【課題】基板、特にガラス基板、Ｓｉ基板、シリカ基板などセラミック基板の表面に対する密着性に優れたＣａおよび酸素を含む銅合金膜からなる酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜とこの酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜の上に形成された導電性に優れたＣａ含有銅合金導電膜とからなる密着性に優れた銅合金複合膜を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜と前記下地膜の上に形成されたＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜からなる銅合金複合膜。 （もっと読む）

【課題】バリア膜を薄くする場合であっても良好なバリア性を確保し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された第１の導電体３２と、半導体基板上及び第１の導電体上に形成され、第１の導電体に達するコンタクトホール５２と、コンタクトホールの上部に接続された溝５４とが形成された、酸素を含む絶縁膜４８と、コンタクトホールの側面並びに溝の側面及び底面に形成された酸化ジルコニウム膜６２と、コンタクトホール内及び溝内における酸化ジルコニウム膜上に形成されたジルコニウム膜６４と、コンタクトホール内及び溝内に埋め込まれたＣｕより第２の導電体７０とを有している。 （もっと読む）

【課題】配線を形成したときに電極と配線との密着性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、炭化珪素半導体層１１０が準備される。そして、炭化珪素半導体層１１０の表面に、金属層が形成される。そして、金属層を熱処理することにより電極１５０が形成される。そして、電極１５０の表面の炭素を除去するためのエッチングが行なわれる。金属層を形成する工程では、金属層を熱処理する温度において炭素よりもシリコンとの反応性が高い金属層を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、貫通金属と半田との接合強度が大きい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板１２と、基板１２を貫通し、基板１２の表面に設けられた電極部１６に接し、基板１２の裏面側から凹部３０が設けられている貫通金属３２と、凹部３０に埋め込まれるように、基板１２裏面側の貫通金属３２の露出面に設けられた半田３４からなる導電材と、を具備する半導体装置及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】Ｚｎ：０．０５〜５原子％含有し、さらにＳｉ、Ｔｉ、ＹおよびＡｌの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜０．５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着力に優れた液晶表示装置用配線および電極。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】フッ素：０．０１〜５原子％を含有し、さらにＣａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する密着性に優れた銅合金薄膜。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、金属微粒子分散体の基板への塗布と加熱処理による焼結により基板上に形成される金属膜の基板との密着性の向上を図り、耐環境性を向上させると共にメッキ下地膜などにも利用出来る金属膜積層体、及びその製造方法、並びにそれを用いた金属配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の金属膜積層体は、有機金属化合物から形成される金属酸化物膜と金属微粒子分散体から形成される金属膜とを基板上に複数層積層し、基板上に形成される最初の膜は金属酸化物膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可撓性のある樹脂基板上に領域選択的に形成された、密着性およびデバイス特性に優れる有機デバイスおよび、その作製方法を提供する。
【解決手段】デバイスが形成される可撓性基板表面領域と該基板表面に設けられた前記基板以外の材料からなる所定の領域との両領域か、またはいずれかの領域の表面に、有機分子を化学結合させて形成した機能性有機分子層と、前記機能性有機分子層上の一部に、前記有機分子と同種または異種の有機分子とを化学結合させて、更に積層した少なくとも一つ以上の機能性有機分子層とを備えた有機デバイスであって、前記領域において、有機分子層の積層回数を異ならせた領域が含まれていることを特徴とする有機デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ等の半導体素子を介して上層と下層に形成された配線層間の良好な接続を可能にし、配線の自由度を向上させた半導体装置及びその作製方法を提供すること目的の一とする。
【解決手段】絶縁体でなる基板上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成された第１の配線層と、第１の絶縁層上の第１の配線層が形成された領域以外の領域に形成された第２の絶縁層と、第１の配線層及び第２の絶縁層上に形成され、チャネル形成領域と不純物領域を有する単結晶半導体層と、単結晶半導体層のチャネル形成領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極と、第１の配線層、第２の絶縁層、単結晶半導体層及びゲート電極を覆うように形成された第３の絶縁層と、第３の絶縁層上に形成された第２の配線層とを設け、第１の配線層と単結晶半導体層の不純物領域が接続し、第１の配線層と第２の配線層が電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】新しい低抵抗率タングステン積層膜スキーム、および、低抵抗率タングステン積層膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】積層膜は、タングステン・カーバイド、または、窒化タングステンなどの低抵抗率タングステン化合物と混合されたタングステンを有するタングステンリッチ層３７１を、タングステン核生成３７３および／またはバルク層３７５を堆積するベースとして有する。これらのタングステンリッチ層は、タングステンコンタクトのメタライゼーション、および、ビットラインにおけるバリアおよび／または接着層として用いられうる。タングステンリッチ層の堆積は、基板をハロゲンフリーの有機金属タングステン前駆物質にさらすことを含む。タングステンとタングステン・カーバイドとの混合層は、優れた接着性を有する薄い低抵抗率の膜であり、次なるタングステンプラグまたはライン形成の優れたベースとなる。 （もっと読む）

【課題】高融点金属元素を含むバリアメタル膜と組みあわせてＣｕ配線パターンのバリアメタル構造を形成するＣｕ−Ｍｎ合金層において、ストレスマイグレーション耐性を向上させると同時に、Ｃｕ配線パターンの抵抗を低減する。また、さらには配線中のボイド欠陥を低減する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上方に形成された酸素を含む絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された凹部と、前記凹部の内壁に形成された銅を含む第１の膜と、前記第１の膜上方であって、前記凹部に埋め込まれた銅を含む第２の膜と、前記第１の膜と前記第２の膜の間にマンガンを含む酸化層と、を有する。さらに、前記構造に対し、電解メッキ法で銅配線を形成し、引き続き８０℃〜１２０℃の温度で短時間の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に金属膜２が堆積される。金属膜２上に金属膜２の一部を覆うマスク３が形成される。異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜２ｍのマスク３から露出された部分と再付着膜４とを基板１の材質のエッチング速度よりも金属膜２ｍの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターン２ｐが形成される。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜に本来求められるバリア性を維持しつつ、微細化が進む配線用のホールやトレンチに対し優れたステップカバレッジでバリアメタル膜を形成でき、その上、バリアメタル膜表面にボイドを生じることなくＣｕ膜を形成できると共に、両者間で高い密着性が得られるようにした薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 バリアメタル膜を、ＡＬＤ法によりＴｉＮ膜を形成し、当該ＴｉＮ膜表面に、Ｔｉ、Ｒｕ及びＣｏの中から選択される膜またはこれらのうち少なくとも二種を含む合金膜をＣＶＤ法またはＰＶＤ法により積層して構成する。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層配線の形成方法は、シロキサン構造を含むビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４を金属配線４１ａ上に形成する第一の工程（図１［１］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の一部に金属配線４１ａに達する凹部としてのデュアルダマシン溝４８を形成する第二の工程（図１［２］〜図２［２］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４とデュアルダマシン溝４８内で露出した金属配線４１ａとに水素プラズマ処理を施すことにより、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の表面に改質層４９を形成するとともに金属配線金属配線４１ａの表面を還元する第三の工程（図３［１］）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置において、逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する画素部及び端子部を作製する工程数を削減して、具体的にはフォトリソグラフィー工程で使用するフォトマスクの枚数を削減して、電気光学装置の生産性、歩留まりを向上させ、製造コストの低減を実現することを課題とする。
【解決手段】上記課題を鑑み、透光性基板に透過部と光強度を低減する機能を有する中間透過部と遮光部が設けられたフォトマスク（多階調フォトマスク）を採用する。さらには、画素部のソース電極及びドレイン電極と端子部に延在するソース配線のパターニングにエッチング工程を必要としないリフトオフ方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】主面側と裏面側の両方にメッキ電極層を有する安価な半導体装置であって、該メッキ電極層を利用した両面放熱が可能であると共に、チップ端部における該メッキ電極層の剥がれが発生し難い半導体装置を提供する。
【解決手段】主面側と裏面側の両方にメッキ電極層Ｍ１，Ｍ２ａを有する同一構造の半導体装置１００が、一枚の半導体ウェハに複数個形成され、これらが個々のチップに切り出されてなる半導体装置１００であって、主面側と裏面側のいずれのメッキ電極層Ｍ１，Ｍ２ａも半導体ウェハの切り出し線ＣＬに掛からないようにして配置され、切り出し線ＣＬに沿って各チップに切り出されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜抵抗層を損傷することなく形成して、抵抗値の制御性を向上するとともに、微細化にも有利な薄膜抵抗体の製造方法を提供する。
【課題の解決手段】半導体基板１上に設けた絶縁層２上に薄膜抵抗層３のパターンを形成する工程と、レジストのパターンを用いて薄膜抵抗層３の配線接続領域に金属層６を形成する工程と、レジストを除去した後に金属層６を含む薄膜抵抗層３全体を覆うように層間絶縁膜７を形成する工程と、層間絶縁膜７に金属層６に達する開口部（コンタクトホール）１０を形成する工程と、少なくとも開口部（コンタクトホール）１０を含む領域に金属層６と接続される配線層１２を形成する工程とを、順次施す。 （もっと読む）

【課題】バリア層とシード層の境界に生じる隙間を低減して２層間の密着性を向上させ、貫通電極部分の信頼性に優れた貫通配線基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る貫通配線基板１０は、半導体基板１１と、該半導体基板の一方の面側に配された電極部１４と、前記半導体基板の他方の面側から一方の面側に至って配され、前記電極部の一部を露呈する貫通孔１６と、前記貫通孔の内側面にシード層１８を介して配された電解メッキ層１９と、を少なくとも備えた貫通配線基板であって、前記シード層は、第一金属層１８ａと、該第一金属層に重ねて配された第二金属層１８ｂとから構成され、前記第一金属層は、柱状形状をなす被膜であり、該柱状形状が、前記貫通孔の開口側に向かって指向性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
下地との優れた密着性を有し、銅やシリコンの拡散を防止し低抵抗銅配線を備えた液晶画像表示装置を提供する。
【解決手段】
アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅−金属合金ターゲットを用いて窒素＋アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。次にアルゴンのみで銅と金属の合金膜を成膜することで拡散バリアを有する金属元素を含有する銅を主成分とする合金膜と、金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金膜との積層配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体層焼成時において、Ｃｕを導体層とする薄膜配線の配線抵抗を上昇させることなく、且つＣｕ電極の酸化を抑制し、電極側面に残留する気泡を起因とした耐圧不良を回避可能な保護層を提供する。また、環境負荷がかからない方法で上記保護層を形成することである。
【解決手段】Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の側面及び側面に連続する上面のＣｕ露出部に第２の保護層であるＮｉを無電解めっき法により形成する。前記第１の保護層の被覆領域をＬ１、第２の保護層の被覆領域をＬ２とし、導体層であるＣｕに対するＮｉ保護層の被覆率をＸとしたときに、Ｘ（％）＝Ｌ２／（Ｌ１＋Ｌ２）×１００≦３６を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）