【課題】ドライエッチングが困難な遷移金属の膜を、サイドエッチングが極力生じないようにパターニングする。
【解決手段】絶縁膜の上にバリア層・密着層を形成し（Ｓ１）、その上に遷移金属からなるシード層を形成する（Ｓ２）。シード層の上にＳｉＯ_２膜及びフォトレジスト膜を順次形成し（Ｓ３、Ｓ４）、フォトレジスト膜、ＳｉＯ_２膜をパターニングして開口を形成し（Ｓ５，Ｓ６）、開口内にＣｕ膜及びマスクＡｌ膜を積層する（Ｓ７、Ｓ８）。次に、ＳｉＯ_２膜をエッチング（Ｓ９）、露出したシード層をその膜厚方向に異方的に改質し（Ｓ１０）、改質されたシード層、露出したバリア・密着層、及びマスクＡｌ膜を順次エッチングにより除去することにより（Ｓ１０〜Ｓ１３）、パターン化金属膜を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート電極の幅を十分に確保して、ゲート電極の抵抗値を小さくすることが可能で、かつゲート電極間の容量を小さくすることの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板に設けられ、Ｙ方向に延在する第１の溝１５と、半導体基板に設けられ、第１の溝１５と交差するＸの方向に延在する第２の溝２５と、第１及び第２の溝１５，２５に囲まれ、第２の溝２５に露出された対向する第１及び第２の側面２６ａ，２６ｂを有するピラー２６と、ゲート絶縁膜２８を介して、ピラー２６の第２の側面２６ｂに接触するように、第２の溝２５の下部に設けられた１つのゲート電極２９と、ゲート電極２９の側面とピラーの第１の側面２６ａとの間に配置された空隙と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン疎密差の影響を受けないハードマスク形成法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に、第１から第３の膜１１１，１１２，１１３およびレジスト層１１４を形成した後、疎部Ｒ１と密部Ｒ２が存在するパターンを前記レジスト層に形成して前記第３の膜をエッチングする。次に、前記第３の膜及び前記レジスト層をマスクとして、密部Ｒ２内では前記第２の膜が残存するが、疎部Ｒ１内では前記第１の膜が露出するまで、前記第２の膜を除去する。その後Ｃ_XＦ_YＨ_Zガスを使用して、第５の膜１１５を、疎部Ｒ１内に露出した前記第１の膜上に第１の膜厚Ｔ１で形成し、密部Ｒ２内に残存する前記第２の膜上には膜厚Ｔ１よりも薄い第２の膜厚Ｔ２で形成する。膜厚Ｔ１の前記第５の膜で疎部Ｒ１内に露出した前記第１の膜を保護しながら密部Ｒ２内に残存する前記第２の膜を除去し、最後に、前記第３から第５の膜を除去して前記第２の膜をハードマスクとする。 （もっと読む）

【課題】 接続孔のホールサイズについて制御性良い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に上層絶縁膜が形成され、前記上層絶縁膜上にSiを含む非晶質膜が形成される。前記非晶質膜上に第１のレジスト膜が形成され、前記第１のレジスト膜に第１のレジストパターンが形成される。前記第１のレジスト膜をマスクとして、前記非晶質膜が加工され、前記上層絶縁膜が露出される。前記第１のレジストパターンが除去され、前記非晶質膜および露出した前記上層絶縁膜上に遷移金属膜が形成される。前記非晶質膜および前記遷移金属膜の熱反応により、前記非晶質膜よりも体積が大きいシリサイド膜が形成される。前記遷移金属膜が除去され、前記シリサイド膜をマスクとして、前記上層絶縁膜を加工し、前記上層絶縁膜に第１の溝が形成される。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】占有面積の増大を抑制した不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、第１領域、第２領域、及び複数のワード線を備える。第１領域は、電気的に書き換え可能な複数のメモリトランジスタを有する。第２領域は、第１領域の周辺に位置する。複数のワード線は、複数のメモリトランジスタのゲートに各々接続されている。複数のワード線は、各々、配線部、及び接続部を備える。配線部は、第１領域から第２領域に向かうように第１方向に延び且つ第１方向に直交する第２方向に所定距離をもって配列されている。接続部は、配線部から延びて第２領域に設けられ且つ積層方向に延びるコンタクトと電気的に接続されている。複数の接続部の端部は、第２方向に延びる直線に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線の引き出し性が向上されているとともに、配線間の短絡などの電気的問題が生じるおそれが抑制されており、かつ、配線が形成される領域の省スペース化が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１が備える基板４上の所定の層内に、第１の配線３が複数本並べられて設けられている。各第１の配線３は、それらの並べられた方向に沿って一方の側から他方の側へ向かうに連れて長く延ばされて形成されているか、あるいは短く縮められて形成されている。それとともに、各第１の配線３は、隣接するそれぞれの一端部３ａが並べられた方向と直交する方向において互いにずれた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】的確かつ効果的にパターンを形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地領域上に、第１のピッチで配置された複数のダミーラインパターン２１ｃを形成する工程と、ダミーラインパターン２１ｃの両長側面に形成された所定マスク部分を有し、ダミーラインパターンを囲む閉ループ形状のマスクパターン２５ｃを形成する工程と、ダミーラインパターン２１ｃを除去する工程と、マスクパターン２５ｃの両端部分を除去して所定マスク部分を残す工程と、所定マスク部分をマスクとして用いて下地領域をエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明によるパターン転写方法は、基板上にパターン物質を形成する第１段階と、パターン物質を固相状態に硬化させる第２段階と、硬化された固相状態のパターン物質にレーザー光を照射して、パターン物質をパターニングする第３段階と、パターニングされた固相状態のパターン物質と柔軟基板をお互いに突き合わせて加圧して、パターン物質から柔軟基板方向に、または柔軟基板からパターン物質方向にレーザー光を照射して、パターン物質と柔軟基板を突き合わせた部位で発生する柔軟基板の粘性力によって、パターン物質を柔軟基板に転写する第４段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】縦型トランジスタの特性を悪化させることなく縦型トランジスタの設置面積を削減できる高集積化に適した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一定の間隔を空けて配置された複数のピラー３０が備えられ、複数のピラー３０が、縦型トランジスタＴのチャネルとして機能する半導体層からなるチャネルピラー１と、不純物拡散層からなり、前記チャネルピラー１の下部に接続されて縦型トランジスタＴの一方のソースドレインとして機能する下部拡散層４に電気的に接続された引き上げコンタクトプラグ２とを含む半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の埋め込み配線を備える基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 始めに半導体用基板１００の第１面Ｓ１上に導電層１２０を形成する。次に、導電層１２０をパターニングして第１方向に延長する線形の導電層パターン１２２を形成する。導電層１２０をパターニングするとき露出する半導体用基板１００をエッチングして導電層パターン１２０の下部に第１方向に延長する線形の半導体パターン１０４を形成する。次に導電層パターン１２０および半導体パターン１０４上に絶縁層１５０を形成する。半導体用基板１００の第１面Ｓ１側の絶縁層１５０が支持基板１６０と当接するように支持基板１６０上に配置する。次に半導体用基板１００のイオン注入層１０２側の絶縁層１５０が露出するように半導体用基板１００を除去する。これにより、導電層パターン１２０は、半導体パターン１０４の埋め込み配線として利用することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）有機酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）ポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも１種の高分子凝集剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】ボイドが存在しても高い信頼性を確保可能な配線構造を提案する。
【解決手段】実施形態に係わる装置は、第１の溝１０を有する絶縁層１３と、第１の溝１０内に形成され、上部に凹部１６を有する銅を含む第１の配線層１５と、第１の配線層１５の凹部１６の内面上に形成され、少なくとも１つのグラフェンシートから構成されるグラフェン層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光装置の解像限界よりも微細な非周期的な部分を含むパターンを、露光装置を用いて形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上に第１Ｌ＆Ｓパターン７１を形成し、第１Ｌ＆Ｓパターン７１を覆うように第１保護層４８、周期方向が直交する第２Ｌ＆Ｓパターン７８、及びフォトレジスト層６０を形成し、第２Ｌ＆Ｓパターン７８の一部と重なるように、フォトレジスト層６０に第１開口部６０Ａ，６０Ｂを有する第３パターンを形成し、第１開口部６０Ａ，６０Ｂを介して第１保護層４８に第２開口部４８Ａ，４８Ｂを形成し、第２開口部４８Ａ，４８Ｂを介して第１Ｌ＆Ｓパターン７１の一部を除去する。 （もっと読む）

【課題】 高集積化に有効な複数の配線パターンを含む配線パターン群を備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 同一の配線用途のＮ（Ｎ≧３）本の配線パターンを含む配線パターン群を含む。Ｎ本の配線パターンの各々は別の層の配線郡内の配線パターンと電気的に接続するための接続領域を含む。Ｎ本の配線パターンは、配線パターンＮ１と、配線パターンＮ１の長手方向と異なる一方向に配置された二つ以上の配線パターンＮｉ（ｉ≧２）を含む。二つ以上の配線パターンＮｉはｉの値が大きいほど配線パターンＮ１から離れた位置に配置され、二つ以上の配線パターンＮｉは少なくとも一つ以上のパターンＮｐ（２≦ｐ＜Ｎ）と少なくとも一つ以上の配線パターンＮｑ（ｐ＜ｑ≦Ｎ）を含む。少なくとも一つ以上の配線パターンＮｐはｐの値が大きいほど長手方向の寸法が長く、少なくとも一つ以上の配線パターンＮｑは、ｑの値が大きいほど、長手方向の寸法が短い。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィ工程の解像限界内で、具現可能なサイズのパターンを利用して超微細な幅及び間隔を持つ高密度パターンを形成できる配置構造を持つ半導体素子及びその半導体素子パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子は、コネクション領域に隣接するメモリセル領域を含む基板、メモリセル領域からコネクション領域まで第１方向に延びて配され、第１ライン幅及び第１ライン間隔を持つ複数の第１導電ライン、第１導電ラインそれぞれに連結されるように配され、第２ライン幅及び第２ライン間隔を持つ複数の第２導電ライン、コネクション領域に配され、第１導電ラインに電気的に連結された複数のパッド、を備える。半導体素子上のパターン形成方法は、微細ライン幅及び間隔を提供するために２段階のスペーサ形成工程を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】再配線間のリークを抑制しつつ、再配線のピッチを微細化するとともに、再配線上のビア開口時のマージンを上げる。
【解決手段】緩衝層４上には再配線７ｂが形成され、再配線７ｂ上には表面層８ｂが形成されている。表面層８ｂは、再配線７ｂから幅方向にはみ出すようにして再配線７ｂに沿うように配置され、再配線７ｂよりもエッチング耐性が高い。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、ヒューズの微細化を図ること。
【解決手段】シリコン基板１に素子分離絶縁膜２を形成する工程と、素子分離絶縁膜２の上に第１の絶縁膜１３を形成する工程と、第１の絶縁膜１３にスリット１３ｘを形成する工程と、スリット１３ｘを通じて素子分離絶縁膜２をウエットエッチングして凹部２ｂを形成する工程と、凹部２ｂとスリット１３ｘの各々の内面に第２の絶縁膜２４を形成することにより、第２の絶縁膜２４によりスリット１３ｘを塞ぎつつ、凹部２ｂ内にボイド２４ａを形成する工程と、ボイド２４ａの上の第２の絶縁膜２４にホール２５ｂを形成し、ホール２５ｂ内にボイド２４ａを露出させる工程と、露出したボイド２４ａとホール２５ｂのそれぞれの中に導電膜２７を形成することによりヒューズFを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】側壁部の形成の基礎となるパターンをレジストにより形成する場合であっても、側壁部の傾きを抑制できる微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、有機膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジスト膜から露出する有機膜と、パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する堆積ステップと、基板を加熱して酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる加熱ステップと、処理ステップの後に、パターニングされたレジスト膜の側壁に酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第１のエッチングステップと、パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップとを含む、微細パターンの形成方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ／Ｍｏ積層金属膜、Ｃｕ／Ｍｏ合金積層金属膜、Ｃｕ合金／Ｍｏ合金積層金属膜のような、銅又は銅合金の１層以上の銅層と、モリブデン又はモリブデン合金の１層以上のモリブデン層とを含む多重膜を、効率的で優秀に同時に一括してエッチングすることができるエッチング液組成物及びこれを用いた多重膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、総重量に対して、リン酸５０〜８０ｗｔ％；硝酸０．５〜１０ｗｔ％；酢酸５〜３０ｗｔ％；イミダゾール０．０１〜５ｗｔ％；及び残量の水を含む。添加剤イミダゾールは、銅／モリブデンガルバニック反応調節剤として機能する。 （もっと読む）