【課題】複合体の樹脂層に形成された高密着、高信頼性、高周波対応の微細配線やビアを有する複合体、複合体の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂層１と導体層２とを含む第１の複合体１００であって、前記樹脂層１の表面に最大幅が１μｍ以上、１０μｍ以下の溝３と当該溝３内部に導体層２を有し、当該導体層２と接する前記樹脂層１の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以上、０．４５μｍ以下である、及び／又は、前記樹脂層１に直径が１μｍ以上、２５μｍ以下のビア孔と当該ビア孔内部に導体層２を有し、前記ビア孔内部の樹脂層１の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以上、０．４５μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。第２絶縁層２００は、少なくとも第１絶縁層１２０上及びエアギャップ１２８上に形成されている。本図に示す例では、第２絶縁層２００は配線１６２を被覆していない。エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。ビア２６２は第３絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。 （もっと読む）

【課題】配線間容量の低い半導体装置を安定的に形成する。
【解決手段】配線１間に、仕切層５ａで仕切られた複数の空洞の溝２を形成し、その後、それらの溝２を覆うように、配線１及び仕切層５ａの上側に絶縁膜を形成する。配線１間に仕切層５ａを設けることにより、絶縁膜形成に用いる絶縁膜原料３ａの溝２内への進入が抑えられ、溝２内の絶縁膜形成が抑えられるようになる。それにより、配線１間の容量が低く、また、容量のばらつきが抑えられた半導体装置が形成可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】ロールツーロール方式により加工処理を行う表示装置の製造方法であって、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第１の液滴吐出手段により、可撓性を有する基板上に開口部を有する絶縁性樹脂膜を形成し、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第２の液滴吐出手段により、開口部にゲート電極を形成し、プラズマの噴出口が一軸方向に複数個配列したノズル体を備えた被膜形成手段により、ゲート電極および絶縁性樹脂膜上にゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ雰囲気の周囲に存在する銅による影響を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に絶縁膜１８〜２１を形成する工程と、絶縁膜１８〜２１上にレジスト膜２４を形成する工程と、レジスト膜２４の上方にマスク膜２５を形成する工程と、マスク膜２５の上方にレジストパターン２７を形成する工程と、レジストパターン２７をマスクにしてマスク膜２５をエッチングする工程と、酸素ガスとハイドロフロロカーボンガスの混合ガスを導入し、３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力の雰囲気内で、マスク膜２５から露出する領域のレジスト膜２４をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ビア構造とそれを形成するビアエッチングプロセスを提供する。
【解決手段】ビアエッチングプロセスは、丸角とテーパ型側壁プロファイルを有するスルーサブストレートビアを形成する。その方法は、半導体基板を提供するステップと、半導体基板上に、ハードマスク層とパターン化フォトレジスト層を形成するステップと、ハードマスク中に開口を形成して、半導体基板の一部を露出するステップと、パターン化されたフォトレジスト層とハードマスク層をマスキング要素として、半導体基板の少なくとも一部を通過するビアを形成するステップと、トリミングプロセスを実行して、ビアの頂角を丸くするステップと、フォトレジスト層を除去するステップと、からなる。 （もっと読む）

【課題】従来の光学素子に電界効果トランジスタを適用するとき、ＰＮ接合部の光リークを抑えるために、トランジスタの周囲に遮光領域を設定する必要が有り、回路面積が大きくなるという課題があった。また、反射光に対して遮光性が十分でないという問題があった。
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタは、ゲート電極上に、ＰＮ接合部に平面的に重なるように遮光部材を有する。この遮光部材により、ＰＮ接合部を遮光することができる。また、電界効果トランジスタ面積が増大しないため、回路の面積を小さく設定できる。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を疎水化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３に多孔質絶縁膜２を形成する工程（Ｓ１０１）と、多孔質絶縁膜２が形成された基板３をチャンバー１内に配置する工程（Ｓ１０２）と、基板３が配置されたチャンバー１内にシロキサンを投入するとともに基板３を第一の温度に昇温する工程（Ｓ１０３）と、投入されたシロキサンが付着した基板３を第一の温度よりも高い第二の温度に昇温する工程（Ｓ１０４）と、を含む。Ｓ１０３では、チャンバー１内の圧力を１ｋＰａ以下とする。また、第一の温度は、チャンバー１内の圧力がシロキサンの飽和蒸気圧となる温度以上であり、かつ、多孔質絶縁膜２とシロキサンとが重合反応を開始する温度以下である。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理での腐食を抑えた高性能で高品質の半導体装置を提供する。
【解決手段】例えば、ＬＣＯＳデバイスにおける画素電極９０を形成する際、画素電極９０の材料となる層に、間口の開口幅Ａ１に対して底部の開口幅Ａ２が狭い溝９１を形成して、個々の画素電極９０を形成した後、洗浄処理を行う。溝９１の間口を広くすることで、洗浄処理時の液の滞留が抑えられ、画素電極９０の腐食が抑えられるようになる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板の側面下端のエッジ部を保護し、且つ、装置全体を薄型化する。
【解決手段】 シリコン基板１の側面に形成された円弧状に凹んだ傾斜面１３にはアモルファスシリコンやポリイミド系樹脂等からなる側部保護膜１４が設けられている。これにより、シリコン基板１の側面下端のエッジ部１ａを保護することができる。この場合、側部保護膜１４の下端部下面はシリコン基板１の下面と面一となっているので、シリコン基板１の下面に樹脂保護膜を形成する場合と比較して、薄型化することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ表面の酸化銅の除去および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣の除去を効率良く確実に行うことができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上のＣｕ配線構造におけるＣｕ表面の酸化銅膜および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣を有機酸含有ガスを用いて除去するにあたり、基板温度が相対的に低温の第１の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給してＣｕ含有物残渣のエッチング除去を行う第１工程と、基板温度が前記第１の温度よりも高温の第２の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給して前記Ｃｕ表面の酸化銅膜を還元を主体とする反応により除去する第２工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】高速電子による有機膜の改質効果を十分に発揮することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチングによりエッチング対象膜にホールを形成するにあたり、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオンにして処理容器内にプラズマを生成する第１条件と、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオフにして処理容器内のプラズマを消滅させる第２条件とを交互に繰り返し、第１の直流電源から、第１条件の期間よりも第２条件の期間のほうが印加電圧の絶対値が大きくなるように負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置が形成されるチップ面積の縮小化が図られ、チップ単体のコストの低減が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いることにより、小型化が図られた電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、光電変換部ＰＤが形成された第１の基板８０と、電荷蓄積容量部６１及び複数のＭＯＳトランジスタが形成された第２の基板８１が張り合わされた構成とされている。また、第１の基板８０と、第２の基板８１にはそれぞれ接続電極（２６，２７，５６，５７）が形成されており、第１の基板８０と第２の基板８１は、接続電極により電気的に接続されている。これにより、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置をより小さい面積に形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの加工時において配線のダメージを受けにくく、信頼性の低下を抑制できる構造の接続部を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】接続部１は、第１導電層２と第２導電層４とが、その交差個所に設けられたコンタクトホール５を介して接続されたものである。矩形状のコンタクトホール５は第２導電層４の幅方向の略中央に配置されている。そして、コンタクトホール５のパターンを囲むように矩形状の半導体層３が設けられている。半導体層３は、コンタクトホール５の底部において第１導電層２上に形成されている。この半導体層３は、第１導電層２とのエッチング選択比が高く、第１導電層２に対するエッチング効率が充分に高いものである。 （もっと読む）

半導体構成部品（９０）を製造する方法が、回路面（５４）と、裏面（５６）と、導電性ビア（５８）とを有する半導体基板（５２）を提供するステップと、導電性ビア（５８）の端子部分（７６）を露出するために、基板（５２）の一部分を裏面（５６）から除去するステップと、端子部分（７６）を封入するポリマー層（７８）を裏面（５６）に堆積するステップと、次いで、ポリマー層（７８）および端子部分（７６）の端部を平坦化して、ポリマー層（７８）に埋め込まれた自己整合導体を形成するステップとを含む。導電性ビア（５８）に電気的に接触させて、端子接点（８６）や裏面再分配導体（８８）等の追加の裏面要素を形成することもできる。半導体構成部品（９０）は、半導体基板（５２）と、導電性ビア（５８）と、およびポリマー層（７８）に埋め込まれた裏面導体とを有する。積重ね半導体構成部品（９６）が、電気的に互いに通じる位置の整合した導電性ビア（５８）を有する複数の構成部品（９０-１、９０-２、９０-３）を有する。
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【課題】絶縁膜上とホール内に形成したカーボンナノチューブを絶縁膜に損傷を与えることなく絶縁膜上から除去すること。
【解決手段】配線１５ａ上方に絶縁膜１７、１８を形成し、絶縁膜１７、１８をパターニングして配線１５ａに達するホール１７ａを形成し、ホール１７ａ内と絶縁膜１７、１８上面にカーボンナノチューブ２２を形成し、カーボンナノチューブ２２の層の上に第２絶縁膜２３を形成し、第２絶縁膜２３をエッチングすることによりカーボンナノチューブ２２を露出するとともに、カーボンナノチューブ２２の層の凹部に第２絶縁膜２３を残し、カーボンナノチューブ２２をエッチングしてカーボンナノチューブ２２の上端の位置を揃え、さらにカーボンナノチューブ２２上の第２絶縁膜２３をエッチングし、カーボンナノチューブ２２をエッチングして絶縁膜１７上面から除去するとともにホール１７ａ内に残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】端子間の接合性に優れ高い信頼性を備えたものにするとともに、端子の狭ピッチ化も容易に対応できる半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、半導体基板１０と、半導体基板１０に形成された貫通孔７内に設けられるとともに、半導体基板１０の能動面１０Ａと反対側の裏面１０Ｂに部分的に突出する貫通電極５と、を有し、貫通電極５は、樹脂コア９と、樹脂コア９の少なくとも一部を覆う導電膜１５と、を有し、貫通孔７は、内壁面７ａの少なくとも一部が能動面１０Ａ側に向かって貫通孔７の内径を狭めるテーパー形状となっている。 （もっと読む）

【課題】金属配線と金属酸化物を有する層を形成する際、電蝕といわれる腐食の発生をおさえることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】配線は、耐酸化性金属からなる第１の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第２の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第３の層からなる３層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。また、第２の層の上面及び下面は第１及び第３の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 （もっと読む）