【課題】Ａｌ膜の埋め込み性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供するものである。
【解決手段】制御部は、ビアホールＶＨを有したシリコン基板Ｓの表面に金属膜ＢＭ１（Ｔｉ膜）と金属窒化膜ＢＭ２（ＴｉＮ膜）を被覆させ、金属窒化膜ＢＭ２に被覆されたビアホールＶＨの内部にＣＶＤ法を用いてＡｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を形成させた。そして、制御部は、Ａｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を埋め込む前に、ビアホールＶＨの底部に位置する金属窒化膜ＢＭ２の一部をスパッタし、ビアホールＶＨの底部の側壁に再付着窒化膜ＢＭｒを形成させた。 （もっと読む）

【課題】高密度半導体装置において、高アスペクト比のコンタクトにおけるコンタクト抵抗の上昇を抑制する。
【解決手段】素子分離領域で分離された複数の半導体領域（２０１，２０４）と、複数の半導体領域の上の少なくとも一層の層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上の複数の配線層と、複数の半導体領域と複数の配線層を電気的に接続するために層間絶縁膜の中に設けられた複数のコンタクト（２０３，２０５）とを備えた半導体装置であって、複数のコンタクトは、最も隣接するコンタクトとの距離が３μｍ以上である第１のコンタクト群（２０５）と、最も隣接するコンタクトとの距離が３μｍ未満である第２のコンタクト群（２０３）とを含み、第１のコンタクト群のコンタクトホール径が、第２のコンタクト群のコンタクトホール径よりも大きい構成とする。 （もっと読む）

【課題】
楕円パターンの深孔加工において、エッチング初期の過剰堆積に起因する短径側の開口性不足を改善した高精度加工を行う。
【解決手段】
楕円パターンマスクが形成された被加工試料をフロロカーボンガスを用いて処理する、絶縁膜ドライエッチング方法において、エッチングステップをエッチング開始から第１のステップと第２のステップに分割し、第１のステップは、エッチング中のポリマー量を第２のステップよりも少なく設定するとともに、第１のステップ時間を、楕円パターンの楕円率（短径寸法に対する長径寸法の比率）に応じて制御する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスと後工程の相互接続体との間の誘電体材料層内にコンタクト構造体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態は、半導体デバイスと後工程の相互接続体との間の誘電体材料層内にコンタクト構造体を製造する方法を提供する。この方法は、誘電体材料層内に少なくとも１つのコンタクト開口部を作成するステップと、化学気相堆積プロセスによって第１のＴｉＮ膜を形成するステップであって、第１のＴｉＮ膜はコンタクト開口部をライニングする（内側を覆う）ステップと、物理的気相堆積プロセスによって第２のＴｉＮ膜を形成するステップであって、第２のＴｉＮ膜は第１のＴｉＮ膜をライニングするステップとを含む。本発明の実施形態によって製造されるコンタクト構造体も提供される。 （もっと読む）

酸化ケイ素層などの層間誘電体層（130）は、ケイ素種とハロゲン種、また好ましくは炭素種と酸素種を含む、プラズマ化学エッチングを用いて選択的にエッチングされる。ケイ素種は、Si_xM_yH_zなどのケイ素化合物から生成することができ、“Si”はケイ素、“M”は一つ以上のハロゲン、“H”は水素であり、x≧1、y≧0、z≧0である。炭素種はC_αM_βH_γなどの炭素化合物から生成することができ、“C”は炭素、“M”は一つ以上のハロゲン、“H”は水素であり、α≧1、β≧0、γ≧0である。酸素種はO₂などの酸素化合物から生成することができ、これは炭素と反応して揮発性化合物を形成し得る。
（もっと読む）

【課題】コンタクトホールにおける開口部の歪みやＴｗｉｓｔｉｎｇを発生させずに、超微細に深穴コンタクトを形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。第１エッチングガスは、エッチングガスをＸｅガス又はＸｅガスとＡｒガスとの混合ガスで希釈したガスを含むことが好ましい。第２エッチングガスは、エッチングガスをＡｒガスで希釈したガスを含むことが好ましい。エッチングガスは、フロロカーボンガスとＯ_２ガスとの混合ガスを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に設けられた凹部の最小幅が狭く、深い場合でも、バリア層としてＴｉ濃化層を形成することができ、しかも純Ｃｕを配線材料として凹部の隅々に亘って埋め込むことができる半導体配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に最小幅が０．１５μｍ以下、該最小幅に対する深さの比（深さ／最小幅）が１以上の凹部を形成し、この絶縁膜の凹部に、Ｔｉを０．５〜１０原子％含有するＣｕ合金薄膜を凹部形状に沿って１０〜５０ｎｍの厚さで形成した後、Ｃｕ合金薄膜付き凹部に純Ｃｕ薄膜を形成し、３５０℃以上に加熱して絶縁膜とＣｕ合金薄膜との間にＴｉを析出させればよい。 （もっと読む）

【課題】穴径が上部と底部とで一定に近い形状のホールを形成することのできるホール形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された第１膜をエッチングしてホールを形成するホール形成ステップと、前記第１膜上に、前記ホールの上部側が厚く底部側が薄くなるように、第２膜を堆積させる第２膜堆積ステップと、前記第１膜及び前記第２膜をエッチングして前記ホールの形状を補正する形状補正ステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ホール内の導電層に空隙を生じさせないように構成することで導電層の高抵抗化を抑制できるようにする。
【解決手段】コンタクトホール７内において、第３の導電層１６が第２の導電層１５の内側に形成されている。したがって、第２の導電層１５がコンタクトホール７の内面に沿って形成されその内側に空隙が存在するようなことがあってもこの空隙を埋込むことができ、第２および第３の導電層１５および１６の高抵抗化を抑制することができ、第２および第３の導電層１５および１６の抵抗値の低減化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内に形成される配線層の抵抗値を抑制する。
【解決手段】コンタクトホールＨが、変曲位置Ｈ１から下方に向けて径が小さいテーパ孔形状に形成されていると共に変曲位置Ｈ１から上方に向けてシリコン基板２の表面に対して垂直柱状に形成されている。また、このコンタクトホールＨ内にポリプラグ８および金属プラグ９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】厚い絶縁膜をドライエッチングしてスルーホールなどを形成する場合、開口径が小さくなるとエッチング停止が生じる問題や底部ほど先細りして接触面積が小さくなり接触抵抗が増大する問題を回避する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ホールを形成する位置に、酸素や水素プラズマのみでエッチングが可能なペデスタル１４１を予め形成しておき、その上に層間絶縁膜１４２を形成する。ペデスタル上の層間絶縁膜をフッ素含有プラズマでエッチングしてホール１４７ａを形成しペデスタルの表面を露出させる。その後、酸素プラズマを用いてペデスタルをエッチングする。ペデスタルには非晶質カーボン膜や有機塗布膜を用いることができる。 （もっと読む）

サブミクロンサイズの配線フィチャーをともなう半導体集積回路基板上に銅を電解的にメッキするための電解メッキ方法と組成。組成は銅イオン源およびポリエーテルグループからなる抑制剤から構成される。方法はフィチャーの底面からフィチャーの頂部開口への縦方向の銅堆積が側壁への銅堆積より大きい超埋め込み速度で急速な底上げ堆積を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性や膜特性に優れたシリコン酸化膜を高アスペクト比を有する凹部に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の主表面側の下地領域 ３５０に形成された凹部３５１内全体にシリコン窒化膜３５２を形成する工程と、前記シリコン窒化膜３５２を酸化して該シリコン窒化膜３５２をシリコン酸化膜３５３に変換することにより、前記凹部内全体に絶縁領域を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および／または熱の散逸体に適切である。
（もっと読む）

【課題】埋め込み特性や膜特性に優れたシリコン酸化膜を高アスペクト比を有する凹部に形成することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主表面側に形成された凹部を有する下地領域と、前記下地領域の凹部内全体に埋め込まれた塩素を含有するシリコン酸化膜とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 既存のＣＶＤタングステン・プラグ金属化技術と比べて減少したプラグ抵抗を示し得る構造体を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、キャビティの底部に配置された、コバルト及び／又はニッケルのようなシリサイド又はゲルニウム化物層と、誘電体層の上部及びキャビティの内部に配置され、前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触する、Ｔｉ又はＴｉ／ＴｉＮを含むコンタクト層と、コンタクト層の上部及びキャビティの内部に配置された拡散バリア層と、バリア層の上部に配置された、めっきのための随意的なシード層と、ビア内の金属充填層とを含むコンタクト金属（メタラジ）構造体が、その製造方法と共に提供される。金属充填層は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、亜鉛、及びこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材を用いて電着される。金属充填層がロジウム、ルテニウム、又はイリジウムである場合、金属充填物と誘電体との間に有効な拡散バリア層を必要としない。バリア層が、ルテニウム、ロジウム、又はイリジウムのようにめっき可能である場合、シード層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング工程における、高アスペクト比用途の異方性フィーチャの形成方法を提供する。
【解決手段】開示された方法は、側壁パッシベーション管理技法を通して、高アスペクト比のフィーチャのプロファイルと寸法の制御を有利に促進する。一実施形態において、側壁パッシベーションは酸化パッシベーション層をエッチング層の側壁及び／又は底部に選択的に形成することによって管理される。他の実施形態において、側壁のパッシベーションは余分な再堆積層を定期的に除去して平坦で均一なパッシベーション層をその上に維持することによって管理される。平坦で均一なパッシベーション層により、欠陥及び／又は下層のオーバーエッチングを起こすことなく、高アスペクト比のフィーチャを、基板上の高及び低フィーチャ密度領域の双方に所望の深さ及び垂直プロファイルの限界寸法に適した形で徐々にエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング工程における、高アスペクト比用途の異方性フィーチャの形成方法を提供する。
【解決手段】開示された方法は、側壁パッシベーション管理技法を通して、高アスペクト比のフィーチャのプロファイルと寸法の制御を有利に促進する。一実施形態において、側壁パッシベーションは酸化パッシベーション層をエッチング層の側壁及び／又は底部に選択的に形成することによって管理される。他の実施形態において、側壁のパッシベーションは余分な再堆積層を定期的に除去して平坦で均一なパッシベーション層をその上に維持することによって管理される。平坦で均一なパッシベーション層により、欠陥及び／又は下層のオーバーエッチングを起こすことなく、高アスペクト比のフィーチャを、基板上の高及び低フィーチャ密度領域の双方に所望の深さ及び垂直プロファイルの限界寸法に適した形で徐々にエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

無電解堆積の触媒作用にイオン注入による表面改質を用いて金属膜を堆積する技術を開示する。１つの特定の例示的な実施形態では、この技術は、金属膜を堆積する方法として実現されうる。当該方法は、基板と、基板上の誘電体層と、誘電体層上のレジスト層とを含み、誘電体層及びレジスト層は１以上の開口を有する構造上に、触媒材料を堆積することを含みうる。当該方法は更に、レジスト層を剥離することを含む。当該方法は更に、１以上の開口を充填すべく構造の１以上の開口内の触媒材料上に金属膜を堆積することを含む。 （もっと読む）

【課題】隣接開孔との短絡を防止する。また、開孔下部の開孔径を大きくすることにより、容量の低下を引き起こすことなく安定したストレージノードを形成する。
【解決手段】異方性エッチングを行うことにより第２の絶縁膜中にボーイング形状が発生しない深さまで第２の開孔を形成する工程と、第１及び第２の開孔の側面に第４の膜を形成する工程と、異方性エッチングを行うことにより、第１の絶縁膜が露出するまで第２の開孔を伸長させてアスペクト比が１２を越える第２の開孔を形成する工程と、第２の開孔の第４の膜が形成されていない側面部分を等方性エッチングにより拡張する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）