【課題】強誘電体キャパシタを備えた半導体装置の歩留まりを改善することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板２０の上方に第１層間絶縁膜３１を形成する工程と、第１層間絶縁膜３１の上に、下部電極４１ａ、強誘電体材料よりなるキャパシタ誘電体膜４２ａ、及び導電性酸化物よりなる上部電極４３ａをこの順に積層してなるキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQを覆う第２層間絶縁膜５４を形成する工程と、上部電極４３ａの上の第２層間絶縁膜５４に、該上部電極４３ａが露出するホール５４ａを形成する工程と、ホール５４ａ内に、上部電極４３ａと接続された導電性窒化物よりなる単層のグルー膜５８をスパッタ法で形成する工程と、グルー膜５８をアニールする工程と、ホール５４ａ内のグルー膜５８上に導電性プラグ５９ａを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ビアホールやトレンチの底部や側面に残渣が付着するのを防止することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに形成されたＣ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１と、エッチングストップ層４２と、銅配線４３と、メタルハードマスク４５とを有する半導体デバイス４０に施されるエッチングストップ層除去処理において、低誘電率層間絶縁膜４１と銅配線４３及び／又はメタルハードマスク４５とが、ＣＦ_４ガス及びＮ_２ガスを含む処理ガスから生じたプラズマへ同時に晒される際、当該処理ガスにおけるＣＦ_４ガス及びＮ_２ガスの流量比はＣＦ_４ガス：Ｎ_２ガス＝１：Ｘ（但し、Ｘ≧７）で示される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理によってダメージを受けた絶縁膜を回復処理する際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによって処理が行われ、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を得る
【解決手段】プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、ｔｅｒｔ（ターシャリー）−ブチル基を含む化合物、炭化水素基とアミノ基を含む化合物、乳酸化合物のうち少なくとも１種以上の回復剤を接触させる。プラズマ処理後大気に曝すことなくダメージ回復処理を行うことが好ましい。また、アルコールなどの接触促進剤と接触させることもできる。 （もっと読む）

【課題】主配線膜上に形成するヴィアホールのエッチング速度を均一にする。
【解決手段】絶縁膜３３をエッチングガスプラズマによってエッチングして絶縁膜３３にヴィアホール２２を形成し、ヴィアホール２２底面に主配線膜３４を露出させる際に、予め主配線膜３４同士を接続配線膜３８によって接続し、エッチングの際に各主配線膜３４が同電位に置かれるようにする。エッチングガスプラズマの密度は、主配線膜３４の電位に影響を受けるが、主配線膜３４は同電位にされているから、エッチング速度が均一になる。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマ処理装置を用いた基板の処理に際し、上部電極を構成する部材間の熱膨張係数差に起因する異物の発生を抑制する。
【解決手段】プラズマエッチング装置５０の真空チャンバ５１に設けられた上部電極ユニット６０は、シリコン層とグラファイト層とを貼り合わせた円盤状の電極板６１と、電極板６１を支持するアルミニウム製の電極支持部材６２とからなり、この上部電極ユニット６０の上部にはチーリングユニット８０が設けられている。チーリングユニット８０は、その底部に冷媒を循環させるための冷媒室８１が設けられており、上部電極ユニット６０が冷媒によって強制冷却される構造になっている。 （もっと読む）

【課題】表面がＴｉＮ膜であるバリアメタルが露出した部分の耐湿性を向上すると共に、パッシベーション膜を一層としても、クラックに起因する不良を無くし、また、アルミニウム合金中のＳｉノジュールの成長に起因する不良増加を抑えることのできる積層金属電極配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に所要の配線パターンで形成される金属電極配線膜として、下地のバリアメタル膜とその上に積層されるアルミニウムまたはアルミニウム合金膜２を有し、さらに、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金膜２上に被覆される有機系パッシベーション膜７を備える半導体装置において、前記バリアメタル膜が、チタン膜３、１０で挟まれた窒化チタン膜４からなる三層の積層膜を有する半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】配線に低抵抗な材料を用いることにより、画素部の大面積化に対応し得る半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
ゲート電極及び第１の配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上にゲート電極と重なって形成された半導体層と、絶縁膜上に形成され、かつ、半導体層に電気的に接続された接続電極と、を有し、接続電極は、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第１の配線に電気的に接続され、ゲート電極及び第１の配線は、第１の導電層と、第１の導電層上の第２の導電層と、第２の導電層上の第３の導電層とでなる積層構造を有し、第２の導電層は、第１の導電層及び第３の導電層より低抵抗であり、第１の導電層及び第３の導電層は、第２の導電層より高融点の導電材料からなり、第２の導電層の端部における断面形状はテーパー形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流量が少なく、ＴＤＤＢ耐性の高い配線層を得ることができ、これにより、消費電力が小さく、信頼性の高い半導体装置を製造することができる技術を提供する。
【解決手段】絶縁膜と接触した界面ラフネス緩和膜であって、Ｓｉ−Ｏ結合を有し、Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｃｌ結合との少なくともいずれか一方を有し、かつ、Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｃｌ結合とをその合計で一分子中に少なくとも二つ有するケイ素化合物を含有してなる組成物を用いてなり、絶縁膜との接触面の反対側の面で配線とも接触し、絶縁膜と界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスより、配線と界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスの方が小さい界面ラフネス緩和膜を使用する。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜にパッド開口部を形成するためのドライエッチング工程において、パッシベーション膜が絶縁破壊することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜８に、有効領域１ａに位置する開口パターン８ａ，８ｄ、及び無効領域１ｂに位置する開口パターン８ｂを形成する工程と、開口パターン８ｂを被覆部材３０で覆った状態で導電膜形成のための気相法を行うことにより、無効領域１ｂを除いた絶縁膜８上及び第１の開口パターン８ａ，８ｄ内に導電膜９を形成する工程と、絶縁膜８上の導電膜９を除去することにより、第１の開口パターン８ａ，８ｄ内に第１の導電パターン９ａ，９ｄを埋め込む工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に配置される光透過性保護部材にキズやクラック等が生じることを抑制することによって、半導体装置の受光特性や製造歩留り等を向上させる。
【解決手段】半導体装置１は、第１の主面２ａに受光部３と電極４とが設けられた半導体基板２を具備する。半導体基板２は第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを繋ぐ貫通配線層６を有する。半導体基板２上には第１の主面２ａを覆うように光透過性保護部材９が配置されている。受光部３上には所定の間隙１１が形成される。光透過性保護部材９の表面９ａには保護膜１２が形成されている。保護膜１２は受光部３に対応する領域に設けられた開口１２ａを有する。 （もっと読む）

【課題】シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、シリカ系の絶縁材料の絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜１０２をドライエッチングにより加工し、加工した絶縁膜１０２にシラン化合物を作用させることにより、ドライエッチングのダメージによって絶縁膜１０２内に導入されたＳｉ−ＯＨ結合にシラン化合物を反応させて疎水化し、絶縁膜１０２に光照射又は電子線照射を行うことにより、シラン化合物と反応していないＳｉ−ＯＨ結合を縮合させる。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜をハードマスク形状に加工する際、ボーイングやパターンの細りの起こらないアモルファスカーボンハードマスクの形成方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜１３を加工する際、途中まで加工した後（１６）、露出したアモルファスカーボン膜の側壁に酸化膜からなる保護膜１２ｂを形成する。特に、この保護膜を、アモルファスカーボン膜を加工する際の中間マスク層１２ａをスパッタリングすることで形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通配線層で接続した半導体装置において、グランド特性や放熱性を改善する。
【解決手段】半導体装置１は貫通孔３を有する半導体基板２を備える。半導体基板２の第１の主面２ａには活性層４が設けられている。貫通孔３の内壁面、活性層４で塞がれた貫通孔３の底面、および半導体基板２の第２の主面２ｂは絶縁層５で覆われている。貫通孔３の底面に存在する絶縁層５には第１の開口部６が設けられている。半導体基板２の第２の主面２ｂに存在する絶縁層５には第２の開口部７が設けられている。第１の配線層８は貫通孔３内から半導体基板２の第２の主面２ｂに亘って設けられている。第２の配線層９は第２の開口部７を介して第２の主面２ｂと接続するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】ソース領域およびドレイン領域をシリサイド化しても、リーク電流を可及的に抑えることを可能にする。
【解決手段】半導体領域７を有するシリコン基板２と、半導体領域に離間して形成されたソース／ドレイン領域１１ａ、１５ａ、１１ｂ１５ｂと、ソース領域とドレイン領域との間の半導体領域上に形成された絶縁膜９ａと、絶縁膜上に形成されたゲート電極１０ａと、ゲート電極の側部に形成された側壁絶縁膜１３ａと、第１ソース／ドレイン領域上に形成され、少なくとも｛１１１｝面となる表面を有する単結晶シリコン層１７ａ、１７ｂと、少なくとも単結晶シリコン層の｛１１１｝面上に形成され、かつ側壁絶縁膜に接する部分を有し、この部分と単結晶シリコン層との界面が単結晶シリコン層の｛１１１｝面であるＮｉＳｉ層２１ａ、２１ｂと、ＮｉＳｉ層に接する第１のＴｉＮ膜２３ａ、２３ｂと、を有する第１のＭＯＳＦＥＴと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンなどの被エッチング膜を部分的にドライエッチングする際、有機マスクのリフトオフを防止する。
【解決手段】酸化シリコンなどからなる被エッチング膜１２に界面膜１３を積層する。界面膜１３は、アモルファスシリコンや炭素含有シリコン化合物で構成されている。界面膜１３上に有機マスク２０を設け、無水または加湿したＨＦ（反応剤）とＯ_３（酸化剤）を含むエッチングガスを供給する。界面膜１３は、反応剤単独との反応性が被エッチング膜１２より低く、Ｏ_３との酸化反応を経て反応剤と間接的に反応しエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の貫通接続部において、表面側配線層の貫通孔底部での剥離および破断が防止され、接続不良等が改善された半導体装置と、そのような半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の複数の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の複数の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】 このような事情のもとで本発明の目的は、パッケージとした時に信頼性に優れる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の一方の面側に設けられた積層体とを有する半導体装置であって、前記積層体は、カゴ型構造を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される樹脂層と、前記樹脂層の半導体素子に近い側の面に接合される第１接合層と、前記樹脂層の他方の面側に接合される第２接合層と、を有し、前記樹脂層と前記第１接合層との密着力をＡとし、前記樹脂層と前記第２接合層との密着力をＢとしたとき、Ａ／Ｂ＝０．５〜３．０となる関係を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上の被処理膜に所定の微細なパターンを効率よく形成する。
【解決手段】ウェハＷ上に被処理膜Ｆ、反射防止膜Ｂ、レジスト膜Ｒを下から順に形成する（図５（ａ））。レジスト膜Ｒと反射防止膜ＢにパターンＲ１、Ｂ１をそれぞれ形成する（図５（ｂ））。パターンＲ１をマスクとして被処理膜Ｆをエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ１を形成する（図５（ｃ））。パターンＢ１の側壁部を溶解して、反射防止膜ＢにパターンＢ２を形成する（図５（ｄ））。パターンＢ２を覆うように犠牲膜Ｇを形成する（図５（ｅ））。パターンＲ１、Ｂ２をそれぞれ除去する（図５（ｆ））。犠牲膜ＧをマスクとしてパターンＦ１をエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ２を形成する（図５（ｇ））。犠牲膜Ｇを除去する（図５（ｈ））。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法であって、基板が少なくとも銅含有表面層を含む方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】
互いにパターン（平面形状）の異なる２種類以上の薄膜を積層した積層構造を形成する工程にて、１回のフォトリソグラフィ工程で夫々の薄膜形状を画定すること。
【解決手段】
基板１上に２層の薄膜３，２を順次成膜し、次に薄膜２の上面に形成された第１マスクパターン４を用いて薄膜２のエッチングを行い、第１の薄膜パターン６を形成する。その後、第１マスクパターン４を残した状態で第１マスクパターン４及び薄膜２の上に、有機材料のオフセット印刷、インクジェット印刷、又はディスペンサノズルによる追加塗布で第２マスクパターン５を形成する。最後に、薄膜３を第１マスクパターン４及び第２マスクパターン５を用いて第２の薄膜パターン７に成形し、続いて２つのマスクパターン４，５を除去する。以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 （もっと読む）