【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。
【解決手段】非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 （もっと読む）

【課題】貫通電極とパッド電極との接続信頼性を高める。
【解決手段】一方の面と、前記一方の面と対向する他方の面とを有する半導体基板と、前記半導体基板の前記一方の面に設けられた絶縁膜と、前記半導体基板と前記絶縁膜とを貫通する貫通孔と、前記貫通孔の内壁に設けられ、平面視において前記貫通孔と重なる位置に接続孔を有する樹脂膜と、前記絶縁膜上に設けられ、平面視において前記貫通孔と重なる位置に第１凹部を有する配線層と、前記配線層に接続され、前記第１凹部内と前記樹脂膜を介して前記貫通孔内とに設けられた貫通電極とを含む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】貫通電極とパッド電極との接続信頼性を高める。
【解決手段】一方の面と、前記一方の面と対向する他方の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記一方の面に設けられた絶縁膜と、前記半導体基板と前記絶縁膜とを貫通する貫通孔と、前記絶縁膜上に設けられ、平面視において前記貫通孔と重なる位置に凹部を有する配線層と、前記貫通孔と前記凹部とで構成される溝の内壁および前記溝の底面に設けられ、且つ、平面視において前記配線層の前記凹部と重なる接続孔を有する樹脂膜と、前記配線層に接続され、前記樹脂膜を介して前記溝内に設けられた貫通電極とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

集積回路に使用する銅線のための集積回路用相互接続構造およびこれを作る方法が提供される。Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層が、線からの銅の拡散に対しバリアを形成し、それにより、絶縁体の早期絶縁破壊を防ぎ、銅によるトランジスタの劣化を保護する。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層は、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、その結果、製造と使用中のデバイスの機械的健全性を保ち、さらに、デバイスの使用中の銅のエレクトロマイグレーションによる故障を防ぎ、また、環境からの酸素または水による銅の腐食を防ぐ。このような集積回路の形成に関しては、本発明の特定の実施形態により、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏを銅表面上に選択的に堆積させ、一方で、絶縁体表面上のＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏの堆積を減らす、または防ぎさえもする方法が提供される。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有前駆物質およびヨウ素または臭素含有前駆物質を使った銅の触媒堆積も提供される。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧ上のパッド部の浸食を防止し、また、実デバイスのパッド部の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハのチップ領域ＣＡの第３層配線Ｍ３およびスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３を、それぞれ、ＴｉＮ膜Ｍ３ａ、Ａｌ合金膜Ｍ３ｂおよびＴｉＮ膜Ｍ３ｃで構成し、チップ領域ＣＡの再配線４９上の第２パッド部ＰＡＤ２を洗浄し、もしくはその上部に無電界メッキ法でＡｕ膜５３ａを形成する。さらに、Ａｕ膜５３ａ形成後、リテンション検査を行い、その後、さらに、Ａｕ膜５３ｂを形成した後、半田バンプ電極５５を形成する。その結果、ＴｉＮ膜Ｍ３ｃによってＴＥＧであるスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３の第１パッド部ＰＡＤ１のメッキ液等による浸食を防止でき、また、Ａｕ膜５３ａ、５３ｂによって第２パッド部ＰＡＤ２の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】側壁転写プロセスにより複数層に形成された配線層を有する電子部品を簡便且つ安価な方法で得ること。
【解決手段】パターン２７の側壁に沿った閉ループを有する側壁膜３０を形成し、このパターン２７を除去して前記側壁膜３０を残存させた後この側壁膜３０をマスクとして下地材料を選択的に除去する側壁転写プロセスを用いて下層配線層２１を形成する第１の工程と、前記下層配線層２１の上層に、前記側壁転写プロセスを用いて１層以上の上層配線層４１，５１を他の層２２，２３，２４，４２，４３，４４を介して形成する第２の工程と、前記下層配線層２１および前記上層配線層４１，５１のそれぞれを切断するエッチングを一括で行うことにより、前記下層配線層２１と前記上層配線層４１，５１に対して閉ループカットを施す第３の工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極周辺の寄生容量を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜上に、その上部に絶縁膜を有するゲート電極を形成する。ゲート電極を形成した後、半導体基板とゲート電極を覆う第１シリコン酸化膜を形成する。第１シリコン酸化膜を形成した後、第１シリコン酸化膜を覆う第１シリコン窒化膜を形成する。第１シリコン窒化膜を形成した後、第１シリコン窒化膜を覆う第２シリコン酸化膜を形成する。第２シリコン酸化膜を形成した後、第２シリコン酸化膜をエッチングして、第２シリコン酸化膜をゲート電極の側壁部に残す。第２シリコン酸化膜をゲート電極の側壁部に残す工程の後、半導体基板に不純物拡散層を形成する。不純物拡散層を形成した後、第２シリコン酸化膜を除去する。第２シリコン酸化膜を除去した後、半導体基板を覆う第２シリコン窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な金属酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に有機金属化合物を含むガスを供給し、下地上に金属酸化膜を成膜する金属酸化膜の成膜方法であって、下地上に有機金属化合物を供給して下地上に金属酸化膜を成膜し（工程２）、かつ、金属酸化膜の成膜プロセスの最後に、金属酸化膜を酸素含有ガス又は酸素含有プラズマに曝す（工程４）。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、基板裏面側のプラズマ処理により、基板表面側の電極が変色し、ＳｉＮ膜がプラズマ処理されてしまう問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、シリコン基板２の裏面側に裏面電極１３を配置し、その裏面電極１３を構成するＡｌ層１４は、シリコン基板２上に直接配置される。そして、Ａｌ層１４は、シリコン基板２とＡｌスパイクを形成することで、シリコン基板２と裏面電極１３との接着性が向上される。この構造により、シリコン基板２へのプラズマ処理が不要となり、シリコン基板２の表面側のパッド電極１２が変色し、ジャケット膜１０がプラズマ処理されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供すること。
【解決手段】版に形成された画素電極パターンのスルーホールに対向する位置に保持されたインクの量を、画素電極パターンのスルーホールに対向する位置以外の部分に保持されたインクの量よりも多くすることによって、凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハが反るのを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、互いに対向する第１及び第２の主面を有するＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板の前記第１の主面上に形成され、Ｐｄ、Ｔａ、Ｍｏの少なくとも１つから構成された第１の金属層と、前記第１の金属層上に形成され、Ｎｉ系合金又はＮｉから構成された第２の金属層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を実施したとしても、導電性パターンのエッジ付近にバリが発生することがない、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、まず、導電性パターン６のエッジ部が位置するウエハ基板１の表面内に、溝２を形成する。次に、溝２が露出する開口部３ａを有するレジスト３を、ウエハ基板１上に形成する。次に、開口部３ａから露出するウエハ基板１上とレジスト３上とに、導電性膜５を形成する。そして、レジスト３を除去することにより、ウエハ基板１上に導電性パターン６を形成する。 （もっと読む）

【課題】銅を用いた多層配線を有する半導体装置を高性能化する。
【解決手段】シリコン基板上に第１配線層用絶縁膜Ｚ１を形成し、第１配線層用絶縁膜Ｚ１に第１配線用孔部Ｈ１を形成する。その後、第１配線用孔部Ｈ１の側壁および底面を覆うようにして、タンタルまたはチタンを含む下部バリア導体膜ｅｂ１と、ルテニウムを主体とする上部バリア導体膜ｅｔ１とからなる第１配線用バリア導体膜ＥＭ１を形成する。続いて、上部バリア導体膜ｅｔ１をシード層として、電気めっき法により、銅を主体とする第１配線用導体膜ＥＣ１を形成し、ＣＭＰ法により第１配線用導体膜ＥＣ１を第１配線用孔部Ｈ１に埋め込む。特に、上部バリア導体膜ｅｔ１として、１〜５％の濃度で炭素を含ませるようにして、ルテニウムを主体とする導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】第１の配線と第２の配線との交差部に整流素子と不揮発性記憶素子を有する不揮発性記憶装置で、従来に比して高さを抑えることができる不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】第１の方向に延在するビット線ＢＬと、ビット線ＢＬとは異なる高さに形成され、第２の方向に延在するワード線ＷＬと、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとが交差する位置にビット線ＢＬとワード線ＷＬの間に挟持されるように配置される抵抗変化型メモリセルと、を備え、抵抗変化型メモリセルは、抵抗変化素子２０がＮ型半導体層１０とＰ型半導体層３０で挟まれた構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブと電極をなす金属とを強い結合力でかつ十分な密着性を持って接合できるカーボンナノチューブへの金属接合方法及びＣＮＴを用いた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブへの金属接合方法は、カーボンナノチューブを成長させる工程と、成長させたカーボンナノチューブの欠陥に硫黄原子を導入する工程と、前記硫黄原子を介して、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｇａ及びＡｓの中から選択された少なくとも１つの金属またはこれらの合金を接合する工程とを、含む。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に、接着層等を形成するための別の工程を加えることなく、基板との密着性の高い導電性配線を簡単に形成することができる配線形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂基板１上に、導電性微粒子を含有する分散溶液の塗布層３を形成する工程と、レーザ光６を塗布層３の特定領域に連続的に照射していくことで、導電性微細配線４を形成する工程と、導電性微細配線４以外の領域の材料を除去する工程とを備え、塗布層３の厚さをｄ、塗布層３の光吸収係数をα、レーザ光６の入射光強度をＩ₀、樹脂基板１上に到達するレーザ光６の透過光強度をＩ₁とするとき、以下の関係式から成り立つことを特徴とする。
ｌｏｇ（Ｉ₁／Ｉ₀）＝−αｄ （もっと読む）

【課題】微細な電極ピッチで形成された半導体基板が互いに接続された構造を有する半導体装置の信頼性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１の多層配線構造１１１を備えた第１の半導体基板１１０と、第２の多層配線構造１２１を備えた第２の半導体基板１２０とを有し、第１の半導体基板は第１の多層配線構造を構成する電極層の一部からなる第１の接合用電極層１１２を有し、第２の半導体基板は第２の多層配線構造を構成する電極層の一部からなる第２の接合用電極層１２２を有し、第１の接合用電極層は第1のディッシング部１１３を備え、第２の接合用電極層は第２のディッシング部１２３を備え、第1のディッシング部と第２のディッシング部との間に接合部材１３０が配置され、接合部材を介して第１の接合用電極層と第２の接合用電極層が接合される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板又はガラス基板の下地基板に対する密着性が高く、下地基板への拡散バリア性に優れ、かつ水素プラズマ耐性に優れた低抵抗な配線層構造、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体又はガラス基板の下地基板１と、下地基板１上に形成された酸素含有Ｃｕ合金層２と、酸素含有Ｃｕ合金層２上に形成された、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉのうち少なくとも一種を含有する酸化物層３と、酸化物層３上に形成された、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉのうち少なくとも一種を含有するＣｕ合金層４と、Ｃｕ合金層４上に形成された、Ｃｕ導電層５とを有する。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの損傷を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１の上方に形成された電極パッド３０とを有し、電極パッド３０は、第１の融点温度を有する材料からなる第１の層３２と、第１の層３２上に位置するとともに外に向けて表出し、第１の融点温度よりも高い第２の融点温度を有する材料からなる第２の層３３とを含むことを特徴とする。これにより、外部から電極パッド３０への圧力により第１の層３２に達する傷ができても、必要に応じて第１の融点以上の温度で加熱することにより電極パッド表面の平坦性を修復することができる。 （もっと読む）