【課題】
電源生成回路の動作に起因して静電保護回路の誤動作を抑制する集積回路装置を提供する。
【解決手段】
集積回路装置は，外部端子に接続された第１，第２の電源線との間に設けられ，第１，第２の電源線間の電圧の増大に応答して所定の時定数期間中に前記第１，第２の電源線間に電流経路を形成する静電気保護回路と，第１の電源線の電圧に基づいて電源制御を行い，当該電源制御のスイッチングのタイミングに対応して制御信号を生成する電源生成回路とを有し，静電気保護回路は，制御信号に応答して所定の時定数期間を短くする調整回路を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の集積回路層が厚さ方向に積層されて成る半導体集積回路装置の層間接続不良の有無を、一層積層する毎に短時間で検査することが可能な検査方法及び半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】互いに積層される集積回路層１０及び２０に、複数の検査用整流素子部１５及び２５をそれぞれ形成する。複数の検査用整流素子部１５（２５）は、複数の接続用端子１４（２４）のそれぞれと正電源配線１３ａ（２３ａ）及び接地配線１３ｂ（２３ｂ）との間に接続され、整流素子１５ａ，１５ｂ（２５ａ，２５ｂ）を含み電流により発光する。複数の接続用端子１４及び２４を互いに電気的に接続したのち、正電源配線１３ａ（又は接地配線１３ｂ）と接地配線２３ｂ（又は正電源配線２３ａ）との間にバイアス電圧を印加し、検査用整流素子部１５又は２５の発光に基づいて、接続用端子１４及び２４の接続状態を検査する。 （もっと読む）

【課題】複数の集積回路層が厚さ方向に積層されて成る半導体集積回路装置の層間接続不良の有無を、一層積層する毎に短時間で検査することが可能な検査方法及び半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】互いに積層される集積回路層１０及び２０に、複数の検査用整流素子部１５及び２５をそれぞれ形成する。複数の検査用整流素子部１５（２５）は、複数の接続用端子１４（２４）のそれぞれと正電源配線１３ａ（２３ａ）及び接地配線１３ｂ（２３ｂ）との間に接続され、整流素子１５ａ，１５ｂ（２５ａ，２５ｂ）を含み電流により発光する。複数の接続用端子１４及び２４を互いに電気的に接続したのち、正電源配線１３ａ（又は接地配線１３ｂ）と接地配線２３ｂ（又は正電源配線２３ａ）との間にバイアス電圧を印加し、検査用整流素子部２５の発光に基づいて、接続用端子１４及び２４の接続状態を検査する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング処理に起因する、チップ用パッド同士のショートを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と複数の第１のパッドと、複数の第２のパッドとを備える半導体装置であり、第１のパッドは素子形成領域ＩＭＣ内に、第２のパッドは素子形成領域ＩＭＣを取り囲むダイシングライン領域ＤＬＲ内に形成される。ダイシングライン領域ＤＬＲには、第２のパッド同士が電気的短絡を生じさせやすい第１の領域ＳＬＲと、第２のパッド同士が電気的短絡を生じさせにくい第２の領域ＳＵＲとを有している。第１の領域ＳＬＲに対向する位置に配置された一部の第１のパッドは、第２の領域ＳＵＲに対向する位置に配置された残りの第１のパッドよりも、素子形成領域ＩＭＣの外縁の１辺ＢＤＬから離れて配置されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングに用いるパッド全体のレイアウトで必要な面積の増大を抑制できる半導体チップ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップに、ボンディング用のパッドであるボンディングパッドとテスト用のパッドであるプローブパッドとを含む複数のパッド形成部を備える。パッド形成部はボンディングパッドとプローブパッドの配列方向と直交する方向に２列で配置される。ボンディングパッドとプローブパッドとは、パッド形成部の列方向において、互いの位置が順次入れ替わるように配置される。 （もっと読む）

【課題】積層型半導体装置において積層される半導体チップ間の接続テストにあたり、回路規模の拡大の抑制およびテスト時間の短縮を図る。
【解決手段】チップ２００において、トランジスタＴＲ１１乃至１４の組とＴＲ２１乃至２３の組を貫通電極２０１ａ乃至２０１ｈに対して互いに１つずつずらして配置して接続する。制御電圧ＶＤＤと基準電圧ＶＳＳを最下層から各層のチップに対して印加した状態で、トランジスタＴＲ１１乃至１４は、下層にチップが積層され、上層にチップが積層されないときにオンとなるように駆動する。トランジスタＴＲ２１乃至２３は、下層および上層にチップが積層されているときにオンとなるように駆動する。これにより、最上層とその下の層のチップ間のマイクロバンプ２１０と２２０の接合部のコンタクトチェーンを形成する。接続テストはコンタクトチェーンの抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】積層される半導体基板同士が、貫通孔の内部に埋め込まれる導電体により、電気的に良好に接続される半導体装置を提供する。
【解決手段】第１半導体基板ＳＣＰは、主表面を有する基板ＳＵＢと、基板ＳＵＢ内および基板ＳＵＢ上に形成された半導体素子ＴＲと、半導体素子ＴＲに電気的に接続された配線ＭＴＬと、基板ＳＵＢの主表面であり、互いに対向する第１主面と第２主面とを貫通し、配線ＭＴＬに達する貫通孔の内部に形成された導電層ＴＳＶとを有する。第１半導体基板ＳＣＰと第２半導体基板ＳＣＰとが積層され、導電層ＴＳＶは第２半導体基板ＳＣＰの配線ＭＴＬと電気的に接続される。導電層ＴＳＶの第２主面では、貫通孔の端部の周囲には凹部ＤＵＭが形成され、凹部ＤＵＭの底壁面は基板ＳＵＢの内部に存在する。導電層ＴＳＶを構成する導電材料ＣＵが凹部ＤＵＭの内部に充填される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストの増加を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板部１０、誘電体膜２２、再配線２４、上部電極２５、絶縁膜２６、及び外部接続端子２８を有する。半導体基板部１０は、回路が形成され、回路にそれぞれ接続される下部電極１５、上部電極パッド１６、接続パッド１７、１８を上面に有する。誘電体膜２２は、下部電極１５を被い、上部電極パッド１６、接続パッド１７、１８の上面に達する開口部を有する。再配線２４は、一部の接続パッド１７、１８に電気的に接続される。上部電極２５は、誘電体膜２２を介して下部電極１５の上面に対向して配置され、上部電極パッド１６に接続され、再配線２４を含む。絶縁膜２６は、誘電体膜２２、再配線２４、及び上部電極２５を被う。外部接続端子２８は、絶縁膜２６を貫通し再配線２４に接続され、絶縁膜２６の上面から露出する。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の増加を抑制しつつ、ウェハ状態でのスクリーニング時に電源電圧低下（ＩＲドロップ）を抑えることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係る半導体装置５０は、半導体チップ１００と、半導体チップ１００上面の中央部のチップ中央領域１２０に形成された複数の外部接続用パッド１０２及び複数の検査用パッド１０４と、複数の外部接続用パッド１０２上に形成されたバンプ１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】サイズやコストを増大させることなく、テスト容易なシステムインパッケージを実現する。
【解決手段】テスト容易化回路内装ＳＩＰ１ｂは、少なくともその１つに集積回路チップ２が搭載された複数のコア基板３，４ｂ，５を、絶縁樹脂層７を介して貼り合わせて構成するとともに、コア基板３，５に形成された配線層３１，５１を、スルーホール６を介して接続して構成される。このうち、コア基板４ｂには、半導体層が形成されており、コア基板４ｂには、その半導体層を用いたトランジスタ素子が形成され、さらに、そのトランジスタ素子がコア基板４ｂに含まれる配線層の配線で接続されることによって、集積回路チップ２のテストを容易化するためのテスト容易化回路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高ＲＦ妨害波耐性の半導体集積回路及びそれを備えたコンデンサマイクロフォンを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、端子Ｂと端子Ｃとの間に設けられた出力トランジスタＭＮ１と、端子Ｂと端子Ｃとの間に設けられたローパスフィルタ１００と、出力トランジスタＭＮ１のゲートと端子Ｃとの間に設けられたプルダウン用抵抗Ｒ３と、プルダウン用抵抗Ｒ３と端子Ｃとの間に設けられたインダクタＬ１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】積層されるチップ数が増加した際にワイヤボンディング数の増加を抑制でき、さらにインダクタ素子の形成によるチップ面積の増大を抑制できる高速なインタフェースを有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】信号を送受信するインダクタ素子ＩＤ１を有するＮＡＮＤチップＮＣ１と、信号を送受信するインダクタ素子ＩＤ０を有するＮＡＮＤチップＮＣ０と、ＮＡＮＤチップＮＣ１，ＮＣ０の動作を制御する制御回路が形成され、インダクタ素子ＩＤ１，ＩＤ０との間で信号を送受信するインダクタ素子ＩＤＣを有する制御用チップＣＣ０とを備える。インダクタ素子ＩＤ１，ＩＤ０の外周は、インダクタ素子ＩＤＣの外周をインダクタ素子ＩＤＣを含む平面に垂直な方向に延長した閉空間に含まれ、インダクタ素子ＩＤＣのインダクタンスは、インダクタ素子ＩＤ１あるいはＩＤ０のインダクタンスの少なくともいずれか一方より大きい。 （もっと読む）

【課題】ＭＭＩＣの特性測定において，ＤＣバイアス印加時の発振を抑制する。
【解決手段】この発明に係る高周波回路チップのＭＭＩＣ６０は、ＧａＡｓ基板１２上に所定の間隔をおいて並行して配設されたＤＣバイアス線路６２が、その端部に互いに間隔をおいて隣接したＤＣパッド６４を備えたもので、ＤＣバイアス線路６２の端部のＤＣパッド６４に個別にＤＣバイアスを印加することができ、高周波信号の影響を少ない状態でチップの電気的特性を測定することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電源電圧の変換効率を向上させる。
【解決手段】ハイサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとが直列に接続された回路を有する非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、ローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴと、そのローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴに並列に接続されるショットキーバリアダイオードＤ１とを同一の半導体チップ５ｂ内に形成した。ショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲを半導体チップ５ｂの短方向の中央に配置し、その両側にローサイドのパワーＭＯＳ・ＦＥＴの形成領域を配置した。また、半導体チップ５ｂの主面の両長辺近傍のゲートフィンガ６ａから中央のショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲに向かって、その形成領域ＳＤＲを挟み込むように複数本のゲートフィンガ６ｂを延在配置した。 （もっと読む）

【課題】アクティブフィーチャの容量カップリングを低減する。
【解決手段】本発明は、研磨ダミーフィーチャパターンの無差別な配置ではなく、研磨ダミーフィーチャパターンの選択的な配置を使用する。トポグラフィ変化の低周波数（数百ミクロン以上）及び高周波数（１０ミクロン以下）の両方が検討された。研磨ダミーフィーチャパターンは半導体デバイス及び半導体デバイスの作製に使用される研磨条件に特に適合されている。集積回路をデザインする場合にはアクティブフィーチャの研磨効果が予測可能である。研磨ダミーフィーチャパターンが例図とに配置された後、局部的な（デバイスの全てではなく一部）レベルにおいて、及びさらに広域的なレベル（全デバイス、デバイスとは、レチクルフィールド、或いはさらにはウェハ全体に対応する）平坦性が検査される。 （もっと読む）

【課題】接続部材が接続されるボンディングパッドを一面に有する半導体基板を備えた半導体装置において、接続部材の接続によるボンディングパッド下のダメージを検出する場合に、適切にパッド数の増加を抑制する。
【解決手段】半導体基板１の内部にてボンディングパッド１１〜１３の直下部位には、当該半導体装置の特性を検査するための検査用配線３１〜３３が設けられており、検査用配線３１〜３３の一端側は、半導体基板１の一面に設けられた検査用パッド２０に導通し、検査用配線３１〜３３の他端側はボンディングパッド１１〜１３に導通している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを切り出す際に生じるばりによる半導体装置の歩留まりの低下及び信頼性の低下を防止し且つ半導体チップの取り数を向上させることができるようにする。
【解決手段】上面に複数のボンディングパッド１４と複数の検査用パッドのパッド断片１９とが形成された平面方形状の半導体チップにおいて、複数のパッド断片１９は半導体チップの４辺のうちの対向する２辺に沿って形成されている。複数のボンディングパッド１４は異なる２辺に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ドライバー集積回路チップの電源連結構造に関し、より詳細には、ドライバー集積回路チップ内部のルーティングパターンをＬＯＧと並列で配置して、チップの両端に配置された電源を連結することで配線を簡素化してライン抵抗を減少させることができるドライバー集積回路チップの電源連結構造を提供する。
【解決手段】本発明によるドライバー集積回路チップの電源連結構造によると、ドライバー集積回路チップの入出力端子の配線数を減少させて配線を簡素化して、これによりチップサイズを減らして及び製造費用を減少させることができる効果があり、チップ内部のルーティングパターンとＬＯＧを並列で連結することでライン抵抗が減少されて、信号の遅延を減らすことができる長所がある。 （もっと読む）

【課題】外部からの磁場を遮蔽する磁気シールド効果が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。磁化自由層ＭＦＬの磁化状態を変化させることが可能な配線ＤＬと配線ＢＬとを備えている。磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の性能を下げることなく、コスト低減及び小型化を図ることができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】内部回路と、外部から入力された入力信号を内部回路に供給及び内部回路から供給された出力信号を外部に出力する入出力回路と、を有する半導体集積回路装置であって、内部回路に駆動電圧を供給するための内部回路用電源端子と、入出力回路に駆動電圧を供給するための入出力回路用電源端子と、内部回路及び入出力回路に共通のグランド電圧を供給するための共通グランド端子と、を有し、内部回路用電源端子、入出力回路用電源端子、及び共通グランド端子が隣り合って配置されることによって当該３つの端子から単位端子群が形成されていること。 （もっと読む）