【課題】溝部を絶縁膜で埋設する際に、溝部のアスペクト比が大きい場合であっても、内部にボイドを残存させることなく、溝部内に絶縁膜を充填する。これにより微細化した半導体装置の製造を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】隣り合う凸部の間に形成される溝部の上端部においてオーバーハング形状を有すると共に、溝部の上部にボイドを有するように溝部内に溝部用絶縁膜を形成する。凸部の高さ方向に対して斜め方向から、溝部用絶縁膜に不純物をイオン注入することにより、溝部内に形成された溝部用絶縁膜の一部に不純物をドープする。溝部用絶縁膜の不純物がドープされた部分を除去した後、溝部内に溝部用絶縁膜を充填する。 （もっと読む）

【課題】 １μｍ以上の開口径を有する高アスペクト比のＴＳＶホールＨがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内に処理対象物と、処理対象物に形成しようとする金属膜に応じて作製されたターゲット２とを対向配置し、処理対象物の全面に亘って垂直な磁場が作用するように垂直磁場を発生させ、この真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物に高周波バイアス電力を投入してターゲットからのスパッタ粒子やプラズマ中で電子で電離したイオンを引き込むようにしたものにおいて、前記バイアス電力を、２００〜６００Ｗの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】短時間で、配線母体の内部に、種々のトポロジーの貫通配線や連結配線を埋め込むことが可能な配線構造物を提供する。
【解決手段】配線母体１１と、配線母体１１の内部に設けられた複数の穴部の内部にそれぞれ配置された、配線子連続体（Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1n）からなる複数の貫通配線部とを備える。複数の配線子連続体のそれぞれをなす複数の配線子Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1nのそれぞれは、コア部と、コア部を被覆し、コア部より融点の低い導電体からなるシェル部Ｑ_i,shell，Ｑ_i+1,shellを有する。複数の配線子は、それぞれのシェル部を互いに溶融することにより金属学的に接合される。 （もっと読む）

【課題】ＳＭＡＰ法と比べて少ない積層数の膜構成で被加工部材に対し高アスペクト比の加工を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、被加工部材上にＢを含む第１の膜、及びシリコン酸化膜からなる第２の膜を形成し、凹凸形状によりパターンが形成された原版を第２の膜に押し付けてパターンを第２の膜に転写し、パターンが転写された第２の膜をマスクとして、ＣＨ_３ＦとＯ_２を含み、酸素濃度を５０〜９０原子％とするエッチングガスを用いて第１の膜をエッチングしてパターンを第１の膜に転写し、パターンが転写された第１の膜をマスクとして被加工部材を加工してパターンを有する凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】充填時の溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保することができ、しかも、作業操作性に優れた充填用基材及びそれを用いた充填方法を提供すること。
【解決手段】充填用基材５は、第１金属層２１と第２金属層２２とを含む金属層２を支持基体１の一面上に設けた構造になっている。第１金属層２１は、その融点よりも低い温度で溶融可能なナノ金属粒子の集合したものでなり、第２金属層２２は、その融点が第１金属層２１の融点よりも低い金属粒子の集合したものでなる。充填用基材５の一面側を、微細空間３０の開口する基板３の一面上に重ねる。そして、充填用基材５を加熱し、かつ、加圧Ｆ１して、金属層２の溶融物を微細空間３０内に充填する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタクト電極の形状を改善し、コンタクト抵抗を低くすることがで
きる。
【解決手段】 半導体基板１０と、半導体基板上１０に形成されたゲート絶縁膜１１と、
半導体基板１０上にワード線方向に沿って配置され、ゲート絶縁膜１１を介して形成され
た浮遊ゲート電極１２と、浮遊ゲート電極１２上に第１ゲート間絶縁膜１３を介して形成
された制御ゲート１４を有する複数のメモリセルトランジスタＭＣと、ゲート絶縁膜１１
上に形成されたボトム電極３２と、ゲート絶縁膜１１及びボトム電極３２に形成された開
口ＥＩＩを通じて半導体基板１０に接するトップ電極３３と、開口ＥＩＩの下に形成され
、半導体基板１０と逆の不純物濃度の型である接続拡散層３１とを有するビット線コンタ
クトＢＣとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された配線用パターンの底部までＣｕ埋め込みが可能な基板の配線方法を提供する。
【解決手段】真空状態に保持された処理容器１００内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス（金属ガスクラスタＣｇ）を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】経済性を備え、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、及びＣＯＦ_２からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスを含むドライエッチング剤を用いることにより、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金等を好適にエッチングできる。ドライエッチング剤は、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もＣＦ_４やＣＦ_３Ｈ等のＰＦＣ類やＨＦＣ類より格段に低く、環境への負荷が低い。さらに、第二のガスとして、含酸素ガス、含ハロゲンガス、あるいは第三のガスとして不活性ガスと混合することで、飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】マンガン含有材料を利用して、低誘電率膜への銅の拡散を防止する。
【解決手段】成膜装置１００では、制御部７０の制御に基づき、処理容器１内を真空にして、ヒーター６によりウエハＷを加熱しつつ、シャワーヘッド１１のガス吐出孔１３ａ，１３ｂからウエハＷへ向けて低誘電率材料とマンガン含有材料とを含む成膜ガスを供給する。高周波電源２３からシャワーヘッド１１に高周波電力を供給することにより、成膜ガスを解離させ、処理容器１内に成膜ガスのプラズマを生成させる。このプラズマによって、ウエハＷの表面にＭｎを含有するＳｉＣＯＨ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性の優れたシリコン膜を形成する成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基体上にジシラン及びトリシランの少なくともいずれかを用いて第１温度で第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記基体及び前記第１膜を、水素を含む雰囲気中において、前記第１温度から、前記第１温度よりも高い第２温度に向けて昇温する昇温工程と、前記昇温の後に、前記第１膜の上に、シランを用いて前記第２温度で第２膜を形成する第２膜形成工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置を高信頼性及び高歩留まりで得る。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、下層配線を形成する工程（ステップＳ１０１）と、下層配線上に絶縁膜を形成する工程（ステップＳ１０２）と、絶縁膜上にレジストを形成する工程（ステップＳ１０３）と、レジストをマスクとしてドライエッチングにより下層配線を露出する開口部を形成する工程（ステップＳ１０４）と、開口部を洗浄液を用いて洗浄する工程（ステップＳ１０５）と、洗浄した開口部をリンスする工程（ステップＳ１０６）と、含む。ステップＳ１０６では、リンス液と還元性ガスとを二流体ノズルから吐出して、開口部の底部をリンスする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を除去するエッチング中に、異常エッチングを防止する。エッチング工程において加わる水圧や風圧によりガードリングの形状が変形して剥離し、欠陥が発生することを防止する。
【解決手段】半導体装置は、メモリセル領域を囲むように設けられたガードリングと、ガードリングの外側に設けられた周辺回路領域と、ガードリング及び周辺回路領域上に設けられた支持体膜と、周辺回路領域内に設けられたコンタクトプラグとを有する。ガードリングとコンタクトプラグは、同一の導電材料から構成される。 （もっと読む）

【課題】溝や穴の開口部と深さとの比（開口部／深さ）が１／５〜１／７のような条件を要求されても、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。
【解決手段】ケミカルベーパーデポジションにより銅膜の下地膜として導電性Ｔａ−Ｚｒ系バリア膜を形成する為の材料であって、Ｔａを持つ金属有機化合物と、Ｚｒを持つ金属有機化合物とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料、および、前記Ｔａ有機化合物、前記Ｚｒ有機化合物の一方または双方を溶解する溶媒とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ時のフォトマスクの位置合わせを十分な精度で行うことが可能となる位置合わせ用の目合わせパターンを形成することを課題とする。
【解決手段】基板１上に第１絶縁層２を形成する工程と、第１絶縁層２に、１つ以上の接続孔４と、接続孔４よりも幅が広い位置合わせ用の目合わせパターンを形成するための目合わせ孔３と、を形成する工程と、第１絶縁層２の上に、接続孔４が金属で完全に埋まり、かつ、目合わせ孔３が金属で完全に埋まらないよう金属膜５を形成する工程と、金属膜５の上に、少なくとも目合わせ孔３が完全に埋まるように第１フォトレジスト膜６を形成する工程と、第１絶縁層２をストッパーとしてＣＭＰ処理を行うことで、第１フォトレジスト膜６及び金属膜５の一部を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

電子デバイス製造プロセスは、下部電極層を堆積する段階を含む。次いで、電子デバイスが下部電極層上に製造される。下部電極層をパターニングする段階は電子デバイスを製造する段階後に、上部電極をパターニングする段階とは個別のプロセスで実施される。第１誘電体層は次いで、電子デバイスおよび下部電極層上に堆積され、上部電極層がそれに続く。上部電極は次いで、下部電極とは別のプロセスでパターン化される。上部および下部電極の別々のパターニングにより、電子デバイス間の誘電体材料におけるボイドが減少することによって収率が向上する。その製造プロセスが適切な１つの電子デバイスが、磁気トンネル接合（MTJ）である。
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【課題】ゲート電極と拡散層に接続する共通コンタクトにおけるリークを防ぐ。
【解決手段】半導体装置は、拡散層が形成された基板と、基板上に形成されたゲート電極と、基板上にゲート電極よりも高い位置まで形成された第１絶縁層と、拡散層に電気的に接続され、第１絶縁層を貫通する第１コンタクトと、ゲート電極と電気的に接続された第２コンタクトと、第１絶縁層の上に形成された第２絶縁層とを備える。第１コンタクトと第２コンタクトとは第１絶縁層の上面以上の高さにおいて電気的に接続する。ゲート電極上と拡散層上は異なるコンタクトで形成されているため、ゲート電極のサイドウォールが減少することなく、リークを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み配線を形成する時に、埋め込み不良が生じにくい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
（ａ）コンタクトプラグ２５を有する第１層間絶縁膜２４上に第２層間絶縁膜２７を積層する工程と、（ｂ）前記第２層間絶縁膜２７に前記コンタクトプラグ２５の上面を露出するトレンチ２８ａを形成する工程と、（ｃ）前記トレンチ２８ａ内で、開口端側に空間部を形成し、前記コンタクトプラグ側に、レジスト２９ｃを埋め込む工程と、（ｄ）等方性エッチングにより、前記第２層間絶縁膜２７ｂのうち前記トレンチ２８ａの空間部で挟まれる前記第２層間絶縁膜２７ｂ部分の側壁を側方に後退させて、前記トレンチ２８ａの開口端側の幅よりも開口端側の幅が大きな加工トレンチ２８ｂを形成する工程と、（ｅ）前記レジスト２９ｃを除去し、前記加工トレンチ２８ｂ内に配線金属層を埋め込む工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】階段状に加工された複数の導電層と、各導電層に達し深さの異なる複数のコンタクトホールとの接続構造の信頼性を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板１０の第２のコンタクト領域５上に設けられ、第２のコンタクト領域５と第１のコンタクト領域４との間に段差を形成する下地層４５ｂと、下地層４５ｂを覆って基板１０上に設けられ、下地層４５ｂ上に積層された上段部８１が階段状に加工された下層側積層体９１と、下層側積層体９１における第１のコンタクト領域４上に積層された下段部８２の上に設けられ、階段状に加工された上層側積層体９２と、階段状に加工された部分を覆う層間絶縁層６２と、層間絶縁層６２を貫通し階段状に加工された部分の各々の導電層ＷＬに達して形成されたコンタクトホール内に設けられたコンタクト電極５１と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】直線状又は螺旋状の深い孔を有する単結晶基板を低コストで提供する。
【解決手段】単結晶基板１は、主成分がシリコンからなり、＜１００＞方向に孔３が形成されており、その孔の底に銀粒子及び／又はパラジウム粒子が存在し、孔径／粒子径の比が１以上２以下であることを特徴とする。また、単結晶基板１は、主成分がシリコンからなる単結晶基板であって、孔径１０〜２００ｎｍ、螺旋径１００〜６００ｎｍの螺旋状の孔が形成されており、その孔の底に銀、白金及びパラジウムのうちから選ばれる一種以上の金属の微粒子が存在することを特徴とする。 （もっと読む）