【課題】例えばエアギャップ構造の形成に好適な、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜に溝を形成する工程と、第１の絶縁膜上面及び溝の内面を覆うように、Ｒｕを含む第１の金属層を形成する工程と、第１の金属層上に、銅を含む第２の金属層を形成する工程と、第１の絶縁膜上の第２の金属層及び第１の金属層を研磨し除去して、第１の絶縁膜を露出させ、溝内に形成された第１の金属層及び第２の金属層を残す工程と、研磨によって露出した第１の絶縁膜を上面から少なくとも一部除去する工程と、第１の絶縁膜の上方に、第１及び第２の金属層の少なくとも上面を覆う第２の絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 スカロップ状側壁を有するシリコン貫通ビアを提供する。
【解決手段】 基板、前記基板を覆う、１つ以上の誘電体層、及び前記基板を穿通して延伸し、スカロップ状の表面の側壁を有し、前記側壁に沿ったスカロップは約０.０１μｍより大きい深さを有するシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）を含む半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】拡散バリア層と銅配線本体との密着性を大幅に改善することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線において、上記絶縁層と、上記絶縁層に対向して設けられた拡散バリア層と、上記拡散バリア層上に形成された、銅（Ｃｕ）からなる配線本体と、を備え、上記拡散バリア層は、マンガン（Ｍｎ）に対する酸素（Ｏ）の組成比率（比率ｙ／ｘ）を２未満とするマンガン酸化物（組成式：Ｍｎ_xＯ_y（比率ｙ／ｘ＜２））を含むマンガン酸化物層を有する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗化を実現することができ、かつ配線と導電層との密着性を向上させることができる表示装置用基板およびそれを備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０、絶縁性基板１０上に設けられた配線４、配線４における絶縁性基板１０の反対側に設けられた導電層１２、並びに、配線４および導電層１２を覆うように絶縁性基板１０上に設けられた層間絶縁膜１５を備えており、導電層１２が金属ナノ粒子を含有し、配線４における導電層１２との接触面にはスリット２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に設けられた半導体部品等の電極パッドとそれに接続されるべくインクジェット法により形成される配線との電気的な接続を好適に確保することのできる半導体装置、及びその半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の第２電極パッド１５に電気的に接続される金属配線膜１９が、銀微粒子を分散媒に分散させた導電性インクからなる液滴（液層２５Ｌ）の配置及び乾燥により形成される。このとき、第２電極パッド１５の表面のメッキ層２１に銀微粒子の結合層からなる中間層２３Ｄを形成した後、中間層２３Ｄを覆うかたちに上記分散媒を撥液する撥液材料を含む撥液層２４を積層する。これにより、金属配線膜１９は、その乾燥焼成を通じて中間層２３Ｄと物理的に接続するようになり、撥液層２４を間に挟みつつ第２電極パッド１５と物理的に接続され、すなわち電気的にも接続されるようになる。 （もっと読む）

【課題】パッド電極の直下でのクラックの発生を抑制できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成されたＬＯＣＯＳ膜３と、ＬＯＣＯＳ膜３上に形成されたポリシリコン膜５と、ＬＯＣＯＳ膜３上に形成されたＩＬＤ膜７と、ＩＬＤ膜７に形成され、ポリシリコン膜５を底面とする第１の開口部と、第１の開口部内に形成され、ポリシリコン膜５と接するパッド電極９と、を有する。ポリシリコン膜５は、ＩＬＤ膜７よりも強度があり、衝撃に対する耐性が高いため、プローブ検査の際にクラックの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】タングステン埋め込み配線に接続される信頼性の高いタングステンコンタクトを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面上の第１層１１に配設されるとともに、貫通孔を有し、タングステンを主成分とする第１配線１２と、一端部１３ａが貫通孔を通って第１配線１２の底面に至るとともに、バリアメタル１４を介して貫通孔の側面１２ｂに接触し、他端部１３ｂが層間絶縁膜１５を挟んで第１層１１の上方の第２層１６に配設された第２配線１７に接続されたタングステンを主成分とする接続導体１３と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】微細配線であっても、Ｃｕ配線の配線抵抗上昇の低減と信頼性向上とを両立する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁膜２と、絶縁膜２に形成された溝５と、溝５の側壁及び底面に形成された、チタン（Ｔｉ）とタンタル（Ｔａ）との合金からなるバリアメタル膜３と、バリアメタル膜３に積層され、溝５の中に位置する銅（Ｃｕ）配線４と、を有する。バリアメタル膜３のチタン濃度は、０．１ａｔ％以上１４ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】チップ厚みの増加を招くことなく、ゲート引出電極とソース電極のパターンレイアウトの自由度を高くする。
【解決手段】半導体装置１００は、複数のセルが配列されたセル領域を含む半導体基板１と、半導体基板１上のセル領域に形成され、第１の導電材料により構成されたゲート電極６と、半導体基板１上のセル領域が形成された領域とは異なる領域に、第１の導電材料により構成されたポリシリコン層６ａ（第１の層）、第１の層上に形成された配線金属層１０３ｂとの積層構造により構成されたゲート引出電極１０３と、ゲート電極６およびゲート引出電極１０３上に形成され、ゲート電極６およびゲート引出電極１０３を覆う単一の層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７上に形成されたソース電極１０８と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 導電性微粒子膜を用いた現実的なバンプ電極構造の形成方法を実現すること。
【解決手段】半導体基板上に設けられた第１の電極と、この第１の電極上に設けられ、導電性微粒子からなる導電性微粒子膜と、この導電性微粒子膜上に設けられた第２の電極としての半田で形成されたバンプ電極とから構成された電極構造を具備してなる。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた薄膜トランジスターのゲート電極、ソース電極およびドレイン電極などの配線膜および配線下地膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｍｇ：０．１〜５原子％、Ｃａ：０．１〜１０原子％を含有し、必要に応じて、ＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜１０原子％を含有し、さらに必要に応じてＰ：０．００１〜０．１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する薄膜トランジスター用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】貫通電極のショート不良を引き起こすことなく、貫通電極とパッド電極との密着性を向上させる。
【解決手段】開口部２２が設けられたパッド電極２１ｂ上にエッチストッパ膜２３を積層し、半導体基板１１に形成された貫通孔４１に貫通電極４５を埋め込む際に、貫通電極４５の先端が、開口部２２を介してパッド電極２１ｂの一部を突き抜け、エッチストッパ膜２３で止められるように構成する。 （もっと読む）

【課題】配線層を薄くした場合にも電極パッド形成領域で配線層がなくなることを確実に防止できるようにし、配線層と電極パッドとを安定して電気的に接続させる。
【解決手段】半導体基板１上の第４層間絶縁膜１０中に複数のコンタクト用配線１１Ｂが形成されている。各コンタクト用配線１１Ｂの上及び第４層間絶縁膜１０の上に第１保護絶縁膜１２が形成されており、第１保護絶縁膜１２には、各コンタクト用配線１１Ｂを露出させる第１開口部１２ａが形成されている。第１開口部１２ａの内部にはバリアメタル膜１３を介して、コンタクト用配線１１Ｂと電気的に接続する電極パッド１４が形成されている。第１開口部１２ａの下側には、コンタクト用配線１１Ｂが配置されていない領域が存在している。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた薄膜トランジスター用配線膜およびこの配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｒ：０．１〜２０原子％、ＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜２０原子％を、ＣｒとＭｎとＡｌの合計が５超〜２５原子％の範囲内にあるように含有し、さらに、必要に応じてＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる薄膜トランジスター用配線膜および配線下地膜、並びにこれら配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 ソフトエラーを低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電極パッドを有する半導体チップが形成される半導体基板と、前記電極パッドに設けられる内部接続端子と、前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように設けられる絶縁層と、前記絶縁層を挟んで前記内部接続端子と接続される配線パターンと、を有する半導体装置であって、前記絶縁層は、ポリイミド及び／又はポリイミド系化合物等のα線を遮蔽する材料を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１０．０原子％含有することを特徴とする。本発明は、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が薄膜トランジスタに用いられている点に特徴を有する表示装置も含むものである。該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線として用いられる銅層が塊状になるのを抑え、さらに拡散バリア層との密着性を向上させるため、改良された付着方法、又はメタライゼーション方法を提供する。
【解決手段】銅シード層とバリア層の間に密着促進層を被着する。コンピュータを用いたシミュレーションで銅膜の塊状化が起こる状況および銅層の密着性に関する評価を行い、密着促進層材料にクロム合金を用いることで、銅膜の密着性を著しく高める。さらにポリデンテートβ−ケトイミネートのクロム含有錯体を密着促進層材料のクロム合金を作るためのクロム含有前駆物質とする。 （もっと読む）

【課題】１００℃前後の温度でもパッド金属膜がダイヤモンド層から剥離しないダイヤモンド半導体素子を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド層の上に、Ａｌ系またはＡｕ系の配線膜、パッド金属膜、および金属ワイヤを備えたダイヤモンド半導体素子であって、パッド金属膜は、配線膜および金属ワイヤと電気的に接続されており、且つ、白金族金属またはその合金で構成されている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトの剥がれ、絶縁膜表面の段差、及び、コンタクトの両端に発生する気泡を防止し、信頼性が高く、拡散工程の短い高周波デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の高周波デバイス２００は、Ｓｉ基板２０１上に形成された能動素子と、前記Ｓｉ基板２０１上に積層して形成されている１０ＧＨｚ以上の周波数における誘電正接が０．０２以下で膜厚が１０μｍ以上の絶縁膜２０５と、前記絶縁膜２０５上に形成されている受動素子を主に形成する配線層２０７と、前記能動素子と前記受動素子を主に形成する配線層２０７とを前記絶縁膜２０５を介して、前記Ｓｉ基板２０１に対して垂直方向に接続する金属であるコンタクト２０６とを備え、前記コンタクト２０６は、無電解メッキによって形成されている。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】剥離しない上部配線膜を形成する。
【解決手段】下部配線膜１１とコンタクトする部分や、ＳｉＮ層１２の表面に、インクジェット法によって錫又は亜鉛の微粒子が分散された第一の印刷液を塗布し、焼成して酸化錫と酸化亜鉛の少なくとも一方から成る無機接着膜１３を形成し、無機接着膜１３の表面にＡｇ微粒子が分散された第二の印刷液を塗布し、焼成して上部配線膜１４を形成する。無機接着膜１３は、下部配線膜１１表面のＭｏＮ層２３及びガラス基板１０上のＳｉＮ層１２と、上部配線膜１４と接着性が高いので、上部配線膜１４が剥離しない。 （もっと読む）