【課題】コンタクトの剥がれ、絶縁膜表面の段差、及び、コンタクトの両端に発生する気泡を防止し、信頼性が高く、拡散工程の短い高周波デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の高周波デバイス２００は、Ｓｉ基板２０１上に形成された能動素子と、前記Ｓｉ基板２０１上に積層して形成されている１０ＧＨｚ以上の周波数における誘電正接が０．０２以下で膜厚が１０μｍ以上の絶縁膜２０５と、前記絶縁膜２０５上に形成されている受動素子を主に形成する配線層２０７と、前記能動素子と前記受動素子を主に形成する配線層２０７とを前記絶縁膜２０５を介して、前記Ｓｉ基板２０１に対して垂直方向に接続する金属であるコンタクト２０６とを備え、前記コンタクト２０６は、無電解メッキによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】導電性電極の連結信頼性を高めることができる集積回路構造、スタック構造及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】第１面１０６上の少なくとも一つの導電性パッド１２０と、少なくとも一つの導電性パッド及び集積回路基板１０５を貫通する貫通ホールとを持つ集積回路基板である。少なくとも一つの導電性電極１５０は、貫通ホール内に前記導電性パッドを貫通して前記導電性パッド上に延び、その内部に該第２面１０７から露出されたボイド１６０ａを備える。 （もっと読む）

【課題】従来技術ではアスペクト比の高い微細な開孔を形成することが困難である。
【解決手段】半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成し、この第１の層間絶縁膜に第１の開孔を形成し、この第１の層間絶縁膜上に、第１の開孔を充填しないように第２の層間絶縁膜を形成し、この第２の層間絶縁膜に、第１の開孔に接続する第２の開孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】 最新のスケーリング技術の要件に適応することができ、適切に機能する実行可能なビアを一貫して生成できる、改善されたビア製造プロセスを提供すること。
【解決手段】 改善された高アスペクト比ビア及びそれを形成するための技術が提供される。１つの態様において、銅めっきされた高アスペクト比ビアを製造する方法が提供される。この方法は、以下のステップを含む。誘電体層内に高アスペクト比ビアをエッチングする。高アスペクト比ビア内及び誘電体層の１つ又は複数の表面の上に、拡散バリア領域を堆積させる。拡散バリア層の上に銅層を堆積させる。銅層の上にルテニウム層を堆積させる。高アスペクト比ビアを、ルテニウム層の上にめっきされた銅で充填する。この方法によって形成される銅めっきされた高アスペクト比ビアも提供される。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を要せずに、アスペクト比の高い所望の形状のパターンを形成することのできるパターン形成方法、このパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】誘電率及び／又は磁化率が異なる２以上の物質からなるネガパターンに電場及び／又は磁場を印加して電気力線及び／又は磁力線の疎密差を前記ネガパターンの近傍に発生させ、前記電気力線及び／又は磁力線の疎密差に沿って少なくとも１以上の流動性のある物質を移動させて所望のポジパターンを形成する方法であって、前記ネガパターンの内部に前記流動性のある物質の少なくとも一部が進入することでポジパターンを形成し、その後少なくとも１以上の流動性のある物質の少なくとも一部を固化形成する。 （もっと読む）

【課題】 膜をパターン形成する方法及びこれらの得られた構造を提供する。
【解決手段】 実施形態において、基板、例えば、ダマシン層の上にアモルファス炭素マスクを形成する。アモルファス炭素マスクの上にスペーサ層を堆積させ、スペーサ層をエッチングして、スペーサを形成するとともにアモルファス炭素マスクをさらす。アモルファス炭素マスクを選択的にスペーサまで除去して、基板層をさらす。ギャップ充填層がスペーサの周りに堆積されて、基板層を覆うがスペーサをさらす。スペーサを除去して、選択的に基板の上にギャップ充填マスクを形成する。ギャップ充填マスクのパターンは、一実施態様においては、ダマシン層に転写されて、ＩＭＤの少なくとも一部を除去するとともにエアギャップを形成する。 （もっと読む）

【課題】 キーホール・シームの形成を排除した信頼性が高い高アスペクト比のコンタクト構造体を含む半導体構造を提供する。
【解決手段】 キーホール・シームの形成は、本発明においては、誘電体材料内部に存在する高アスペクト比のコンタクト開口部内に高密度化貴金属含有ライナを設けることによって排除される。高密度化貴金属含有ライナは拡散バリアの上に配置され、これら両方の要素は、本発明のコンタクト構造体の導電性材料を、下層の半導体構造体の導電性材料から分離する。本発明の高密度化貴金属含有ライナは、第１の抵抗率を有する貴金属含有材料の堆積、及び、堆積した貴金属含有材料の抵抗率をより低い抵抗率に減少させる高密度化処理プロセス（熱又はプラズマ）を、堆積した貴金属含有材料に施すことによって形成される。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の孔または溝を穿孔する。
【解決手段】酸化シリコンからなる絶縁膜１に対して、Ｃ₅Ｆ₈、Ｏ₂およびＡｒのエッチングガスを用いプラズマエッチング処理を施し、絶縁膜１を選択的にエッチングすることにより、絶縁膜１に孔３を穿孔する際に、最初は、ポリマー層のデポジション性が弱い条件でエッチング処理を行い、続いてポリマー層のデポジション性が強い条件に切り換えてエッチング処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】配線間をCuプラグによって電気的に接続する構成において、Cuプラグとの電気的接続の信頼性が高く、リーク電流が少ない半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明における半導体装置１００は、拡散層４３およびゲート電極４２を形成した半導体基板１と、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜５と、層間絶縁膜５を貫通し、拡散層４３およびゲート電極４２上に形成されたコンタクトホール６１と、コンタクトホール６１の内面に形成されたTiバリアメタル層６２と、バリアメタル層６２上に形成されたW、Co、Ru、Ptのいずれかを含むシード層６３と、シード層６３上であってコンタクトホール６１を充填するように形成されたCuプラグ６４と、Cuプラグ６４上に形成された配線層７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ドライプロセスを用いて、アスペクト比が高い貫通部に、微細な貫通配線を形成可能な半導体装置及びその製造方法を実現する。
【解決手段】 配線１３に電流供給用のプローブを接触させて、貫通部１１ｅの方向に大電流を流すと、電流の方向に配線１３の金属元素が移動するエレクトロマイグレーションが生じる。配線１３は貫通部１１ｅの開口以外の領域がＳＯＩ基板１１の基板面１１ｄにより拘束されているために、拘束がない貫通部１１ｅの開口に金属元素が集約される。集約された金属元素は自己組織化によって細線状に配列され、金属細線１４が貫通部１１ｅの内部に電極２３に向かって成長し、配線１３と電極２３とを電気的に接続する。 （もっと読む）

サブリソグラフィック寸法又は高アスペクト比を含む小寸法を有する開口内に均一で均質に電極材料を形成する方法を提供する。この方法は、内側に形成された開口を有する絶縁層を提供し、開口上及び開口内に均質な導電又は準抵抗材料を形成するステップを含んでいる。この方法は、金属窒化物、金属アルミニウム窒化物及び金属ケイ素窒化物電極組成を形成するＣＬＤ又はＡＬＤプロセスである。この方法は、アルキル、アリル、アルケン、アルキン、アシル、アミド、アミン、イミン、イミド、アジド、ヒドラジン、シリル、アルキルシリル、シリルアミン、キレーティング、ヒドリド、サイクリック、カルボサイクリック、シクロペンタジエニル、ホスフィン、カルボニル又はハライドから選択された１以上のリガンドを含む金属前駆体を利用する。公的な前駆体は、一般式ＭＲｎを有し、Ｍは金属、Ｒは上述のリガンド、ｎは主要な金属原子に結合したリガンドの数に対応している。Ｍは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ又は他の遷移金属である。
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【課題】狭いゲート電極間であっても隣接するコンタクト間で短絡することなくコンタクトホールを形成する。
【解決手段】層間絶縁膜を形成する前に、ゲート電極間かつ拡散層間の一部領域のアスペクト比を、このゲート電極間のこの一部領域以外の領域のアスペクト比より低減させる低減工程を備える。これにより、アスペクト比が低減したこの一部領域にはボイドが発生せず、コンタクトホールを形成してもその間がボイドによって連通することを防止できるのである。ここで、上記低減工程は、上記一部領域に、マスクパターンを用いて上記ゲート電極に垂直な突出部を設ける工程とすることなどができる。 （もっと読む）

【課題】より微細なコンタクトプラグを適切に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された層間絶縁膜にコンタクトプラグを形成するための半導体装置の製造方法であって、層間絶縁膜を貫通するように溝を形成し、層間絶縁膜上および溝内に導電体膜を成膜し、層間絶縁膜上の導電体膜を除去することにより、溝の両側面に導電体膜を形成し、第１の絶縁膜を、層間絶縁膜上に成膜するとともに導電体膜が成膜された溝内に充填し、溝の一方の側面に形成されコンタクトプラグとなる領域の導電体膜上の第１の絶縁膜をレジストにより被覆し、レジストをマスクとして、第１の絶縁膜をエッチングにより選択的に除去することにより、溝の他方の側面に形成された導電体膜の上面を露出させ、上面が露出した部分の導電体膜をエッチングにより選択的に除去し、導電体膜が除去された領域に第２の絶縁膜を充填する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるナノスケールの微細構造物を用いた配線部分に金属をボイドなく埋め込み、電気的な不良を抑制して半導体装置の歩留りを向上させる。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられたヴィアホール又はトレンチに金属めっき膜を埋め込む工程において、まず、最初のめっき液の容積、補充しためっき液量、処理したウェーハ枚数、流した電流値及び排出しためっき液量の各データを収集する。次いで、取得した電流値に基づいてめっき処理の累積電荷量を算出する。また、全めっき液の容積を算出する。そして、取得した、全めっき液の容積、排出しためっき液量および累積電荷量に基づいて、めっき液に含まれる抑制剤の分解物量を算出する。分解物量が予め設定された閾値以下である場合にのみ半導体基板のめっき処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】エッチング時におけるホール径が小さく、アスペクト比が高い場合においても、テーパ角を良好にコントロール可能なコンタクトホールの形成方法、パターン形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成された膜２上に金属膜３を形成する。そして、金属膜３上にレジストマスク４を形成する。このレジストマスク４を用い、金属膜３をドライエッチングするとともに、ドライエッチングによるレジストマスク４の後退量を制御して、開口側面５ａが膜に対して第１の傾斜角度を有する金属マスク５を形成する。第１の傾斜角度を有する金属マスク５を用いて膜をドライエッチングすることで、基材１の表面に形成された導電部６を露出させるとともに、開口側面５ａが導電部６に対して第１の傾斜角度に応じた第２の傾斜角度を有する孔を形成する。そして、金属マスク５を除去するコンタクトホールの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉウエハ等の半導体基板上に形成された特に高アスペクト比の穴に、バリア層やＡｌ層等となるターゲット材料を成膜した際に、穴の側壁面及び底面をターゲット材料で完全に覆うことを可能にすることにより、スパイクの発生や導通不良の発生を防止することが可能な、半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の絶縁層２に穴３を形成する。ターゲット５と半導体基板１との距離を第１の値Ｌ２とする第１のスパッタリングによってターゲット材料５ａを穴３に成膜し、上記距離を第１の値Ｌ２よりも小さい第２の値Ｌ１とする第２のスパッタリングにより、ターゲット材料５ａを穴３に成膜する。第１のスパッタリングは異方性スパッタリングであり、第２のスパッタリングは等方性スパッタリングである。また、第１のスパッタリングはロングスロースパッタである。 （もっと読む）

【課題】配線層の上に層間絶縁膜を堆積した集積回路において熱処理を施すと、配線間の狭い間隙部と、これにつながる広い開口部との接続部分にて、層間絶縁膜の破裂が起こり得る。
【解決手段】間隙部１０と開口部１２との接続部分に位置する配線４ｂの角部を面取りして、間隙部１０の端部６２を開口部１２へ向けて末広がり形状とする。このようにパターニングした配線層の上に層間絶縁膜を堆積する。層間絶縁膜は間隙部１０の狭い溝に起因して当該位置に空洞を形成し得る。端部６２を設けることで、層間絶縁膜の堆積に関して、間隙部１０と開口部１２との接続部分での不連続性が緩和され、間隙部１０の空洞の端が層間絶縁膜によって封止されにくくなり、熱処理での空洞の気圧上昇に伴う層間絶縁膜の破裂が抑制される。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比１０以上のコンタクトホール形成に際して、デポ物の除去効率を高める半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホールのホールエッチング後、フルオロカーボン系ガスと酸素を酸素過多で含む処理ガスでバイアス無印加の条件でライトエッチングし、ホール３側壁に付着するＣ−Ｆ結合を有する反応生成物５をプラズマ処理で除去し、その後ＷＥＴ処理によりホール底に残存するデポ物４を除去してから、ホール内に導電材料を埋め込みコンタクトプラグ７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 メタルの侵入を防ぎ、コンタクトホール下部への侵入による消費電流の増大を無くした半導体装置を提供する
【解決手段】 コンタクトホール底面に低濃度不純物層をエピタキシャル成長させることでアスペクト比を小さくしコンタクトホール側壁部の窒化チタン膜のカバレッジを良くし、メタルのコンタクトホール側壁部からの高不純物ドープ活性領域への侵入を防止する。 （もっと読む）

【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）