【課題】良好な形状制御性を確保しつつ、銅配線層の酸化および銅の拡散を抑制できる配線を提供する。
【解決手段】金属拡散防止膜51上に形成したシード層52を、レジストを用いて選択的に除去する。レジストを除去した後、シード層52を覆って無電解めっき法により銅配線層53と、銅配線層53上に位置するメタルマスク層54とを形成する。メタルマスク層54を用いて金属拡散防止膜51を選択的に除去する。良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１上に強誘電体キャパシタ３７を形成する際、下部電極膜２５の上に、アモルファス又は微結晶の酸化導電膜２６を形成する。酸化導電膜２６を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜２７の初期層２７Ａの形成時に酸化導電膜２６を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第２の導電膜２６Ａを形成する。強誘電体膜２７は、ＭＯＣＶＤ法により形成し、その初期層２７Ａは第２の導電膜２６Ａの結晶配向に倣って成長する。これにより、強誘電体膜２７の表面モフォロジが良好になる。 （もっと読む）

【課題】ポリマー残渣の発生と、エッチングプロセスの変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｏｗ−ｋ膜ＩＩ２の上面に、パターニングされたハードマスク層ＨＭが形成される。ハードマスク層ＨＭをマスクとしてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２にエッチングが施されてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２に配線用溝ＴＲが形成される。配線用溝ＴＲ形成のためのエッチングを行なったチャンバーと同じチャンバー内でハードマスク層ＨＭが除去されてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２の上面が露出される。 （もっと読む）

【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を増加させることができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板３００上のデュアルマスク層をパターニングして第１領域Ａには第１マスクパターン３２０Ａを形成し、第２領域Ｂには第１マスクパターン３２０Ａより幅広である第２マスクパターン３２０Ｂを形成する。第１マスクパターン３２０Ａの両側壁を覆う第１スペーサ３５０Ａと第２マスクパターン３２０Ｂの両側壁を覆う第２スペーサ３５０Ｂとを同時に形成する。第１マスクパターン３２０Ａを除去した後、第１領域Ａでは、第１スペーサ３５０Ａをエッチングマスクとして利用し、第２領域Ｂでは第２マスクパターン３２０Ｂ及び第２スペーサ３５０Ｂをエッチングマスクとして利用して第１領域Ａ及び第２領域Ｂで同時に基板３００をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】側壁転写プロセスにおいて側壁パターンの曲がりを抑制する。
【解決手段】側壁パターンをマスクとする下地絶縁膜の加工を、フルオロカーボン系のガスを用いたドライエッチングにより行い、その際に、側壁をなすシリコン膜の膜厚をｘｎｍとすると、Ｖｄｃ＜４６ｘ−８９０の関係式を満たす自己バイアス電圧Ｖｄｃを基板に印加する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で画素電極とコンタクトホールとを形成するＴＦＴアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の上に導電膜を成膜する工程と、導電膜をパターニングして開口が設けられた画素電極を形成する工程と、開口が設けられた画素電極をエッチングマスクとしてエッチング法により絶縁膜に開口と連通するコンタクトホールを形成する工程と、を有することを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】有機金属材料で構成された導電性の有機金属膜を、容易にパターニングすることができ、所望の形状の有機金属膜を効率よく安価に形成可能な有機金属膜のパターニング方法、有機金属膜を介して基材と被着体とを部分的に効率よく接合可能な接合方法、この接合方法により接合された接合体、および、前記有機金属膜をマスクとして、基材の所望の領域を選択的にエッチングするエッチング方法を提供すること。
【解決手段】第１の基材２１上に有機金属膜３を形成する工程と、有機金属膜３の一部に設定した加圧領域３１０を圧子４により膜厚方向に加圧する工程と、有機金属膜３にエッチング処理を施す工程とを有する。加圧領域３１０の有機金属膜３には、加圧に伴い、加圧されない非加圧領域３１１との間に疎密差が生じる。この疎密差は有機金属膜３におけるエッチング速度に反映されるため、これにより有機金属膜３をパターニングすることができる。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜のパーティクルレベルを低減させて、また当該硼窒化ジルコニウム膜の耐酸化性や抵抗選択性を向上させることで半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒素ガスにマイクロ波を照射することで生成した窒素ラジカルと成膜流量のＺｒ（ＢＨ_４）_４とを成膜室３１Ｓへ供給して成膜温度下にある基板Ｓの表面に硼窒化ジルコニウム膜を成膜するに際し、成膜装置は、成膜流量のＺｒ（ＢＨ_４）_４が熱分解により形成する膜の成膜速度に関して成膜温度の増加に対するその成膜速度の増加率を基準増加率とすると、硼窒化ジルコニウム膜の成膜速度に関しては成膜温度の増加に対するその成膜速度の増加率を前記基準増加率にする。 （もっと読む）

【課題】微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被加工材上に、第１の芯材、および前記第１の芯材下に位置し、前記第１の芯材よりも幅の大きい第２の芯材を形成する工程と、前記第１および第２の芯材の側面を覆うように被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜を前記第１および第２の芯材の側面に位置する部分を残して除去し、側壁マスクに加工する工程と、前記側壁マスクをマスクとして前記第１および第２の芯材にエッチングを施し、前記第１の芯材、および前記第２の芯材の前記側壁マスクに上面を覆われていない部分を除去して、前記側壁マスク、および前記側壁マスクの直下に残った前記第２の芯材を含むエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクをマスクとして前記被加工材にエッチングを施し、前記被加工材をパターン加工する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電位を印加した溶液中の化学物質の測定の際、リーク電流が半導体基板に流れない膜厚のシリコン酸化膜にてゲート絶縁膜が形成され、容易にシランカップリングによるアミノ酸基の導入が行え、かつ溶液と配線間に流れるリーク電流を抑える溶液測定用半導体センサチップを提供する。
【解決手段】本発明の溶液測定用半導体センサチップは、ゲート絶縁膜が露出されたMOSトランジスタからなり、電位の印加された溶液中に浸して化学物質の検出を、MOSトランジスタに流れる電流変化を検出することで行うものであり、半導体基板上に形成されたMOSトランジスタのゲート絶縁膜上に固定された有機単分子層と、MOSトランジスタのソース及びドレインに接続された配線と、有機単分子層部分が露出する開口部を有するパッシベーション膜とを有し、ゲート絶縁膜の最表層がシリコン酸化膜で形成され、このゲート絶縁膜が30nm以上の厚さにて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 下部電極となるＴｉＮ膜の表面のラフネスを低減させるために、化学機械研磨、Ａｒによるスパッタリング、Ｔａ膜の堆積等の工程が必要になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に薄膜キャパシタが配置されている。この薄膜キャパシタは、少なくとも表層部が非晶質または微結晶の金属で形成された下部電極(21a,22a)、該下部電極の上に配置された誘電体膜(23a)、及び該誘電体膜の上に配置された上部電極(24a)を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の形成方法、及びメモリシステムの製造方法を提供する。
【解決手段】基板４００上にパターン形成対象層４３０を形成し、パターン形成対象層４３０上に、マスク層４３２を形成する。半導体素子の第１領域でマスク層４３２の一部を除去し、マスク層４３２を半導体素子の第２領域に残留させる。第１領域ではパターン形成対象層４３０上に、第２領域ではマスク層４３２上にモールドマスクパターン４５０を形成する。第１領域及び第２領域で、モールドマスクパターン４５０上にスペーサ層４６０を形成する。モールドマスクパターン４５０のパターン構造物の側壁に複数のスペーサが残留するようにスペーサ層４６０をエッチングし、第２領域でマスク層４３２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】チップ裏面に貫通電極および裏面配線を形成すると、貫通電極の一部である裏面配線パッドおよび裏面配線によって、チップ裏面に凸部が形成される。これが原因で、チップ吸着時に空気のリークが起こりチップ吸着力の低下が起きる。
【解決手段】裏面配線パッド４ｄおよび裏面配線４ｅを形成する領域に、あらかじめ凹部１００を形成する。この凹部１００内部に裏面配線パッド４ｄおよび裏面配線４ｅを設ける。これにより、裏面配線パッド４ｄおよび裏面配線４ｅ厚さのため生じる凸部によって、チップ１Ｃ裏面の平坦性が確保され、チップ１Ｃを取り扱う際の吸着力の低下が起きない。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィの露光解像限界を超えた寸法を有するパターンの形成において、工程数の削減が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された被加工膜上に第１のマスク材膜を形成し、前記第１のマスク材膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを覆うように前記第１のマスク材膜上に所定の膜厚の第２のマスク材膜を形成し、前記第２のマスク材膜をエッチバックして前記レジストパターン及び前記第１のマスク材膜を露出させ、エッチバックされた前記第２のマスク材膜を残したまま、露出した前記レジストパターン及び前記第１のマスク材膜を同時に加工し、前記第１のマスク材膜下に露出する前記被加工膜部を加工する。 （もっと読む）

【課題】 ビア開口の下部分を多層ライナで内側を覆うことにより強化したエレクトロマイグレーション耐性を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多層ライナは、誘電体材料のパターン付けされた表面から外側に、拡散障壁、マルチ材料層、及び金属含有ハード・マスクを含む。マルチ材料層は、下層の誘電体キャッピング層からの残留物からなる第１材料層と、下層の金属キャッピング層からの残留物からなる第２材料層とを含む。本発明はまた、誘電体材料内に形成されたビア開口の下部分内に多層ライナを含む相互接続構造体を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ビアホールの形成に関連する歩留まりの低下を抑制し、また、スループットを向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上にＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３を形成し、その後、ゲート電極４ｇ、ソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを形成する。次に、ソース電極４ｓ、ＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３に、少なくとも絶縁性基板１の表面まで到達する開口部６を形成する。次いで、開口部６内にＮｉ層８を形成する。その後、Ｎｉ層８をエッチングストッパとするドライエッチングを高速で行うことにより、絶縁性基板１に、その裏面側からＮｉ層８まで到達するビアホール１ｓを、冷却等によりその側壁に化合物膜１９を堆積させながら形成する。そして、ビアホール１ｓ内から絶縁性基板１の裏面にわたってビア配線１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜パターンが倒れないように半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上にＳｉＯ_２膜の膜パターンを形成する工程と、ＳｉＯ_２膜の膜パターンを両側面から挟むように複数のＳｉ膜の膜パターンを形成する工程と、ＳｉＯ_２膜の膜パターンの上面と、複数のＳｉ膜の膜パターンの上面と露出した側面とを被覆するようにレジスト膜を形成する工程と、ＳｉＯ_２膜の膜パターンの上面が露出するまでレジスト膜の一部を除去する工程と、レジスト膜が除去された後に、露出したＳｉＯ_２膜の膜パターンをウェット処理により除去する工程と、ＳｉＯ_２膜の膜パターンが除去された後に、レジスト膜の残部をドライ処理により除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が約１の層間絶縁層を備える半導体装置において、配線を良好な形状で形成すること、及びエアギャップ形成後においても配線の変質を抑制することの少なくともいずれか一方を実現できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 比誘電率が約１の層間絶縁層を備える半導体装置の製造方法であって、配線６間を絶縁する層間絶縁膜２にエアギャップ７を形成する前に、層間絶縁膜２を疎水改質処理する工程、及び配線６間を絶縁する層間絶縁膜２にエアギャップ７を形成した後に、配線６を疎水改質処理する工程の少なくともいずれか一方を具備する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法を提供する。また、層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等の絶縁膜、配線、電極、端子等の導電膜、半導体膜等の半導体素子の各部位の膜を形成する方法を提供する。また、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ガリウムと亜鉛を含む液滴を吐出して、基板上に膜パターンを形成する。または、印刷法により、基板上にガリウムと亜鉛を含む材料を用いて膜パターンを形成する。 （もっと読む）