【課題】微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。
【解決手段】密閉容器１１内に板状体３を保持した状態で密閉容器１１内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入する溶解性気体導入工程と、溶解性気体導入工程の後，密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で密閉容器１１内へ処理液２を導入する処理液導入工程とを備えることにより、微細な穴に気泡が残留しない状態で基板３の湿式処理ができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシン法を用いて銅の埋め込み配線および接続プラグを形成するとき、接続プラグ中のボイド発生を防止する。
【解決手段】 Ｌｏｗ−ｋ膜１３、１５、ＥＬＫ膜１４、ＴＥＯＳ膜１６からなる層間絶縁膜にプラグとなる接続孔１９ａを形成した後、酸素プラズマ処理を行って変質層２０を形成し、この層を薬液処理により選択的に除去すると、ＥＬＫ膜１４が多孔質であることに起因してその側壁２１にＬｏｗ−ｋ膜１３、１５などより大きい角度のテーパーが形成される。次に配線埋め込み用の溝の底面がＥＬＫ膜１４中にくるように形成して、プラグ開口の入口が広がる形状にした後、銅膜を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】高い実装信頼性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体構造部１３、１４と、半導体構造部の主面側に設けられた配線層１６、１７と、配線層における半導体構造部が設けられた面の反対側の面に設けられ、配線層と電気的に接続された電極パッド２１、２２と、電極パッド２１、２２に対して各々が互いに離間して接合された複数の金属ピラー３１と、複数の金属ピラー３１の先端部に共通に設けられた外部端子４１とを備え、個々の金属ピラー３１の径が外部端子４１の径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料のコンタクト埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、Ａｌからなるターゲット３５Ｂおよび開口部が形成された基板３４Ｂを格納可能なスパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４Ｂとターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤおよび基板バイアス電圧ＶＡに基づいて調整されている。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成する、及び低誘電率膜を良好にエッチングする。
【解決手段】CF₃CF=CFCF=CF₂及び／又はCF₂=CFCF=CF₂を必要に応じてHe、Ne、Ar、Xe、Kr、O₂、CO及びCO₂からなる群から選ばれる少なくとも１種のガスと混合してなるドライエッチングガスプラズマ(例えば、ICP放電電力200-3000W,バイアス電力50-2000W,圧力100mTorr(13.3Pa)以下)で、酸化シリコン膜及び／又は窒化シリコン膜をレジスト、シリコンに対して選択的にエッチングする方法；二重結合を二つ有する一般式（1）：CaFbHc（a=4〜7、b=1〜12、c=0〜11、b+c=2a-2を示す。）で表される化合物を少なくともひとつ含むドライエッチングガス及び該ガスプラズマで、酸化シリコン膜及び／又はシリコンを含有する低誘電率膜などのシリコン系材料をエッチングするドライエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。
【解決手段】部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。ある実施形態においては、当該方法は高アスペクト比のフィーチャーにタングステン含有材料を部分的に充填する工程とフィーチャー空洞から部分的に充填された材料を選択的に除去する工程とを有する。これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに電力を提供する電力グリッド構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態は、誘電体層の内部に形成された第１の導電性材料のスタッドと、底部及び側壁を有する第２の導電性材料のビアであって、底部及び側壁は導電性ライナで覆われ、底部はスタッドの直接上に形成され、かつ、導電性ライナを通してビアと接触した状態にある、ビアと、ビアの側壁において導電性ライナを通してビアに接続する第３の導電性材料の１つ又は複数の導電性パスとを含むことができる半導体構造体を提供する。半導体構造体を製造する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置や回路基板の配線において、バリア膜の拡散バリアとしての機能を確保しながら、バリア膜による配線抵抗の増大を抑制する
【解決手段】 インプリント法に用いるスタンパ１３のパターン面をバリア膜形成化合物１４で被覆し、スタンパ１３のパターン面を、基板１１上に塗布された樹脂膜１２に押し当てつつ、バリア膜形成化合物１４の分解・転写処理を行う。これにより、スタンパ１３のパターン面のパターンにより樹脂膜１２内に配線溝１６が形成され、配線溝１６に沿ってバリア膜１７が形成される。その後、配線溝１６内にバリア膜１７を介して配線材料を埋め込み、配線１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線構造におけるクリティカルディメンションの制御性を向上させる。
【解決手段】配線構造の製造方法が提供される。本発明の一態様によれば、絶縁層内に溝またはビアが形成される際、別のビアおよび／または溝の側壁面が金属酸化層で覆われている。金属酸化層は、側壁面の侵食を防止するおよび／または抑制することができる。その結果、方法は、ビアおよび溝のクリティカルディメンションの制御性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ₂Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにＳｉＮ層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの被覆性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置は、キャップ絶縁膜１ｄ上に形成された絶縁膜と、絶縁膜に形成された配線溝と、配線溝の底面に形成されたビア孔と、少なくともビア孔の側壁を覆うバリアメタル膜と、を有する。ビア孔は、径が異なる複数の孔から構成されており、複数の孔は、下に向けて径が小さくなるように深さ方向に接続し、複数の孔の接続部にキャップ絶縁膜に対してほぼ平行な面を有する。 （もっと読む）

【課題】平坦な表面を有する層間絶縁膜を短時間で形成することができ、また、層間絶縁膜の厚さの増大を招くことなく、金属イオンによる半導体基板の汚染に対する長期信頼性を保証することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に形成された層間絶縁膜８とを備えている。そして、層間絶縁膜８は、半導体基板２側から順に、ＨＤＰ膜１０、ゲッタリング層１２およびＮＳＧ膜１１が積層された構造を有している。ゲッタリング層１２は、金属イオン、とくに可動イオンを捕獲する性質を有している。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の電気的接続構造を提供する。
【解決手段】 ビアホールの底部の導電体上に導電性触媒担持体層を設け、予め微粒子化した触媒微粒子を当該導電性触媒担持体層上に堆積し、その後リフトオフ法により前記ビアホール底部以外の前記触媒粒子を除去して触媒微粒子層となし、当該触媒微粒子層上に炭素細長構造体を設ける電気的接続構造の製造方法において、前記触媒微粒子が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅからなる群から選ばれた金属の微粒子であること。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）

【課題】最新の０．１５μｍパワーＭＯＳＦＥＴにおいては、微細化によるセル・ピッチの縮小のためトレンチ部（ソース・コンタクト用の溝）において、アルミニウム・ボイド（アルミニウム系電極内に形成されるボイド）が多発することが、本願発明者らによって明らかにされた。この欠陥の発生は、主にアスペクト比が前世代の０．８４から一挙に２．８に上昇したことによると考えられる。
【解決手段】本願の一つの発明は、アスペクト比の大きい繰り返し溝等の凹部をアルミニウム系メタルで埋め込む際に、アルミニウム系メタル・シード膜の形成から埋め込みに至るまで、イオン化スパッタリングにより、実行するものである。 （もっと読む）

【課題】その表面をケイ化銅に転化することにより、銅相互接続構造の露出銅表面を直接不動態化するための方法を提供すること。
【解決手段】その後の誘電体フィルムの形成とともに原位置に実行されるシラン・パッシベーション・プロセスは、Ｃｕ相互接続構造の露出したＣｕ表面をケイ化銅に転化する。ケイ化銅は、Ｃｕ拡散およびエレクトロマイグレーションを抑制し、後続導体材料との接触が行われる領域内でバリア材として機能する。銅相互接続構造の銅表面全体をケイ化する場合もあれば、銅表面の一部分を露出するように上に重なる誘電体に開口部を形成した後で表面の局部部分をケイ化する場合もある。 （もっと読む）

【課題】簡易且つ低コストで、量産性に優れ、絶縁膜に形成された貫通口内部にボイドを発生させることなくタングステン（Ｗ）を埋め込める半導体装置の製造方法を提供すること
【解決手段】絶縁膜１４に設けられたホール１８（貫通口）にタングステン（Ｗ）を成膜する第１成膜を行った後、ホール１８上部に成膜されたタングステン（Ｗ）一部をエッチングし、再び、タングステン（Ｗ）が成膜されたホール１８に、タングステン（Ｗ）を成膜する第２成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】高速電子による有機膜の改質効果を十分に発揮することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチングによりエッチング対象膜にホールを形成するにあたり、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオンにして処理容器内にプラズマを生成する第１条件と、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオフにして処理容器内のプラズマを消滅させる第２条件とを交互に繰り返し、第１の直流電源から、第１条件の期間よりも第２条件の期間のほうが印加電圧の絶対値が大きくなるように負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】微細化に対応可能であり、不純物拡散領域上に形成したコンタクトプラグが近傍の導電材料とショートすることを防止する配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配線を高精細化しても断線が生じ難い、信頼性の高い配線回路を実現する。
【解決手段】配線構造１は、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃが配された基板９上に配される半導体層１０と、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃ及び半導体層１０が配された基板９上に配された第２層間絶縁膜１３と、第２層間絶縁膜１３上に配される配線１８とを備え、第２層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１５内で、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続され、第２層間絶縁膜１３は感光性樹脂材料からなり、さらに、コンタクトホール１５内には導電性微粒子１６が充填されており、導電性微粒子１６によって、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続されている。 （もっと読む）