【課題】層間絶縁膜に形成された凹部の内面にマンガンの化合物からなるバリア層を形成し、このバリア層の上から銅を主成分とする導電路を形成するにあたって、バリア層と導電路との密着性の向上を図り、また導電路の電気的抵抗の上昇を抑えること。
【解決手段】マンガンの化合物からなるバリア層を形成した後、基板に有機酸を供給してバリア層を構成するマンガンの化合物の一部を還元してマンガンの化合物における化学量論的な組成比の不均衡を発生させて、マンガンの化合物中のマンガンの比率を高める。またバリア層の表面もしくは層中のマンガンはシード層を形成した後、加熱処理を行うことで前記シード層の表面に析出され、そして前記凹部内に上層側導電路を形成する前に洗浄処理を行うことで除去される。 （もっと読む）

【課題】基板上の凹部が形成された層間絶縁膜の露出面にバリア膜を成膜し、凹部内に下層側の金属配線と電気的に接続される銅配線を形成するにあたり、段差被覆性の良好なバリア膜を形成することができ、しかも配線抵抗の上昇を抑えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜に形成された凹部２１の底面に露出した下層側の銅配線１３の表面の酸化膜を還元あるいはエッチングして、当該銅配線１３の表面の酸素を除去した後、マンガンを含み、酸素を含まない有機金属化合物を供給することによって、凹部２１の側壁及び層間絶縁膜の表面などの酸素を含む部位に自己形成バリア膜である酸化マンガン２５を選択的に生成させる一方、銅配線１３の表面にはこの酸化マンガン２５を生成させないようにして、その後この凹部に銅を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】基板１１０上に形成したアルミニウムからなる金属薄膜１３０の上面にエッチン
グマスク１４０を形成し、そのエッチングマスクを介して上記金属薄膜をハロゲン系ガス
を含む混合ガスでドライエッチングして所定形状の金属薄膜パターン１３０を形成する金
属薄膜パターンの形成方法または電気光学装置の製造方法において、アフターコロージョ
ンの発生をより確実に防止できるようにする。
【解決手段】上記のような金属薄膜パターンの形成方法または電気光学装置の製造方法に
おいて、上記金属薄膜１３０をドライエッチングして所定形状の金属薄膜パターンを形成
する工程を経た後に、メタノールを単ガスで放電して前記ドライエッチング後に残留する
デポ物１５０を除去する工程と、酸素を単ガスで放電して酸素プラズマによるアッシング
処理で前記エッチングマスク１４０を除去する工程とを順に同一のチャンバー内で行うよ
うにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

第１導電層（１０４）とシリケートガラス層（１０６）の縁部を互いに隣接させて、半導体基板（４１）まで延在するビア（１６４）に沿って延在させる。導電体（１１４／１１６）は、ビア（１６４）を通り延在して、半導体基板（４１）と接触する。 （もっと読む）

一又は複数のナノ構造の作成方法が開示されており、当該方法は：基板の上部表面上に導電層を形成すること；導電層上に触媒のパターン層を形成すること；触媒層上に一又は複数のナノ構造を成長させること；及び一又は複数のナノ構造の間及び周囲の導電層を選択的に除去することを含んでなる。デバイスもまた開示されており、該デバイスは、基板、ここで基板は一又は複数の絶縁領域によって隔てられた一又は複数の露出金属島を含んでなる；一又は複数の露出金属島又は絶縁領域の少なくともいくつかを覆う基板上に配された導電性補助層；導電性補助層上に配された触媒層；及び触媒層上に配された一又は複数のナノ構造を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する課題とする。
【解決手段】半導体層１、ソース電極２、ドレイン電極３、透明導電膜４を有する薄膜トランジスタ基板において、ソース電極２とドレイン電極３は、ドライエッチング法によるパターニングで形成されたＳｉおよび／またはＧｅ：０．１〜１．５ 原子％、Ｎｉおよび／またはＣｏ：０．１〜３．０原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．５ 原子％を含有するＡｌ合金薄膜より成り、半導体層１と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】簡易な手順で平面視で矩形形状を有するコンタクトを形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜１０８上に下層レジスト膜１１０を形成する工程と、下層レジスト膜１１０に、平面視で円形形状を有する第１の開口部と、当該第１の開口部の四方にそれぞれ配置された第２から第５の開口部とを形成する工程と、下層レジスト膜１１０をマスクとして層間絶縁膜１０８をエッチングする工程とを含む。層間絶縁膜１０８をエッチングする工程において、下層レジスト膜１１０の第１の開口部と、第２から第５の開口部とがそれぞれ隣り合う領域に硬化層１３２を形成し、硬化層１３２をマスクとして、層間絶縁膜１０８のエッチングを行い、層間絶縁膜１０８において、下層レジスト膜１１０の第１の開口部に対応する箇所に平面視で矩形形状を有するコンタクトホール１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】トリプル・ウェル構造を有する半導体装置において、製造歩留まり及び製品信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ｐ型の基板１内に形成された深いｎ型ウェル２００内に、浅いｐ型ウェル２５２内に形成されたｎチャネル型電界効果トランジスタ２５４ｎ及び浅いｎ型ウェル２５１内に形成されたｐチャネル型電界効果トランジスタ２５４ｐから構成され、回路動作に寄与しないインバータ回路ＩＮＶ１を備えており、浅いｐ型ウェル２５２を１層目の配線２５３（Ｍ１）を用いて基板１に結線し、ｐチャネル型電界効果トランジスタ２５４ｐのゲート電極及びｎチャネル型電界効果トランジスタ２５４ｎのゲート電極を最上層の配線２５５（Ｍ８）を用いて浅いｎ型ウェル２５１に結線する。 （もっと読む）

【課題】配線の幅広配線部から突出した凸状配線部に形成されたビアについて、ストレスマイグレーション耐性を向上し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の配線１８と、第１の配線１８の上方に形成され、第１の配線１８に接続されたビア３８を一体的に有する第２の配線３４と、ビア３８に隣接して配置され、ビア３８と同層に形成された複数のダミービア４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄとを有している。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、貫通金属と半田との接合強度が大きい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板１２と、基板１２を貫通し、基板１２の表面に設けられた電極部１６に接し、基板１２の裏面側から凹部３０が設けられている貫通金属３２と、凹部３０に埋め込まれるように、基板１２裏面側の貫通金属３２の露出面に設けられた半田３４からなる導電材と、を具備する半導体装置及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】画素特性が良好で、製造が容易な構造を有する半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも絶縁膜上に形成された金属膜をエッチングして金属配線を得る工程と、前記金属配線をマスクとして前記絶縁膜の１部をエッチングする工程とを含み、前記絶縁膜の１部のエッチングが、高周波電力の供給下及び真空下での塩素ガスと塩素化合物ガスとを含む処理用ガスに由来するプラズマによるエッチングであり、前記塩素ガスと塩素化合物ガスとが、２〜５倍の塩素化合物ガスの流量に対する塩素ガスの流量の比率で用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ポッピング現象を抑制することができるアッシング方法、アッシング装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１００の上方に形成されて表層に変質層１０１ｂが形成されたレジストパターン１０１に対し、酸素含有雰囲気中において加熱ガスを照射しながら、加熱ガスよりも低い温度にシリコン基板１００を冷却してレジストパターン１０１を除去するアッシング方法による。 （もっと読む）

【課題】配線を形成したときに電極と配線との密着性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、炭化珪素半導体層１１０が準備される。そして、炭化珪素半導体層１１０の表面に、金属層が形成される。そして、金属層を熱処理することにより電極１５０が形成される。そして、電極１５０の表面の炭素を除去するためのエッチングが行なわれる。金属層を形成する工程では、金属層を熱処理する温度において炭素よりもシリコンとの反応性が高い金属層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高い漏れ抵抗を有し、かつ、金属残留物が相互接続誘電体の上面に存在しない、半導体相互接続構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性構造部（すなわち、導電性材料）が誘電体材料の上面と同一平面上にはなく、代わりに導電性材料が誘電体材料の上面より下に陥凹する、相互接続構造体が提供される。誘電体材料の上面より下に陥凹することに加えて、相互接続構造体の導電性材料は、あらゆる面（すなわち、側壁面、上面及び底面）が拡散障壁材料で囲われる。従来技術の相互接続構造体とは異なり、陥凹した導電性材料の上面上に配置された障壁材料は、開口部が陥凹した導電性材料を含むように配置される。 （もっと読む）

【課題】電磁波検出素子の製造に際し、フォトダイオードなどの半導体層の下層に配置される層間絶縁膜の材料制約を緩和する。例えば、有機系材料からなる層間絶縁膜の配置を可能にする。
【解決手段】ＴＦＴアレイが形成された基板１の上に、ＴＦＴアレイを覆うように層間絶縁膜１２を形成した後、ＰＩＮ型のフォトダイオード層６の形成前に、フォトダイオード層６よりエッチング速度の遅いＩＺＯ膜１４を形成し、フォトダイオード層６の一部を、ＩＺＯ膜１４が露出するまでドライエッチング処理により除去してパターニングした後、露出したＩＺＯ膜１４をフォトリソグラフィー技術により除去してパターン化することにより下部電極１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化されたセル構造などの半導体装置において、容量コンタクトの接触抵抗を増大させることなく、ビットコンタクトと容量コンタクトのように２つの高さの異なるコンタクトが近接する場合に、その目合わせずれによるショートを防止する構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の層間膜３を共有し、少なくとも第１のコンタクト４と該第１のコンタクトよりも高い第２のコンタクト６が近接して配置された半導体装置において、前記第１のコンタクト４の上面が該第１のコンタクトの形成される層間膜３に対しリセス構造を成し、該リセス内に前記第１のコンタクトの上面からリセス側壁にかけてシリコン窒化膜サイドウォール９を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド層の電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体素子の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にニッケル−白金合金膜を形成した後、熱処理温度が２１０〜３１０℃の１回目の熱処理をヒータ加熱装置で行うことで、ニッケル−白金合金膜とシリコンとを反応させて（ＰｔＮｉ）_２Ｓｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。続いて未反応のニッケル−白金合金膜を除去した後、１回目の熱処理よりも熱処理温度が高い２回目の熱処理を行い、ＰｔＮｉＳｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。１回目の熱処理の昇温速度は１０℃／秒以上（例えば３０〜２５０℃／秒）とし、２回目の熱処理の昇温速度は１０℃／秒以上（例えば１０〜２５０℃／秒）とする。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が約３．０以下の誘電材料（５２）を含む相互接続構造を提供する。
【解決手段】 この低ｋ誘電材料は、上面が埋め込まれた少なくとも１つの導電材料（６０）を有する。また、誘電材料は、貴金属キャップ（６２）の形成前に疎水性とされた表面層（５２Ｂ）を有する。貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料の上面上に直接に配置されている。誘電材料上に疎水性表面層が存在するために、貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料に隣接した誘電材料の疎水性表面層上に実質的に延出せず、この疎水性の誘電表面上に貴金属キャップ堆積からの貴金属残留物は存在しない。 （もっと読む）

【課題】基板上の膜にプラズマエッチングにより平行なライン状のパターンを形成するエッチング方法において、露光解像度以上に微細化したパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上の酸化膜２１上に、窒化膜２２、酸化膜２３、窒化膜の３層からなるマスク層を形成する。幅と間隔の等しく形成した窒化膜のマスクパターンの側壁にアモルファスシリコン層を堆積し、異方性エッチングにより側壁膜を形成する。これをマスクとして酸化膜２３をエッチングする。この上にアモルファスシリコン３８を堆積し、異方性エッチングにより側壁膜を形成する。これをマスクとして窒化膜２２をエッチングし、窒化膜２２からなる微細なマスクとする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でプラズマ処理の面内均一性を高く維持できるようにプラズマの状態を最適に調整することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内に上部電極６と載置台を兼ねる下部電極１８とを配置し、前記上部電極と前記下部電極の内の少なくともいずれか一方にマッチング回路１２を介して接続された高周波電源１４より高周波電圧を印加してプラズマを立て、前記下部電極上に載置した被処理体Ｗに対して所定のプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記電極のいずれか一方の高周波ラインに介在されて、該高周波ラインが接続された電極とは対向する電極側から見たインピーダンスを変化させることが可能な可変インピーダンス手段３０と、前記可変インピーダンス手段のインピーダンスを制御するためのインピーダンス制御部３２と、を備える。 （もっと読む）