト１０８を用いて、プラズマ雰囲気中で前記多結晶シリコン膜並びに前記第１および第２の金属膜をエッチング加工する半導体加工方法において、前記前記複数種の金属膜上の多結晶シリコン膜のうちエッチング終了が早い方である第２の金属膜上の多結晶シリコン膜のエッチング終了後は、前記処理ガスとして、ＨＢｒおよび酸素を含むガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、第１の主面２ａに受光部３を有し、第１の主面とは反対側の第２の主面２ｂに外部端子７を有する半導体基板２と、半導体基板の第１の主面に対向し、受光部３を保護する光透過性保護基板９と、受光部３を囲むように設けられ、半導体基板２及び光透過性保護基板９を接着する接着層１０と、を備え、接着層１０の内縁はジグザグ状である。 （もっと読む）

【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により、マスク側壁への反応生成物の堆積を防止することができる半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】下部電極２１、強誘電体、常誘電体、反強誘電体等による誘電体層２２、及び上部電極２３を含むキャパシタを複数備える半導体装置の製造方法は、上部電極層をパターニングして、複数の上部電極２３、２３’、２３”を形成する工程と、複数の上部電極２３、２３”を被覆し、かつ最端に配置された上部電極２３’の少なくとも一方側の端部を露出する第１マスクパターンを形成する工程と、第１マスクパターンを用いて、誘電体層２２をパターニングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用してドライエッチングにより形成されるパターンの精度を高くすることができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】
半導体ウェーハ１上の膜のエッチングを行うエッチング装置において、エッチングチャンバ１０１内において、被パターニング膜１７上に第１レジスト１８が形成されている第１のウェーハ１を載置する第１領域と、エッチングチャンバ１０１内におけるウェーハ上面の総面積に対するレジスト占有率を調整する第２レジスト３３が形成された第２のウェーハ３１を載置する第２領域とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と、ホトダイオードの出力を半導体基板の一方の主面側から他方の主面側に導く導電性部材との間の電気絶縁性を確保することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板１０５には、隣接するｐ型不純物拡散領域１０９間に、一方の主面側から他方の主面側に貫通する貫通孔１０５ｃが形成されている。貫通孔１０５ｃは、ｐ型不純物拡散領域１０９それぞれに対応して設けられている。貫通孔１０５ｃを画成するｎ型半導体基板１０５の壁面上には、熱酸化膜１１３が形成されている。貫通孔１０５ｃ内には、熱酸化膜１１３の内側に導電性部材としての貫通配線１１５が設けられている。貫通配線１１５の一端側の部分は、電極配線１１７の一端側の部分に電気的に接続されている。電極配線１１７は、熱酸化膜１０７上に形成されており、その他端側の部分がｐ型不純物拡散領域１０９に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通電極で接続するにあたって、貫通孔底部の角部におけるリーク電流の発生や絶縁膜のクラック等を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は貫通孔３を有する半導体基板２を備える。貫通孔３は半導体基板２の第１の面２ａに開口された第１の開口３ａの開口径が第２の面２ｂに開口された第２の開口３ｂに近い側の内径より大きくなるように、第１の面２ａの近傍を拡張させる拡張部４を備える。半導体基板２の第１の面２ａには第１の絶縁層５と第１の配線層６とが設けられている。貫通孔３には拡張部４を充填しつつ内壁面を覆う第２の絶縁層７が設けられており、さらに第１および第２の絶縁層５、７の開口を介して第１の配線層６と接続された第２の配線層８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンによる銅の腐食を生じさせずに銅を異方性エッチングすることができる銅の異方性ドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 位置ずれにより、ＮＭＯＳ及びＰＭＯＳを覆う２種類の歪膜に重なりが生じて膜厚が過剰になるか、または両者の間に隙間が生じる。
【解決手段】 ＰＭＯＳ及びＮＭＯＳを覆うように、引張歪膜を形成する。ＰＭＯＳが配置された領域の引張歪膜を除去し、ＮＭＯＳが配置された領域には引張歪膜を残す。全面に、圧縮歪膜を形成する。ＰＭＯＳが配置された領域を覆い、ＮＭＯＳが配置された領域は覆わないマスクを用いて圧縮歪膜の露出している部分を、厚さ方向の途中までエッチングする。ＰＭＯＳが配置された領域を覆い、ＮＭＯＳが配置された領域は覆わないマスクを用いて、ＮＭＯＳが配置されている領域の圧縮歪膜を除去する。２種類のマスクの一方は、パターニングされた引張歪膜の少なくとも一部の縁と重なり、他方は、該縁から面内方向に隔てられている。圧縮歪膜を除去する際に、一方のマスクにのみ覆われていた領域に、圧縮歪膜の一部を残す。 （もっと読む）

【課題】仕事関数金属膜と低抵抗膜とで構成されたゲート電極をプラズマエッチングする際に、膜質に応じたエッチングステップの切り替えの遅延を防ぐ。
【解決手段】低抵抗膜６中であって、仕事関数金属膜４との界面の近傍に、プラズマ発光モニタに感度のある、窒素を含む進捗モニタ層５を設けることで、エッチング中のプラズマ発光の変化を検知し、エッチングの進捗をモニタすることでエッチングステップ切り替えの遅延を防止することができる。 （もっと読む）