【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 低電気抵抗を維持した上で、基板との密着性を向上することが可能な新規なＣｕ系配線膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 所定の酸素含有雰囲気中でＣｕターゲットを用いてスパッタリングにより成膜するＣｕ系配線膜の成膜方法において、所定の酸素含有雰囲気中でＣｕターゲットに印加する電力量を所定の値に設定してスパッタリングにより成膜する第１の成膜工程を経た後、前記Ｃｕターゲットに印加する電力量を第１の成膜工程よりも増加させてスパッタリングにより成膜する第２の成膜工程を行なうＣｕ系配線膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の製造工程におけるパーティクルの発生や組成比の変動を抑制させて、半導体装置の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】成膜チャンバ３３は、第１カソード４０ａと第２カソード４０ｂを備え、各カソード４０ａ，４０ｂに、それぞれＺｒを含む第１ターゲット４２ａと、ＢＮを主成分とする第２ターゲット４２ｂを搭載する。そして、成膜チャンバ３３は、各外部電源を駆動して第１ターゲット４２ａと第２ターゲット４２ｂとを同時にスパッタし、第１絶縁層の表面と第１配線の表面、又は、第２絶縁層の表面と第２配線の表面に、ＺｒＢＮを主成分とするメタルキャップ層を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】２つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くする。
【解決手段】第１の金属膜２と、第１の金属膜２の上に形成され、窒素濃度が第１の金属膜２から離れるほど低くなっている窒素濃度が異なる３層のＴｉＷＮ層５ａ〜５ｃよりなる第１のバリア膜５と、第１のバリア膜５の上に形成された第２の金属膜６と、第２の金属膜６の上に形成され、窒素濃度が第２の金属膜６から離れるほど低くなっている窒素濃度が異なる４層のＴｉＷＮ層１１ａ〜１１ｄよりなる第２のバリア膜１１と、第２のバリア膜１１の上に形成され、半田と接続するバンプ電極１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】微小ビアでの接続信頼性を確保した信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に配されるとともに、少なくとも１以上の第１配線層、少なくとも１以上の第１絶縁層、及び第１ビアを有する第１配線構造体１２と、第１配線構造体１２上に配されるとともに、少なくとも１以上の第２配線層１５、少なくとも１以上の第２絶縁層１４、第２ビア１６、及び第３ビア１９を有する第２配線構造体１７と、第２配線構造体１７上に設けられた外部端子１８と、を備える半導体装置において、第２配線構造体１７の第２配線層１５と外部端子１８に接合される第２ビア１６は、外部端子１８側の端部に接合界面１６ａが配されている。 （もっと読む）

【課題】強誘電体材料において酸素欠損が発生することをより確実に防止できる強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に強誘電体キャパシタ３を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３を被覆する水素バリア膜１２を形成する工程と、水素バリア膜１２に貫通孔２１を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３及び水素バリア膜１２を被覆する第２層間絶縁膜１３を形成する工程と、第２層間絶縁膜１３に貫通孔２１を形成する工程と、貫通孔２１の内壁面及び強誘電体キャパシタ３の上面それぞれに密着層２４を形成する工程と、貫通孔２１内にプラグを形成する工程とを備え、貫通孔２１が、貫通孔２１の内側に形成されると共に、貫通孔２１の内壁面が、被覆層２４で被覆される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極との接触抵抗が小さく、かつボイド等の発生がないように埋め込まれた銅のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子の電極にコンタクトプラグが接続された半導体装置において、金属シリサイド層の電極を含む半導体素子と、半導体素子を覆うように形成された層間絶縁層と、層間絶縁層に、金属シリサイド層の表面が露出するように設けられたコンタクトホールと、コンタクトホールの内壁を覆うように形成されたバリアメタル層であって、層間絶縁層と接する領域がチタン層からなるバリアメタル層と、バリアメタル層上に形成されたルテニウムを含むシード層と、シード層上にコンタクトホールを埋め込むように形成された銅プラグ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】 突起電極と電極パッドとの接着性が良好な半導体装置と、この半導体装置を短い処理工程で形成可能な製造方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板１に形成した絶縁膜３の開口から露出する電極パッド２と、電極パッド表面に形成されたプローブ痕５と電極パッド上とに設ける共通電極層８、９と、共通電極層８、９上に設ける突起電極１３を有する半導体装置において、プローブ痕５の庇５ａの下に感光性樹脂６を設ける半導体装置と、電極パッド２表面にプローブ針４を接触させてプローブテストを行なうプローブテスト工程と、このプローブテスト工程にて電極パッド２表面に生じるプローブ痕５の庇５ａの下に自己整合的に感光性樹脂６を形成する感光性樹脂形成工程と、共通電極層８、９を形成する工程と、共通電極層８、９の上に突起電極１３を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】ウエハエッヂ部における膜はがれやパターン飛びを防止できる半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１上には、トレンチ分離膜５００により分離された活性領域にゲート構造４００が形成されており、さらに、コンタクト層間膜１０３および、ｌｏｗ−ｋビア層間膜すなわちＶ層とｌｏｗ−ｋ配線層間膜すなわちＭ層とが交互に成膜された多層配線構造が形成されている。第一の層間膜１１３から第五の層間膜１５３までのFineレイヤにおいては、Ｍ層のウエハエッヂ部は除去されているが、Ｖ層のウエハエッヂ部は除去されていない。また、コンタクト層間膜１０３のウエハエッヂ部は除去されていない。 （もっと読む）

金属間化合物導体材料は、集積回路において相互接続を形成するために使用される。いくつかの場合では、この金属間化合物導体材料は、アルミニウムの金属間化合物合金であり得る。
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【課題】接続孔内から無電解めっき層が剥がれて抜け落ちるのを防止できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層３２上に形成された第１の絶縁層３３，２０３と、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の絶縁層の上面から途中まで異方性エッチングにより形成された第１の接続孔２０３ｃと、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の接続孔に繋げられ、前記第１の接続孔下の前記第１の絶縁層が等方性エッチングにより形成され、前記半導体層上に位置する第２の接続孔２０３ｇと、前記第１の接続孔内の側面及び前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層２０３ｄと、前記第２の接続孔の底面の前記半導体層から成長され、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に埋め込まれた無電解めっき層２０４ａと、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

半導体装置は、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、銅又は銅合金からなる埋め込み配線とを備え、絶縁膜と埋め込み配線との間に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を有しており、バリアメタル層は、相対的にバリア性が高くなる非晶質度を有する非晶質構造を一部に含んでいる。
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【課題】デュアルダマシン構造にも適用出来る好ましくはカーボンで作られるナノチューブによるビアの形成法を提供する。
【解決手段】底部と、側壁とを備える、少なくとも１つのビアを、金属材料の２つの層４及び１２を隔てる絶縁材料層５の中に形成する。次いで接着層７及び／又は保護層８の上に触媒層９を堆積する。さらに抑止層１１を、前記ビアの前記底部における前記触媒層９の部分を除く、前記ビアの前記ビアの側壁の上と、前記絶縁材料層５の上に方向性堆積によって形成する。ナノチューブを前記抑止層１１のない前記ビア底部の前記触媒層９の部分から成長させて前記金属材料の２つの層４及び１２を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ビア抵抗の低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ５の底面のバリアメタル膜６を残存させつつ、ビア４の底面のバリアメタル膜６を除去する。次に、そのビア底面から露出する下層配線１を改質して、改質層７を形成する。次に、その改質層７を除去して、掘れ込み（凹部）８を形成する。そして、掘れ込み８、ビア４およびトレンチ５内にＣｕ膜９を堆積させて、ビアプラグ１０および上層配線１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上させた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 被処理物表面にＰＶＤ法によりバリアメタル膜を形成する工程と、このバリアメタル膜表面にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成する工程と、前記バリア膜及びＣｕ膜を積層したものを所定温度で熱処理する工程とを実施する。前記バリアメタル膜としてＴｉ及びＲｕを含むものを用い、当該バリアメタル膜中のＴｉの組成比を５〜２５原子％の範囲とする （もっと読む）

【課題】銅めっき層をアンテナの導体に用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止するとともに、密着性の良い銅めっき層を提供することを課題とする。また、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、アンテナと集積回路の接続不良に伴う半導体装置の不良を防止することを課題とする。
【解決手段】アンテナ１０１と集積回路１００が一体形成された半導体装置において、アンテナ１０１として銅めっき層を用いるとともに、そのシード層１０７としてＡｇ、Ｐｄ及びＣｕの合金を用い、バリア層１１６としてＴｉＮ又はＴｉを用いるものである。 （もっと読む）

【課題】例えば、ガラスや又はシリコン等の基板との密着性を向上させることができる配線形成材、この配線形成材を用いた配線形成方法及び配線形成装置を提供しようとしたものである。
【解決手段】本発明の配線形成材は、配線となる金属ナノペーストと、配線形成対象である基板物質の極性に応じた極性特性を有する溶媒とを含むことを特徴とする。また、本発明の配線形成方法は、基板に対して配線形成材を噴き付けて配線を形成する配線形成方法において、配線形成材として、第１の本発明の配線形成材を用いることを特徴とする。さらに、本発明の配線形成装置は、基板に対して配線形成を噴き付けて配線を形成する配線形成装置において、配線形成材として、第１の本発明の配線形成材を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表面に対する密着性に優れかつボイドの発生しない銅合金膜からなる配線下地膜に関するものであり、この配線下地膜の上に導電性に優れた配線膜を成膜してガラス基板に対する密着性に優れた二重構造配線膜を提供する。この二重構造配線膜はＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイのガラス基板に強固に密着させることができる。
【解決手段】酸素：４〜２０モル％を含有し、さらにＭｎ：０．２〜３モル％、Ａｇ：０．２〜３モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金膜からなる密着性に優れた配線下地膜、並びにこの密着性に優れた配線下地膜の上に、導電性に優れた純銅または銅合金膜を積層してなる密着性に優れた二重構造配線膜。 （もっと読む）

【課題】径が０．１μｍ以下のＣｕコンタクトプラグを有する半導体装置に関し、バリア性及び密着性に優れたＣｕコンタクトプラグを有する半導体装置を提供することである。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１００の上に形成され、半導体基板１００表面に設けられた金属シリサイド層１０１を露出するコンタクトホール１０２ａを有する絶縁膜１０２と、コンタクトホール１０２ａの側壁部及び底部に形成され、金属シリサイド層１０１と接続する第１の高融点金属膜１０３と、第１の高融点金属膜１０３の上に形成された第２の高融点金属膜１０４と、第２の高融点金属膜１０４の上に形成され、コンタクトホール１０２ａの内部を充填する銅膜１０５とを備える。 （もっと読む）