【課題】半導体基板の貫通配線部において、貫通孔底部での絶縁層の被覆性が向上され、電気的絶縁性の低下や接続不良が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】時間を費やさない簡便な手順でエッチング量を正確に確定することのできる半導体デバイスのエッチング量判定方法を提供する。
【解決手段】エッチング量判定方法は基板上にステップ状の複数の区域を有するモニター部を備えた擬似電極を形成する。次いで、試料の電極と同時にモニター部の第１区域および第２区域をエッチングし、このとき現われる基板の露出面積に基づいてエッチング量を確定する（１次判定）。次いで、電極と同時にモニター部の第２区域をエッチングし、このとき現われる基板の露出面積に基づいてエッチング量を確定する（最終判定）。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、界面活性剤を含んだ洗浄液による洗浄後の低誘電率膜のｋ値の変動を回復する。
【解決手段】 基板上にｋ値が３．０以下の低誘電率膜１を成膜したのち、低誘電率膜１に凹部を形成し、次いで、凹部及び低誘電率膜１上に導電体膜を堆積したのち、低誘電率膜１が露出するまで導電体膜を研磨し、次いで、低誘電率膜１の表面を界面活性剤３を含む洗浄剤で洗浄したのち、低誘電率膜１の表面に残存する界面活性剤３を、界面活性剤３が表面に残存した状態における低誘電率膜１の比誘電率の増大分を６０％以下に低減できる界面活性剤除去方法で除去する。 （もっと読む）

【課題】水素化シリコンオキシカーバイド材料に基づく低−ｋ誘電体材料に特に有用な酸素フリーの水素プラズマアッシングプロセスを提供する。
【解決手段】メインアッシング工程は、水素（５０）及び任意の窒素（５４）、大量の水蒸気（６０）、更に大量のアルゴン（８０）又はヘリウムのプラズマ（４８）に、予めエッチングしておいた誘電体層を露出することを含む。ポーラス低−ｋ誘電体については特に、メインアッシングプラズマは、更に、メタン等の炭化水素ガス（８４）を含有する。メインアッシングは、水素及び任意の窒素等の水素含有還元ガスのプラズマにより、短い表面処理を施しておいてもよい。 （もっと読む）

【課題】配線用の導電体相互間のクロストークを減少した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置内に空洞を形成する方法が開示される。本発明の方法は、半導体装置のＩＬＤ層内の空洞の内面上に核化防止層を付着することを含む。この核化防止層は、後に付着される誘電体層が空洞内に付着することを防止する。誘電体層が空洞内に付着することを防止することにより、キャパシタンスが減少され、これにより、改善された半導体動作特性を実現する。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく、安価に微細パターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にエッチング対象膜１０２、ハードマスク膜１０４及び第1の補助パターンを形成し、第1の補助パターンにシリレーション工程を行う。シリレーションされた第1の補助パターン１０６ａを含む上記ハードマスク膜上に絶縁膜１０８を形成し、上記シリレーションされた第1の補助パターンの間の絶縁膜１０８上に第2の補助パターンを形成する。上記絶縁膜が上記第2の補助パターンの下部にのみ残留するようにエッチング工程を行い、上記シリレーションされた第1の補助パターン及び第2の補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程で上記ハードマスク膜をエッチングしてハードマスクパターンを形成する。ハードマスクパターンを用いて上記エッチング対象膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】フローティングしている下層金属配線に通じるホール形成のためのプラズマエッチング工程において、高抵抗などのビア不良の発生を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上層配線２０１とビア３０１で接続されている下層配線１０１上にダミービア１を形成し、上層配線２０１とビア３０２で接続されている下層配線１０２上にダミービア２を形成する。これらダミービアの上面が露出しないように上層配線のダミー配線１Ａ、２Ａによりビアの上面を覆う。これらダミービアによりプラズマエッチングを行う時に下層配線に蓄積される電荷の影響を分散させる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁層の剥離を抑制し、製品の歩留まりが向上するとともに製品信頼性が向上した半導体装置を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第１配線膜１５と、反射防止膜１７および第１レジスト膜１８からなる積層体から、第１レジスト膜１８を除去する工程と、前記工程において反射防止膜１７表層に形成された変質膜２２を除去する工程と、前記工程後に第１配線膜１５に電気的に接続するビアプラグと、前記ビアプラグに電気的に接続する第２配線膜とを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】エアブリッジ配線の機械的強度を向上させた高周波半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に形成された第１の配線層１２と、この第１の配線層１２の両側において、この第１の配線層１２と交差する方向に配置される第２、第３の配線層１３−１、１３−２と、これらの第２、第３の配線層１３−１、１３−２間を、前記第１の配線層１２上の空気層を介して相互に接続するエアブリッジ配線層１４とを備え、このエアブリッジ配線層１４の全体形状は上に凸のアーチ型をなしており、且つ、エアブリッジ配線１４の横断面形状は下に凸状に湾曲している半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、樹脂層を平坦化して多層配線を形成することを目的とする。
【解決手段】 集積回路１２及び集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０に形成された絶縁膜１６にスペーサ１８を形成する。電極１４に電気的に接続するように、絶縁膜１６上からスペーサ１８上に配線を形成する。絶縁膜１６及びスペーサ１８の段差に対応して上面が凹凸になるように、配線を覆う第１の樹脂層２２を形成する。第１の樹脂層２２の凹凸を埋めて、上面が平坦な第２の樹脂層２４を形成する。エッチングを、第２の樹脂層２４の上面に対して開始し、第２の樹脂層２４から第１の樹脂層２２の凸部が露出し、配線のスペーサ１８上の部分が第１の樹脂層２２から露出するまで行う。 （もっと読む）

【課題】金属からなる層間配線を容易に形成できる三次元半導体デバイスの製造方法、基板生産物の製造方法、基板生産物、及び三次元半導体デバイスを提供する。
【解決手段】この製造方法は、シリコン基板８０の表面８０ａに有底の穴８２を形成する穴形成工程と、犠牲材料８５により穴８２を埋め込む埋込工程と、集積回路層９０をシリコン基板８０の表面８０ａに形成する集積回路形成工程と、シリコン基板８０の裏面８０ｂよりシリコン基板８０を薄化することにより、穴８２を貫通させると共にシリコン基板８０の裏面８０ｂから犠牲材料８５の一部を露出させる薄化工程と、犠牲材料８５を除去して金属材料を埋め込むことにより層間配線を形成する配線形成工程と、シリコン基板８０を他の基板上に積み重ね、集積回路層９０の回路と他の基板上の回路とを層間配線を介して電気的に接続する積層工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜にコンタクト部に到達する高アスペクト比のホールを形成する際に、ホール内のコンタクト材料とコンタクト部との間で十分なコンタクトがとれるようなホールを形成すること。
【解決手段】基板上にＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第１の酸化膜と、その上に形成された、ＢおよびＰを含まないシリコン酸化物からなる第２の酸化膜とを有し、さらに第１の酸化膜および第２の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備し（ステップ１）、第２の酸化膜と前記第１の酸化膜をエッチングしてコンタクト部に到達するホールを形成し（ステップ２）、ＨＦを含むガスによるドライプロセスにより第１の酸化膜をエッチングし、第１の酸化膜のコンタクト部上方領域のホール部分を広げる（ステップ３）。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤトランジスタ（ＮＷＴ）の製造において、凹状ストリンガを除去する方法を提供する。
【解決手段】
本方法は、軸の外部表面が基板表面に接している円筒状のナノ構造体を準備する。ナノ構造体は、絶縁性半導体コアを含んでいる。導電性薄膜が、ナノ構造体上に堆積され、ゲートストラップ、またはゲートとゲートストラップとの組み合わせとして機能する。ハードマスク絶縁体が、導電性薄膜上に堆積され、ハードマスクの選択領域が異方性プラズマエッチングされる。結果として、ナノ構造体の円筒状部分を実質的に囲む導電性薄膜ゲート電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】 スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）デバイスで使用するための半導体デバイス構造およびこのような半導体デバイス構造を形成するための方法を提供することにある。
【解決手段】 この半導体デバイス構造は、第１の半導体領域と第２の半導体領域との間に配置された誘電体領域と、第１の半導体領域と第２の半導体領域との間に伸びるゲート導体構造とを含む。ゲート導体構造は、第１の半導体領域の上に重なる第１の側壁を有する。このデバイス構造は、第１の半導体領域の全域に伸びる電気的接続ブリッジをさらに含む。電気的接続ブリッジは、第１の半導体領域内の不純物ドープ領域をゲート導体構造の第１の側壁に電気的に接続する一部分を有する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた配線構造を備える電子デバイスの製造方法について、炭素元素円筒型構造体からなるビアを歩留まり良く形成すること。
【解決手段】基板１上の第１絶縁膜２上に導電パターン５を形成する工程と、第１絶縁膜２と導電パターン５を覆う第２絶縁膜７を形成する工程と、第２絶縁膜７のうち導電パターン５の上にホール７ａを形成する工程と、少なくともホール７ａ内の底面と第２絶縁膜７の上面に金属膜９を形成する工程と、金属膜９の表面に触媒粒子又は触媒膜からなる触媒面１０を形成する工程と、触媒面１０から炭素元素円筒型構造体１１の束を成長する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１０の間隙に埋込膜１２を形成する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１１及び埋込膜１２及び金属膜９を研磨して第２絶縁膜７の上面から除去するとともに、埋込膜１２及び炭素元素円筒型構造体の束１１をホール７ａ内に残してビア１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

歪みが強化された半導体デバイス３０とその製造方法が提供される。１つの方法において、デバイスチャネル７０、７２に歪みを誘発するために、デバイスのソース領域１０３、１０７とドレイン領域１０５、１０９とに歪み誘発半導体材料１０２、１０６が埋め込まれる。誘発された歪みを緩和しないように、ソースおよびドレイン領域に対して薄い金属シリサイドコンタクト１１２が形成される。導電性材料１１４、１１６の層が薄い金属シリサイドコンタクトに接触して選択的に蒸着され、金属化されたコンタクト１２２が導電性材料に対して形成される。
（もっと読む）

【課題】金属層の損傷を抑制した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕ配線２上に酸化膜３を堆積する工程と、前記酸化膜３をドライエッチングして、前記Ｃｕ配線２に通達するビアホールＨを形成する工程と、前記ビアホールＨ内にＤＩＷを供給する工程と、前記ＤＩＷを供給した後に、前記ビアホールＨ内に燐酸アンモニウムを供給する工程と、前記燐酸アンモニウムを供給した後に、前記ビアホールＨ内に導電材料５を埋め込む工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属抵抗素子の形成位置を画定するための写真製版技術における露光時にレジスト膜中に定在波が発生するのを防止して金属抵抗素子の寸法バラツキを低減する。
【解決手段】金属抵抗素子２７の下地絶縁膜２３は、金属抵抗素子２７の長手方向において、金属抵抗素子２７の接続孔２５，２５間における上面の４０％以上の部分を占める上側に凸の１つの曲面を備えている。金属抵抗素子２７はその長手方向において下地絶縁膜２３の曲面に起因して、コンタクト、コンタクト間における上面及び下面の４０％以上の部分を占める上側に凸の１つの曲面を備えている。金属抵抗素子２７の形成位置を画定するための写真製版技術における露光時に、金属抵抗素子２７を形成するための金属膜の上面及び下面で露光光の反射光は上記曲面により散乱されるので、反射光と入射光によるレジスト膜中での定在波の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】処理工程で変化した多孔質誘電体層の初期特性を回復させ保持する方法を提供する。
【解決手段】処理された多孔質誘電層であって少なくとも部分的に露出した多孔質誘電層１０を上部に有する基板を提供する工程と、処理された多孔質誘電層１０の少なくとも露出した部分に薄い水性膜を形成する工程と、表面に水性膜を有する露出した多孔質誘電体膜１０を、少なくとも１のシリル化剤と濃縮ＣＯ_２を含む混合物を含む雰囲気に接触させる工程とを含み、これにより多孔質誘電体１０の初期特性を回復させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極のトリミングを良好に実施できるように、また、レジストトリミングを行ってもレジスト倒れやレジスト変形が発生しないように、更に、従来のトリミングがプラズマエッチングで実施されていることに起因する問題を解消し、更にまた、ゲート電極のトリミングに関連してサイドウォールの形成時にＳＴＩ部が過剰に損傷されないようにしようとする。
【解決手段】金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 （もっと読む）