【課題】誘電体層に高アスペクト比のコンタクト開口部を形成するエッチング方法を提供する。
【解決手段】各コンタクト開口部の側壁上に導電性の高い薄膜を形成することでエッチプロファイルの湾曲又は屈曲を防止しながら高アスペクト比のコンタクト開口部をエッチングする。側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 （もっと読む）

【課題】微細径で且つ高アスペクト比の貫通配線を有するマイクロデバイス用基板及びその製造方法並びにマイクロデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体３１と、この基板本体３１を厚さ方向に貫通する貫通孔３２と、この貫通孔３２内に埋め込まれ且つＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線３７とを具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。 （もっと読む）

【課題】コンタクトオープン不良を防止し、かつ、コンタクトに隣接する金属配線との間のブリッジを防止することができる半導体素子のコンタクト形成方法を提供すること。
【解決手段】基板を提供するステップと、該基板上に絶縁膜（２２、２４）を形成するステップと、該絶縁膜上に、所望のコンタクトの限界寸法よりも大きな限界寸法の開口部を有するコンタクトホール用フォトレジストパターンを形成するステップと、該コンタクトホール用フォトレジストパターンを用いて絶縁膜（２２、２４）を選択的にエッチングすることにより、コンタクトホール（２８）を形成するステップと、コンタクトホール（２８）の側壁に、該側壁が覆われるように、かつ、コンタクトホール（２８）の限界寸法（Ｗ２）が所定コンタクト限界寸法に減少する厚さになるまで、スペーサ（２９Ａ）を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有する銅含有アルミニウム膜及びバリアメタル膜のドライエッチングにおいて、良好な加工形状を実現する。
【解決手段】絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。即ち、銅含有アルミニウム膜の側壁保護に効果のあるメタンガスを、銅含有アルミニウム膜のドライエッチングが終了した後に添加することで、サイドエッチングを防止するのである。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された有機膜をエッチングするにあたり、良好なエッチング形状を得ること。
【解決手段】シリコン含有膜をプラズマによりエッチングして当該膜上のパターンマスクのパターンを転写する工程と、前記パターンマスクを除去して前記シリコン含有膜の表面を露出させる工程と、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して前記有機膜の表面をエッチングし、凹部を形成する工程と、その後、前記シリコン含有膜をスパッタして前記凹部の内壁面にシリコン含有物からなる保護膜を形成する工程と、凹部を、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して更に深さ方向にエッチングする工程と、を行うことで、凹部の側壁を酸素の活性種から保護しながらエッチングを行うことができるため良好なパターン形状が得られる。 （もっと読む）

【課題】湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム（ＡＰＦ）を用いてウェハをエッチングする方法である。
【解決手段】ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、１６２ＭＨｚ電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。処理ガスは水素ガス（Ｈ_２）、窒素ガス（Ｎ_２）、及び一酸化炭素ガス（ＣＯ）を含む。Ｈ_２：Ｎ_２の比は約１：１である。加えて、ウェハ温度を調節してエッチング特性を改善する。 （もっと読む）

【課題】材料や形成されたパターンが異なる複数の層が積層された構造の半導体装置において、ＣＭＰ法による研磨処理やＳＯＧ膜成膜による平坦化処理を行わなくても平坦化でき、さらに基板材料を選ばず、簡便に平坦化を行う方法を提供することを課題とする
【解決手段】異なる層が複数積層されて形成された半導体装置において、絶縁膜に開口部を形成し、その開口部内に配線（電極）または半導体層を形成することにより、絶縁膜および配線（電極）または半導体層上に形成される絶縁膜に対してＣＭＰ法による研磨処理またはＳＯＧ膜の成膜による平坦化を行わなくても表面の平坦化を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 解像限界以下の幅を持つ微細パターンを、少ない製造工程で形成できる微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 基板１０１上に、薄膜１０２を形成し、薄膜１０２上に、レジスト膜１０３を形成し、レジスト膜１０３を、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定の間隔を持つパターン１０３´に加工し、有機シリコンを含むソースガスと活性化された酸素種とを交互に供給し、加工されたレジスト膜１０３´、及び薄膜１０２上に、薄膜１０２及びレジスト膜１０３´とは異なったシリコン酸化膜１０５を形成し、シリコン酸化膜１０５を後退させ、加工されたレジスト膜１０３´の側壁上に側壁スペーサ１０５´を形成し、加工されたレジスト膜１０３´を除去し、側壁スペーサ１０５´をマスクに用いて、薄膜１０２を加工する。 （もっと読む）

【課題】基板のステップカバレージを均一にし、金属層を平坦にする方法を提供し、サブハーフミクロンの適用分野において連続してボイドのない接点またはバイアを形成することを目的とする。
【解決手段】本発明の１つの態様において、耐熱性層が、高アスペクト比の接点またはバイアを有する基板上に堆積される。ＣＶＤによる金属層が、低温で耐熱性層上に堆積され、ＰＶＤ金属に対して共形のウェッティング層を提供する。次に、ＰＶＤ金属が、前に形成されたＣＶＤ金属層上に、その金属の溶融点より低い温度で堆積される。結果として生じるＣＶＤ／ＰＶＤ金属層は、実質的にボイドのないものである。金属被覆法は、統合された処理システムで実施されるのが好ましく、そのシステムは、ＰＶＤおよびＣＶＤ処理チャンバの両方を含み、基板が真空環境に入ると、バイアおよび接点の金属被覆が、ＣＶＤによるＡｌ層上に酸化物層を形成することなく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを微細化する。この時、微細化されたコンタクトホールであっても、半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。
【解決手段】珪化膜と樹脂材料膜とからなる多層の層間絶縁膜を形成する。その後、コンタクトホールを形成する。このとき、珪化膜に設けられるコンタクトホールの大きさを樹脂材料膜に設けられるコンタクトホールの大きさよりも小さくする。このような構成は、パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】電極形成のバリアメタル堆積前の前処理において、コンタクトホール径拡大及びボーダレスコンタクトでのコンタクトホール底部の過剰エッチングを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１００上の絶縁膜１０２にコンタクトホール１０３を形成する工程（ａ）と、コンタクトホール１０３の側面及び底面を覆うように、保護膜１０６を形成する工程（ｂ）と、コンタクトホール１０３の底面を覆う部分の保護膜１０６を除去して基板１００をコンタクトホール１０３内に露出させる工程（ｃ）と、コンタクトホール１０３の下部コーナーを被覆するコーナー被覆部１０６ａを形成する工程（ｄ）と、工程（ｃ）及び工程（ｄ）の後に、コンタクトホール１０３内に露出した部分の基板１００の表面部をエッチングする工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、コンタクトホール１０３内に導電材料を堆積して電極１０５を形成する工程（ｆ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】段差部における配線の被覆性の向上と、微細な配線の形成と、配線間における寄生容量の増加の抑制とが可能である半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の一方の主面側に、接続孔が形成された絶縁膜と上記絶縁膜上に形成された配線とを備える半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、液状導電性材料を用いて少なくとも接続孔内に導電部を形成する工程（導電部形成工程）と、ウェットエッチングにより接続孔内以外に形成された導電部を除去する工程（導電部除去工程）とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】１以上のアスペクト比を有する多層集積回路のビア、スルーホール又はトレンチにＡｌ電気コンタクトを形成する。
【解決手段】スパッタチャンバと、堆積チャンバと、移送チャンバと、を備え、半導体基板上における薄膜層のアパーチャを充填する充填装置において、スパッタチャンバは、スパッタ堆積材料の供給源となるターゲットカソードと、半導体基板を支持するための基板位置決め部材と、ＤＣ電源装置を具備し、ターゲットカソードからスパッタされた種を生成するために使用される第１のプラズマ発生ユニットと、基板位置決め部材に接続された基板バイアスＲＦ電源装置と、ＲＦ電源装置を具備し、ターゲットカソードと基板位置決め部材との間に位置して、ターゲットカソードから前もってスパッタされた種をイオン化又は再イオン化するために使用される第２のプラズマ発生ユニットと、を具備する。 （もっと読む）

コンタクトプラグを形成する半導体素子形成プロセスでは、チタンまたはタンタルコンタクト層（３０）、窒化チタンバリア層（４０）、及びタングステンシード層をコンタクト開口部（２４）に順番に堆積させる。次に、コンタクトホール（２４）への充填を、コンタクト開口部の底面から上に向かって、銅層（６０）を電気メッキすることにより行なって、ボイドがコンタクト開口部（２４）内に形成されることがないようにする。全ての余分な材料をＣＭＰプロセスにより除去してコンタクトプラグ（７０）を形成し、この場合、ＣＭＰプロセスを使用して、コンタクト層／シード層／バリア層（３０，４０，５０）のうちの一つ以上の層を薄くする、または除去することもできる。
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【課題】微細でアスペクト比の高い孔や溝あるいは凹部等の内部に超臨界流体を用いて導電体を設ける際にその制御性を向上させることができる導電体の形成装置を提供する。
【解決手段】導電体形成装置１を反応容器２、供給装置３、排出装置４などから構成する。反応容器は、その内部に導電体が設けられる凹部が表面に形成された被処理体が収容されるとともに導電体の原料となる金属を含む金属化合物が溶解した超臨界流体が供給される。供給装置により超臨界流体を反応容器内に連続的に供給するとともに、排出装置により凹部内に導電体を設けるプロセスに供しない超臨界流体を反応容器の外部に連続的に排出して反応容器内の超臨界流体の量を調整しつつ、超臨界流体中の金属化合物を被処理体の表面に接触させて凹部内に導入する。凹部内の金属化合物を凝集させて金属化合物から金属を析出および固化させて凹部内に導電体を設ける。 （もっと読む）

【課題】トランジスタとキャパシタとを備える半導体装置に関し、好適なコンタクト加工を実現する手法の提供。
【解決手段】ゲート絶縁膜１３１と、電極層１２３Ａから形成されたゲート電極１３２とを含むトランジスタと、前記電極層から形成された第１のキャパシタ電極１４１と、前記第１のキャパシタ電極上に形成された第１のキャパシタ絶縁膜と、前記第１のキャパシタ絶縁膜上に形成された第２のキャパシタ電極１４３と、前記第２のキャパシタ電極上に形成された第２のキャパシタ絶縁膜と、前記第２のキャパシタ絶縁膜上に形成された第３のキャパシタ電極１４５とを含むキャパシタと、前記トランジスタ用のコンタクトプラグ２０１と、前記第１のキャパシタ電極用のコンタクトプラグ２０２と、前記第２のキャパシタ電極用のコンタクトプラグ２０３と、前記第３のキャパシタ電極とに接している配線パターン２１１とを備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの開口部のやられが発生せず、断面径が均一で微小な高アスペクト比のコンタクトホールを形成する。
【解決手段】下層マスク及び中間マスクをマスクに用いて、下層マスク及び中間マスクがエッチングされるエッチング速度が、下層マスク＜中間マスク、を満たすように基板のエッチングを行い、基板内にコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】エッチングチャンバ内で炭素系マスクを介して超高アスペクト比フィーチャの誘電体を選択的エッチングするための方法が提供されている。フルオロカーボン含有分子および酸素含有分子を含むエッチングガスの流れが、エッチングチャンバに供給される。パルスバイアスＲＦ信号が供給される。エッチングガスをプラズマに変換するために、励起ＲＦ信号が供給される。 （もっと読む）

【課題】微細化されても、十分な容量を確保できるキャパシタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１に設けられたＭＩＳトランジスタと、ＭＩＳトランジスタ上に形成された第１の層間絶縁膜６と、第１の層間絶縁膜６を貫通し、ＭＩＳトランジスタに接続される第１のコンタクトプラグ７ｂと、第１の層間絶縁膜６上に形成され、第１のコンタクトプラグ７ｂの上面に達する第１の開口部（第１のキャパシタ孔１１）を有する第２の層間絶縁膜８と、第２の層間絶縁膜８上に形成され、第２の開口部（第２のキャパシタ孔１７）を有する第３の層間絶縁膜１４と、第１の開口部の内面、第２の開口部の側面、および第３の層間絶縁膜１４の上にわたって形成されたキャパシタとを備えている。第１の開口部の底面の中心と、第２の開口部の底面の中心とは互いにずれている。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホールを有する半導体基板であっても、所望の良好なウエットエッチング処理を行うことができ、良好な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の薬液をシリコンウェーハ１表面及びホール３内に供給する。次に、シリコンウェーハ１の表面にＩＰＡ蒸気を供給し、シリコンウェーハ１のホール３内に供給された薬液を保持しつつ、シリコンウェーハ１表面の薬液のみを除去する。次に、シリコンウェーハ１を、ホール３内部の薬液を保持し、かつ、シリコンウェーハ１表面の薬液を除去した状態に維持し、ホール３内のウエットエッチングを行う。次に、純水を供給しホール３内の薬液と置換してホール３内の薬液を除去する。 （もっと読む）