【課題】電極パッドの損傷を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１の上方に形成された電極パッド３０とを有し、電極パッド３０は、第１の融点温度を有する材料からなる第１の層３２と、第１の層３２上に位置するとともに外に向けて表出し、第１の融点温度よりも高い第２の融点温度を有する材料からなる第２の層３３とを含むことを特徴とする。これにより、外部から電極パッド３０への圧力により第１の層３２に達する傷ができても、必要に応じて第１の融点以上の温度で加熱することにより電極パッド表面の平坦性を修復することができる。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板７の一方の面側に、トランジスタ４のゲート絶縁体層４４を形成する第１の工程と、ゲート絶縁体層４４上に、厚さ方向に貫通する貫通部９１を備える絶縁体層９を形成する第２の工程と、貫通部９１内の底部付近のゲート絶縁体層４４上、および、貫通部９１の周囲の絶縁体層９上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層４４上に形成された電極を用いて、ゲート電極４５を形成するとともに、絶縁体層９上に形成された電極を用いて、画素電極６を形成する第３の工程とを有する。また、平面視で、貫通部９１の開口部の縁が、当該貫通部９１の底部の縁より内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】膜厚のばらつき及び表面の平坦性に優れ、基材との十分な密着性を有する導電膜パターンを、複雑、高価な設備、工程を必要とせずに形成する導電膜パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】金属微粒子含有インクを基材上に配置し、焼成することにより形成される導電膜パターンにおいて、前記基材のインク被配置面に、有機塩あるいは無機塩の含有されたプライマー層が形成されているものであることを特徴とする導電膜パターン。 （もっと読む）

【課題】電極部と貫通電極層の間の抵抗値ばらつきに依存しない信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板表面２ａの第１絶縁膜８の中に、外部接続端子を有する電極部１８が形成され、基板をビアホール１０が貫通し、ビアホール側壁１０ａ及び基板裏面の第２絶縁膜１２とビアホール底面の第１絶縁膜とに貫通電極層１１が形成され、電極部と貫通電極層との間にシリサイド層９を接続形成し、ビアホール中心軸を含む平面で切断された断面において、シリサイド層の幅Ａ≦ビアホール底部の幅Ｂである。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含むとともに、酸素を３．０〜１０原子％含有し、残部がＣｕと不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層、ＳｉＮ_Ｘ保護膜層との密着性に優れる酸素含有Ｃｕ合金膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金ターゲットを用いてＡｒおよび酸素ガスを導入した雰囲気中でスパッタリングし、酸素含有Ｃｕ合金膜を得ることを特徴とする酸素含有Ｃｕ合金膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】表示装置（ＬＣＤ）におけるパネルのＴＡＢ部引き出し電極の断線を防止することができ、かつ、バリアメタル層を介在させずにＡｌ合金膜を透明画素電極と直接接続することのできるＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置に用いられるＡｌ合金膜であって、ＮｉおよびＣｏよりなる群から選択される少なくとも１種の元素（Ｘ元素）を０．１〜２．０原子％含み、長径０．０１μｍ超であってＮｉ量とＣｏ量の合計が１０原子％以上である化合物が、１００μｍ²あたり３個超析出していると共に、Ａｌ結晶粒内の固溶Ｎｉ量と固溶Ｃｏ量の合計が０．１〜０．５原子％であり、かつ、Ａｌ合金膜の硬度が１．５ＧＰａ以上３．０ＧＰａ以下であるところに特徴を有する表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、窒化ケイ素膜上への銅の微細配線を、より簡易に行う。
【解決手段】微細配線がされたＴＦＴ基板は、無アルカリガラスからなるガラス基板１０１と、インジウム錫酸化物からなる透明導電膜１０２と、アルミニウムを４原子％含有し銅を主成分とする合金からなる第一の導電層１０３及び１０９と、９９．９９％純度の純銅からなる銅配線である第二の導電層１０４及び１１０と、窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜１０６と、非晶質ケイ素からなる半導体層１０７と、ｎ＋型非晶質ケイ素からなるコンタクト層１０８と、透明導電膜１０２と第一の導電層１０３との界面の金属酸化物層１０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内には、その底部および側壁部に沿ってバリアメタル層２０が形成されている。バリアメタル層２０は側壁部上に堆積された第１の部分と底部上に堆積された第２の部分とを有する。凹部１６、１７内にはバリアメタル層を介して金属配線層が形成される。バリアメタル層２０の第１の部分はＴｉ含有量が５０原子％を超えるＴｉＮ_x膜からなり、第２の部分は第１の部分よりＴｉ含有量が多いＴｉＮ_x膜またはＴｉ膜からなる。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にＣＶＤ−Ｒｕ膜を有するウエハＷを収容し、チャンバー１内に、成膜中に発生する副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧がその蒸気圧よりも低いＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳからなる成膜原料を気相状態で導入して、Ｒｕ膜上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜するにあたり、チャンバー１の壁部の温度を、副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧が成膜処理時のチャンバー１内の圧力と等しくなる温度以上で成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの分解温度未満に制御する。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好でかつ高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内にカルボン酸第１銅錯体、例えばＣＨ_３ＣＯＯＣｕとこれを還元する還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】配線材とバリアメタル層の密着性を向上させる。
【解決手段】表面に凹部が形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成されたＴｉ及びＮを含み、酸素（Ｏ）及び貴金属成分を除く全成分中におけるＴｉ含有量が５０ａｔ％を超える微結晶状態の第１の層３０ｂと、第１の層３０ｂ上に形成され、層間絶縁膜に形成された凹部を埋め込むＣｕ金属層７０と、を具える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板への密着性が高いと共に、Ｓｉを含んだ層へのＣｕの拡散を抑制し、配線とＳｉを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板用の配線材料は、Ｃｕよりも優先的にＳｉとの間でシリサイドを形成するシリサイド形成材と、Ｓｉの酸化物生成自由エネルギーよりも酸化物生成自由エネルギーが低い少なくとも１種類の添加物とが添加され、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】透明基板との高い密着性、低い電気抵抗率、および優れたウェットエッチング性を示すＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】透明基板と直接接触する表示デバイス用Ｃｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は、下記（１）および（２）の要件を満足する酸素含有合金膜であることを特徴とする表示デバイス用のＣｕ合金膜である。
（１）前記Ｃｕ合金膜は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、およびＣａよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０原子％以上１０原子％以下含有する。
（２）前記Ｃｕ合金膜は、酸素含有量が異なる下地層と上層を有し、
前記下地層は前記透明基板と接触しており、前記下地層の酸素含有量が前記上層の酸素含有量よりも多い。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの剥がれを防止し、かつボンディングパッド間におけるリーク電流の発生を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＨＢＴ（ヘテロ構造バイポーラトランジスタ）が構成要素の１つとして集積された半導体装置１１０は、半絶縁性ＩｎＰ基板１１上に、順次、エッチングストップ層１２、コレクタコンタクト層１３、コレクタ層１４、傾斜コレクタ層１５、セットバック層１６、ベース層１７が形成された構成を有し、ベース層１７はＩｎＧａＡｓで構成された薄膜であってＰを含まず、このベース層１７上にＳｉＮ２３が形成され、ＳｉＮ２３上にボンディングパッド２５が形成された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】 ビアホールの微細化及び高アスペクト比化が進むと、銅からなるシード層でビアホールの内面を連続的に覆うことが困難になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。絶縁膜に凹部(21)が形成されている。凹部の内面を第１の導電膜(22)が覆う。島状組織(25)が、第１の導電膜の表面に離散的に分布する。島状組織は、銅に対して、第１の導電膜の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。凹部が、銅または銅合金からなる導電部材(31)で充填されている。 （もっと読む）

【課題】 銅配線上に銅ワイヤがワイヤボンディングされて構成される半導体装置において、配線剥がれや銅ワイヤ下の絶縁膜にクラックが入るといった不具合を抑止する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された銅配線８と、前記銅配線８の表面及び側面を覆うように形成されたメッキ層１０と、前記メッキ層１０を介して前記銅配線８上にワイヤボンディングされた銅ワイヤ１１とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えばエアギャップ構造の形成に好適な、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜に溝を形成する工程と、第１の絶縁膜上面及び溝の内面を覆うように、Ｒｕを含む第１の金属層を形成する工程と、第１の金属層上に、銅を含む第２の金属層を形成する工程と、第１の絶縁膜上の第２の金属層及び第１の金属層を研磨し除去して、第１の絶縁膜を露出させ、溝内に形成された第１の金属層及び第２の金属層を残す工程と、研磨によって露出した第１の絶縁膜を上面から少なくとも一部除去する工程と、第１の絶縁膜の上方に、第１及び第２の金属層の少なくとも上面を覆う第２の絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層との高い密着性、および優れたウェットエッチング性を示すＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層と直接接触する表示デバイス用Ｃｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は、下記（１）および（２）の要件を満足する酸素含有合金膜であることを特徴とする表示デバイス用のＣｕ合金膜である。
（１）Ｃｕ合金膜は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ及びＷよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０原子％以上５．０原子％以下含有する。
（２）Ｃｕ合金膜は、酸素含有量が異なる下地層と上層を有し、前記下地層は前記半導体層と接触しており、前記下地層の酸素含有量は０．１原子％以上３０原子％以下であり、前記上層の酸素含有量は０．１原子％未満（０原子％を含む）である。 （もっと読む）