【課題】半導体チップの発熱部における熱を、簡易な方法で効率的に放散させる。
【解決手段】半導体チップ２と、該半導体チップ２の外部に配置されるリードフレーム３ｂ，３ｃと、該リードフレーム３ｂと半導体チップ２の表面に形成された電極パッド１０とを電気的に接続する信号用ボンディングワイヤ４とを備えるとともに、半導体チップ２を構成するシリコン基板の表面に形成された回路パターンを被覆する絶縁膜９の表面のうち、回路パターンにおける発熱部１１近傍に配される領域とリードフレーム３ｃとを接続する放熱用ボンディングワイヤ５を備える半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】 封止樹脂と表面側導電板、封止樹脂と裏面側導電板が剥がれてしまうのが防止された半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 半導体モジュール１２は、半導体素子１５と、表面側導電板１４と、裏面側導電板１６、１７と、封止樹脂２０を備えている。半導体素子１５は、表面側電極と裏面側電極を有している。表面側導電板１４は、半導体素子１５の表面側電極に接続固定されているとともに、半導体素子１５よりも外方に延びている。裏面側導電板１６、１７は、半導体素子１５の裏面側電極に接続固定されているとともに、半導体素子１５よりも外方に延びている。封止樹脂２０は、表面側導電板１４と裏面側導電板１６、１７の間の空間を充填している。表面側導電板１４と裏面側導電板１６、１７の内面であって、封止樹脂２０と接する領域に、アンダーカット状の側面を持つ凹部２３が分散配置されている。 （もっと読む）

【課題】プリント配線基板に固定した立ち基板を、発熱を伴う電子部品の放熱に利用することを基本とし、立ち基板の放熱性能を高め、かつ、ビスを用いずに電子部品を立ち基板に固定するという対策を講じた配線基板を提供する。
【解決手段】プリント配線基板１に面状銅箔パターン５２を有する立ち基板５を固定し、発熱を伴う電子部品３の主部３１を、立ち基板５に重ね合わせてその立ち基板５を放熱板として用いる。立ち基板５の面状銅箔パターン５２の全面に半田盛り層５３を形成し、電子部品３の主部３１から突き出した放熱片の突出部分３３を半田盛り層５３に半田付けすることによってその主部３１を半田盛り層５３に重ね合わせる。主部３１と半田盛り層５３との重なり部分に伝熱性を有するグリースを介在する。 （もっと読む）

【課題】樹脂製配線基板に亀裂が生じることのない、応力の緩和された半導体素子用パッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子用パッケージは、樹脂製配線基板２と、樹脂製配線基板２上にはんだバンプ５を介してフリップチップ接続される半導体素子１と、この半導体素子１を覆うようにして樹脂製配線基板２表面に取り付けられ且つその一部を前記半導体素子１の上面と接着してなる高熱伝導性蓋体と、樹脂製配線基板２裏面に設けられ、半導体素子１と電気的に接続された接続端子（はんだボール７）とを具備する半導体素子用パッケージであって、前記高熱伝導性蓋体における前記半導体素子との接着面の略中央部に、接着面積の５０％以上の面積の凹部が設けられ、該凹部に高熱伝導性樹脂が充填されたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高熱伝導性で、ちょう度が高く、塗布性が良好な熱伝導性コンパウンドを提供する。
【解決手段】 （Ａ）熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上で平均粒径５〜５０μｍの金属粉末、（Ｂ）新モース硬度が６以上で平均粒径５〜５０μｍの粗粒無機充填剤、（Ｃ）平均粒径０．１５〜２μｍの細粒無機充填剤、（Ｄ）基油、及び（Ｅ）（ポリ）グリセリルエーテル、並びにアルケニルコハク酸イミド及びそのホウ素誘導体から選ばれる１種以上の表面改質剤を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の合計含有量がコンパウンド全量中８８〜９７質量％の範囲であり、かつ（Ａ）と（Ｂ）の合計含有量と（Ｃ）の含有量の質量比が２０：８０〜８５：１５の範囲であり、（Ｄ）の含有量がコンパウンド全量中１２質量％未満であり、さらに（Ｅ）の含有量がコンパウンド全量中それぞれ０．０８〜４質量％である高熱伝導性コンパウンド。 （もっと読む）

【課題】自動車のエンジンルームなどの、部品が多数存在する場所に配置された筐体内に、電子装置などの発熱体を、前記筐体の内面に容易に熱的接合して収容できる放熱構造を提供する。
【解決手段】筐体内に、発熱体が筐体内面に押圧され熱的に接合して収容されており、発熱体を筐体内面に押圧する操作は、筐体内面の法線と略直交する方向から行われる発熱体の放熱構造。発熱体１が押圧され熱的に接合している筐体３内面が筐体側壁部３ａの内面３ｂであり、発熱体１を押圧する操作が筐体３上部方向から行われる発熱体１の放熱構造。発熱体１が押圧され熱的に接合している筐体３内面の背側の外面３ｃに放熱体９が設けられている発熱体の放熱構造。 （もっと読む）

【課題】セラミックス回路基板を他部材に強固にネジ締結することができ、かつ貫通孔周辺部分にクラックが発生することを抑制することができるセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の表裏面に金属板が固着されたセラミックス回路基板１をネジ６で他部材８に締結する接合構造において、セラミックス回路基板は、裏面金属板４とセラミックス基板の二部材にネジを通す貫通穴５が形成され、表面側は補強部材７を介してネジ締めされており、補強部材はネジを通す貫通穴７１が形成され、セラミックス基板との当接面における凹部の直径Ｌはセラミックス基板の貫通穴の直径ｂに対し、Ｌ＞ｂである、また、裏面金属板の貫通穴５４の直径ａは、セラミックス基板の貫通穴の直径ｂに対し、ａ≧ｂであるセラミックス回路基板の接合構造。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発熱電子部品の放熱対策に用いられる放熱部品に関して、放熱効率をさらに高めることを目的とするものである。
【解決手段】この目的を達成するために本発明は、熱伝導体からなる受熱部５と、一端が前記受熱部５に支持された複数のグラファイトシート８を備え、前記複数のグラファイトシート８の他端側を支持部７で支持し、前記複数のグラファイトシート８を所定の間隔をもった梯子型に並設させた構造としたのである。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で三次元高密度実装構造に適した冷却構造を提供する。
【解決手段】高密度実装の電子装置１は、実装された半導体素子１１の高さ方向に、スタック構造で積み重ねられた複数の両面実装回路基板ユニットと、前記積み重ねられた複数の両面実装回路基板ユニットの少なくとも一辺側が開口するように配置され、かつ、前記両面実装回路基板ユニットの端部で、前記両面実装回路基板ユニット間の電気的な接続を行なうコネクタ４と、前記スタック構造で互いに対向する半導体素子の間に設けられ、当該対向する半導体素子の各々に接する冷却構造とを備える。両面実装回路基板ユニットの少なくとも１つは、基板表面に形成されたグランド層を有し、冷却構造は、互いに対向する半導体素子の間に延びる放熱板５を有し、このグランド層と同じ面上に実装された半導体素子と接する放熱板は、当該グランド層に接触する突起部を有する。 （もっと読む）

【課題】放熱の効率を更に高めるべく放熱構造を具有する発熱部のを提供する。
【解決手段】発熱部を含み、該発熱部の片側は冷媒ユニットとし、該発熱部は該冷媒ユニットの熱面と接触させることにより、該冷媒ユニットで生じる熱エネルギーを電気エネルギーに転換し、該発熱部作動時に生じる熱エネルギーを排除する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発熱電子部品の放熱対策に用いられる放熱部品に関して、放熱効率をさらに高めることを目的とする。
【解決手段】放熱部品６を複数のグラファイトシート７から構成し、複数のグラファイトシート７を重畳した重畳領域９を熱移送部１２および受熱部１１として、グラファイトシート７間に所定の空間を設けた分離領域１０を放熱部１３とするとともに、分離領域１０において分離空間の形状を維持する形状維持手段８を設け、この形状維持手段８を樹脂からなる薄板状部材で形成した構造とした。 （もっと読む）

【課題】 環境に及ぼす影響を考慮した高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】 セラミック基板２ａの両面に導体層２ｂ，２ｃを形成した絶縁基板２が放熱ベース６上に半田層５を介して半田接合されると共に、その絶縁基板２上にＩＧＢＴ等の半導体チップ４が半田層３を介して半田接合されたパワー半導体モジュール１を形成する際、絶縁基板２と半導体チップ４の接合、および絶縁基板２と放熱ベース６の接合に鉛フリー半田を用いる。また、絶縁基板２と放熱ベース６の接合時には、接合前にあらかじめ放熱ベース６に絶縁基板２が半田接合される面と反対の面側に接合後に平坦か平坦に近い状態が得られるような凸状の反りを与えておく。これにより、放熱ベース６を冷却フィン等に取り付けた際、それらの熱抵抗が低く抑えられ、半導体チップ４の熱が効率的に放散されて異常な温度上昇が防止される。 （もっと読む）

【課題】膜厚が１μｍ以上の配向性ＢｉＴｅ系膜であっても、パーティクルの発生を抑制でき、高い熱電変換効率を有する配向性熱電薄膜の製造方法及び配向性熱電薄膜を有する熱電デバイスを実現する。
【解決手段】絶縁膜２の上面にパルスレーザ蒸着法でＢｉ_２Ｔｅ_３種膜３を形成する。パルスレーザ蒸着法により配向性を有さないアモルファス構造の膜上でも結晶のｃ軸方向が基板面に対して垂直に向いた優先配向膜を形成できる。第１膜３の膜厚は５０ｎｍ程度の薄い薄膜とすることにより、熱電薄膜上においてパーティクルが占有する表面積の割合を１０％以下に低減できる。次に、第１膜３上にスパッタリング法を用いて第２膜としてＢｉ_２Ｔｅ_３薄膜４を第１膜と第２膜とを合わせた膜厚が１μｍ程度になるまで形成させる。薄膜４は薄膜３の配向性を引き継ぎｃ軸配向Ｂｉ_２Ｔｅ_３薄膜４を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は半導体素子が搭載された基板に放熱部材を設けた構造の半導体装置及びその製造方法に関し、部品点数の削減及び製造工程の簡単化を図ることを課題とする。
【解決手段】 半導体素子１２と、キャビティ２３内に半導体素子１２が配設される回路基板１３と、回路基板１３に設けられ回路基板１３で発生した熱を放熱する放熱板１４Ａと、半導体素子１２等を封止する封止樹脂１５とを有する半導体装置において、回路基板１３と放熱板１４Ａとの間にキャビティ２３と連通する間隙部２４を設け、封止樹脂１５の一部が間隙部２４内に進行し、この間隙部２４内の封止樹脂１５（接合樹脂１５Ａ）により放熱板１４Ａが回路基板１３に本固定されるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】 放熱性能を向上することが出来る、改良された構造のヒートシンクを提供することを、目的とする。
【解決手段】 電子部品１２に対する重ね合わせ方向に向けて貫通する貫通孔１４を複数形成した。 （もっと読む）

【課題】 電子部品等の発熱部材（被放熱物）と放熱部材との間に設置されて、密着性及び取り扱い性が良好な熱伝導部材を簡単な工程で確実に製造する方法、及びそれを用いた放熱構造体を提供する。
【解決手段】 （ａ）１分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン、
（ｂ）熱伝導性充填材、
（ｃ）ケイ素原子に直接結合した水素原子を分子中に平均で２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（ｄ）白金族系付加反応触媒、
（ｅ）Ｓｉ−Ｈ基が付加可能なアルケニル基を分子中に一つ持つ揮発性化合物
を含有する熱伝導性シリコーン組成物を基材に積層して未硬化シリコーン体を形成し、これを加熱硬化して外側表面部にスキン硬化層が形成され、上記基材側の内側表面部に上記スキン硬化層より低硬度層が形成されたシリコーン伝熱体を形成することを特徴とする熱伝導部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板へのＢＧＡの実装及び取り外し作業を容易にするとともに、ＢＧＡの放熱性を向上させる。
【解決手段】 複数の凹部１ａと、複数の凹部１ａの各々に埋め込まれた電極ワイヤ１ｃと、表面又は／及び裏面に形成された複数の溝部１ｂとを備える基板接続放熱シート１の複数の凹部１ａに、ＢＧＡ２の複数のハンダボール２ａを挿入し、基板接続放熱シート１を、ＢＧＡ２と基板３との間に介装、密着させ、複数の電極ワイヤ１ｃを介して複数のハンダボール２ａと、基板３の複数の信号パッド３ａとを電気的に接続する。半田付けを行う必要がなく、ＢＧＡ２の基板３への実装及び取り外が容易となる。放熱シート１がＢＧＡ２及び基板３に密着する際に、溝部１ｂより空気が押し出され、密着面に空気が溜まることがないため、高い放熱性を実現することができ、特に宇宙機器用のＢＧＡ接続構造に好適である。 （もっと読む）

【課題】
放熱板固定部材を用いて、基板上のパターンの配線を変更することなく放熱板を確実に固定できる構造を提供する。
【解決手段】
この放熱板固定構造は、基板２と、集積回路３と、放熱板１と、放熱板１を固定するための放熱板固定部材４と、放熱板固定部材４を基板２にビス止して放熱板１を固定するためのビス５と、放熱板固定部材４に形成されたビス止用穴６と、を備えている。基板２には集積回路３の多数ピン群から複数のパターンが引き出されており、集積回路３を中心に十字形状にパターンが混み合って形成されている。基板２上の十字形状から外れる隅４箇所にはパターンは疎に形成されており、集積回路３の隅４箇所のうちの隅２箇所にビス止用の穴７を形成し、放熱板１の固定を行う。 （もっと読む）

【課題】 ヒートシンク等の熱交換器の熱解析において、熱交換器の温度分布(特に、ヒートシンクを冷却するファンの風上・風下方向における温度分布を考慮したもの)を簡便に算出・表示することを可能にする。
【解決手段】 熱交換器の所定面方向についての温度分布を演算する熱解析装置において、前記熱解析装置は、前記熱交換器の前記所定面に平行な一方向に流れる冷却媒体の方向Xについての熱交換器の一次元的な温度分布T(X)を求める風上・風下温度分布演算手段を含み、前記風上・風下温度分布演算手段は、前記熱交換器表面と冷却媒体からなる系の熱伝達率を用いてT(X)を導出する演算を含むものであることを特徴とする。特に好ましくは、前記T(X)を導出する演算は、前記所定面を複数の領域に分割し、各領域においてT(X)をそれぞれ所定の解析式で近似したモデルに基づいて行われるものとする。 （もっと読む）

【課題】特殊な基板や半導体素子の使用を不要とし、基板厚みにかかわらず適用可能で、放熱性、高周波接地特性に優れ、不具合、破損等での交換が容易な半導体素子の実装方法及び実装構造を提供する。
【解決手段】凸部を有する金属シャーシ２と、当該凸部に対応する位置の表裏を貫通する開口部７と上面の配線パターンを有し、前記凸形状が嵌入され金属シャーシ２に配置された基板３と、前記金属シャーシ２の凸部の上面に放熱用電極５が搭載され、リード線４が前記配線パターンと接続された基板表面実装型のプラスチック樹脂モールドパッケージの半導体素子１とで構成される。 （もっと読む）